1、材料加工工程专业优秀论文 低维 ZnO 的制备与表征关键词：氧化锌 低维材料 溶胶凝胶法 Mg 掺杂 水热法 形貌控制摘要：氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射
2、线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO 粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H
3、2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。 （4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400 的加入量
4、为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。正文内容氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫
5、外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO 粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为
6、原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。 （4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400 的加入量为 20ml（体积分
7、数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis
8、）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG40
9、0）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 Zn
10、O 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米
11、粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状
12、和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的
13、棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下
14、： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通
15、过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种
16、重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法
17、制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机
18、制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，
19、具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO
20、纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn
21、2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的
22、带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 Mgx
23、Zn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，
24、合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结
25、合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表
26、明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为
27、平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 Zn
28、O 表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素
29、。在合适的制备条件下，可以得到大小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m
30、左右，且中间有明显的台阶，部分样品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。氧化锌（ZnO）是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料，具有六方纤锌矿晶体结构，室温下的带隙宽度约为 337eV，激子结合能高达 60meV。低维 ZnO 表现出与体材料明显不同的电学
31、、磁学、光学等性质，这些性质与材料的组成、尺寸大小以及结构和形貌密不可分。ZnO 低维材料由于在光电子器件和传感器等方面的广阔的应用前景，正受到人们的广泛关注。 本文主要利用改进的溶胶-凝胶法和水热法制备出了具有各种形貌的 ZnO 低维材料。运用各种表征和测试技术例如扫描电镜（SEM） 、X 射线衍射（XRD） 、紫外-可见吸收（UV-Vis）对所制备的 ZnO 纳米/微米粉体进行了分析研究。研究结果如下： （1）利用改进的溶胶-凝胶法制备出了具有球形形貌的 ZnO 纳米粉体及 Mg 掺杂的 MgxZn1-xO粉体材料。研究结果表明，煅烧温度是材料合成的关键因素。在合适的制备条件下，可以得到大
32、小在 50nm 左右，形貌规整，表面圆滑的球形 ZnO。 （2）该方法工艺简单，周期短，易于 Mg 元素的掺杂，掺杂成分在固溶度范围内能很好的固溶于 ZnO 基体；紫外-可见吸收光谱分析表明，随 Mg 元素掺杂量的增加，ZnO 晶体的禁带宽度变大。 （3）通过水热法，以醋酸锌（Zn（Ac）22H2O）和不同矿化剂为原料，以聚乙二醇（PEG400）为形貌控制剂合成了柱状、棒状和竹节状的 ZnO 低维结构；通过不同因素的考察，分析了其生长机制。（4）研究表明：1）当 Zn2+浓度为 013molL 时，合成了竹节状的微米结构，其端面为平整六边形，整体高度在 10m 左右，且中间有明显的台阶，部分样
33、品的端面还有棱台。2）观察到了竹节状产物的前身形态，表明时间不会影响到形貌的变化，但时间较短，结晶不完整。3）添加不同的矿化剂及不同浓度时，会明显改变 ZnO 的极性生长，在碱性较弱时，生成柱状和直径较大的棒状结构，碱性增强时，产物的长径比增大，并且结晶趋于完整。4）当 PEG400的加入量为 20ml（体积分数为 2667）时，促进了 ZnO 的极性生长，形成长径比较大的棒状产物。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们
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