3.11 绝缘物上硅,3.11.1 SOI和SOS SOI：单晶硅薄层-绝缘层-衬底 SOS：单晶硅薄层-蓝宝石（绝缘层-衬底）宝石具有硬度高（大于7）、导热性好的优点，是区别宝石和一般矿石的手段。,3.11.2注氧隔离技术（SIMOX）,工艺技术： 工艺参数：杂质的种类、所需的杂质注入浓度和杂质的注入深度。 杂质源：固态的磷、砷和气态的氢化磷、氢化砷及三氟化硼等。 主要的变量：弧光反应室的工作电压与电流，弧光反应室的热灯丝电流量，离子分离的装置分离电压，质量分析器的磁场强度，加速器的加速电压，扫描装置的扫描方式与次数上的控制。,利用氧离子对晶片进行深注入，以便在晶片的表面硅与主材质（Bulk）之间，制作一层用来作为隔离之用的绝缘层-SiO2。用SOI（绝缘层上的硅）称这种晶片和工艺。这种工艺需要高能量离子注入。,
