1、光学工程专业优秀论文 提高大功率半导体激光列阵光束质量的实验和理论研究关键词：半导体激光列阵 相干耦合 光纤外腔 体全息光栅 偏振耦合 实验分析 并联耦合模式理论摘要：本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方
2、法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面
3、不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的
4、波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到 022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。
5、偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔
6、焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。正文内容本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实
7、验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束
8、的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息
9、光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到 022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外
10、腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试
11、验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、
12、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤
13、整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布
14、。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了
15、05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm
16、2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激
17、光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相
18、相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一
19、个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外
20、腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换
21、效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材
22、料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反
23、射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相
24、后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主
25、要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，
26、研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的
27、并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或
28、光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。
29、采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定
30、了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空
31、间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功
32、率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有
33、相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必
34、考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波
35、长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振
36、耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接
37、等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨
38、论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低
39、损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不
40、改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实
41、验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大
42、功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外
43、腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半
44、导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤
45、外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但结构简单、能量损失小。同时，该外腔有很好的波长稳定性。本文用体全息光栅外腔来改善半导体激光阵列的光谱特性，并对其进行了理论分析和软件模拟，确定了最佳外腔长度。实验中将光谱线宽压窄到022nm，波长随温度的漂移减小到 001nm/。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合，为了减小外腔反馈中的自耦合系数，实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜，将腔长设为半共焦腔，并进行理论分析，通过外腔实验，阵列的谱线宽度从 25nm 压窄到了 05nm，一
46、定程度上改善了半导体激光器阵列的相干特性。在此基础上，将体全息光栅和平凹柱面镜构成双外腔，并且在实验中获得了双波长输出，谱线宽度达到 02nm，随温度变化时，其波长间隔始终稳定在 18nm。 偏振耦合属于非相干耦合，不能改变半导体激光列阵的相干特性，但可以提高输出激光光束的亮度。与波长耦合、空间耦合配合使用，能对激光光束的亮度有较大提高。本文中，使用两个半导体激光堆栈，采用偏振耦合的方法，研制了一台直接应用型的大功率半导体激光器，最大输出功率 1kW。在工作电流 130A 时，电光转换效率约为 43。使用UFF100 激光光束质量诊断仪测量，焦斑呈矩形分布，焦斑面积为05550mm2，快轴光参
47、积 Kf=261mmmrad，激光器系统工作稳定。用其做了钢轨表面硬化、铝合金焊接等试验。 提高大功率半导体激光列阵的光束质量具有重要的实用意义。高的光束质量可以产生高的聚焦功率密度，满足深熔焊接等需要高功率密度场合的需要。本文中，通过提高半导体激光列阵输出激光束的光强和亮度，从而获得更高的功率密度。列阵的输出光谱压窄，也可以在泵浦固体激光器等需要窄线宽的场合中有较多应用。同时，文中分析的并联耦合模式理论对今后的列阵或者面阵的外腔耦合具有一定的指导作用。本文以促进大功率半导体激光器在材料加工中的直接应用为背景，以提高大功率半导体激光列阵光束质量为主要研究对象，针对目前大功率半导体激光列阵的发光
48、单元数目多，互相之间无直接光电联系，列阵整体光束质量差的问题，采用了光纤相干耦合外腔、体全息光栅外腔和激光束偏振耦合这三种方法提高半导体激光列阵的光束质量。对各种方法分别进行了理论和实验分析，并讨论了其在实际应用中的可行性问题。 大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离的，提高光束质量的方法有相干耦合和非相干耦合两种方法。目前的外腔锁相技术，通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜或光栅、位相共轭镜等形成外腔，利用光辐射在外腔中传播时的衍射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔反馈镜反射回半导体激光器有源区时，由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但现有外腔锁相相干耦合技术
49、只能保证相邻发光单元之间有耦合，并不能在所有发光单元之间形成强的耦合。本文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔锁相，即光纤耦合半导体激光外腔锁相。在半导体激光阵列外腔中，利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点，使发光单元呈二维排列。这样，外腔中参加锁相的相邻单元数目增多，同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题，光纤可以紧密排列，发光单元的填充因子增加，有利于形成并联耦合，提高外腔中的相干程度。采用光纤耦合外腔的方法在半导体激光列阵发光单元间实现了锁相输出，锁相前列阵光谱宽度 26nm，锁相后光谱宽度 023nm，提高了列阵整体的相干性，输出光束的光强得到提高。光纤耦合外腔中，列阵作为一个整体运行于统一的超模。本文中确定了耦合系数矩阵，分析了列阵各阶超模的模式增益、近场分布和远场分布。分析了光纤外腔正向和反向功率传输情况，求得了耦合效率。根据主要功率损失原因提出了改进方案。 体全息光栅外腔不改变列阵发光单元的排列方式，发光单元之间的耦合较弱，但
