bifeo,3-srbi,2nb,2o,9铁电薄膜的三阶非线性光学与光致发光性能的研究.doc-道客多多

2、、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.

3、0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。正文内容以 xBiFeO

4、lt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结

5、果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;

6、esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN

7、薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;

8、(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰

9、强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z

10、-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;

11、-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)S

12、rBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄

13、膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3

14、)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.

15、1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt

16、;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属

17、 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱

18、仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;

19、#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt

20、;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎

21、一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#

22、39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用

23、X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，I

24、mXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9

25、SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能

26、和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.08

27、10lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。以 xBiFeOlt;,3gt;-(1-x)SrBilt;,2gt;Nblt;,2gt;Olt;,9gt;

28、(以下简称 xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN 薄膜，其中 x 分别取 0.1，0.2 和 0.3。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X 射线荧光光谱仪(XRF)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术研究薄膜的结构、表面形貌等；采用 Z-scan 技术和分子荧光光谱仪等研究了薄膜的非线性光学性能和光致发光性能。并讨论了沉积气压对薄膜结晶性的影响以及基片温度、退火温度、掺杂 Cu 对薄膜光致发光性能的影响。实验结果表明 5Pa 气压下沉积的薄膜结晶性较好，其组分与靶材几乎一致，且薄膜晶粒排列也比较致密

29、，表面平整度较好；利用 Z 扫描结果计算出不同组分的三阶非线性极化率的实部和虚部分别为：x=0.1，ReXlt;#39;(3)gt;=3.7810lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0210lt;#39;-9gt;esu；当x=0.2，ReXlt;#39;(3)gt;=1.0710lt;#39;-9gt;esu，ImXlt;#39;(3)gt;=1.0810lt;#39;-9gt;esu；x=0.3，ReXlt;#39;(3)gt;=9.4610lt;#39;-10gt;esuImXlt;#39;(3)gt;=2.6410lt;#39;-10gt;esu；光

30、致发光谱表明随着基片温度的升高，0.1BF-0.9SBN 薄膜的荧光峰强度逐渐降低，而随着退火温度的升高，该薄膜的荧光峰强度则先增强后降低；在掺入金属 Cu 后，0.1BF-0.9SBN 薄膜 470nm 附近的荧光峰强度有所增强，并且在 370nm 附近出现了一个较明显的发光峰位。特别提醒：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们还可提供代笔服务，价格优惠，服务周到，包您通过。“垐垯櫃换烫梯葺铑?endstreamendobj2

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