1、微电子学与固体电子学专业优秀论文 单光子源低密度 InAs 量子点的制备关键词：低密度量子点 InAs 量子点 分子束外延 自组织 光致荧光谱 单光子源摘要：近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，
2、制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在 1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。正文内容近年来，随着制备高质量自
3、组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在 1300nm 以上。 2)研究
4、了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区
5、谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)
6、采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速
7、率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子
8、点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长
9、在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度
10、长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发
11、光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自
12、组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实
13、了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具
14、有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文
15、利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖
16、层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生
17、长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的
18、单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引起人们的兴趣。本文利用分子束外延设备成功制备出了低密度长波长 InAs 量子点，并对其微区谱进行了测试，为最终实现适合光纤通信的固态单光子源打下坚实的基础。主要研究内容和成果如下： 1)通过优化分子束外延生长条件，我们成功制备了低密度长波长自组织 InAs 量子点。结合低生长速率(0001ML/s)和合适的生长温度，制备密度仅为 05dots/m2 的低密度 InAs 量子点。光致荧光谱测试
19、表明制备的低密度 InAs 量子点具有良好的发光特性，在室温下的发光波长在1300nm 以上。 2)研究了低密度量子点生长期间 InAs 的解吸附问题。通过生长后的原位退火可以获得成熟的 InAs 量子点。具有 GaAs 盖层的低密度 InAs 量子点其光致发光谱可以达到 13324nm。 3)采用高温快速退火使量子点波长蓝移至 1m 以内，对其进行微区光致发光谱的测试，其谱线半宽为 150eV，与理论预测的单个量子点发光峰半高宽基本吻合，证实了 77K 温度下未经刻蚀的单个量子点的发光。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件
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