1、CMOS逻辑门的延时特性44.4.1 本征延时尺寸系数尺寸系数S：逻辑门晶体管尺寸（W/L）相对于单位尺寸（具有与参考反相器相同的驱动能力）的比例。mm mmmm mmmm=驱动能力相等=驱动能力相等本征延时的性质0intint0 int int int0.691/ ,0.69 0.69 0.69peqeqequpeq uequutRCRSCSRtRC SC RCS= = 给定逻辑门的本征延时是一个常数，不随逻辑门的尺寸而改变。增大逻辑门的尺寸在减小驱动电阻的同时却增大了本征电容，因此不能减小逻辑门的本征延时。a7幻灯片 4a7 相同类型逻辑门的各个晶体管间的尺寸比例是固定的，改变逻辑门尺寸时
2、往往同时等比例的放大/缩小，因此，引入尺寸系数S。adm, 2011/12/13不同逻辑门的本征延时本征延时由单位尺寸时逻辑门的输出电阻和本征电容决定。不同逻辑门的本征延时不同。tp0=0.69Ru3Cutp0=0.69Ru6Cutp0=0.69Ru6CuRu：单位尺寸 NMOS的导通电阻Cu：单位尺寸 MOS管的本征电容归一化本征延时（ p）意义：归一化后消除了工艺因素的影响（与 RuCu的具体数值无关，仅反映逻辑门结构的因素）计算： 相同驱动能力下的本征电容之比。0intpgate eqp inv eqinv invtRCtRCp =不同逻辑门的归一化本征延时p=1p=0.69Ru6Cu/(0.69Ru3Cu)=2p=0.69Ru6Cu/(0.69Ru3Cu)=2p的计算p=1p=6/3=2 p=6/3=2等效输出电阻相同参考反相器a31幻灯片 8a31 一般为最小尺寸反相器adm, 2011/10/11
