1、场效应晶体管 场效应管的特点 绝缘栅场效应管 结型场效应管 第四节 一 二 三 第一章 本节要点 第四节场效应晶体管 分类 绝缘栅场效应管 结型场效应管 第四节 场效应晶体管简称场效应管 用FET来表示 FieldEffectTransistor 分增强型和耗尽型两类 各类又分NMOS和PMOS两种 增强型N沟道示意图 耗尽型N沟道示意图 一 绝缘栅场效应管IGFET MOS 一 N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 第四节 P衬底 N N SGD UGS UDS B ID 耗尽区 反型层 工作状态示意图 1 工作原理 绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄 从而控制漏 源极间电流的
2、大小 第四节 2 特性曲线与电流方程 1 输出特性 输出特性是指uGS为一固定值时 iD与uDS之间的关系 即 输出特性分为三个区 第四节 可变电阻区 非饱和区 区对应预夹断前 uGS UGS th uDS很小 uGD UGS th 的情况 若uGS不变 沟道电阻rDS不变 iD随uDS的增大而线性上升 特点 uGS变大 rDS变小 看作由电压uGS控制的可变电阻 N沟道增强型MOS管的输出特性 第四节 特点 恒流区 饱和区 区对应预夹断后 uGS UGS th uDS很大 uGD UGS th 的情况 iD只受uGS控制 若uGS不变 随着uDS的增大 iD几乎不变 预夹断轨迹方程为 第四节
3、 截止区 该区对应于uGS UGS th 的情况 由于没有感生沟道 故电流iD 0 管子处于截止状态 第四节 2 转移特性 转移特性是指uDS为固定值时 iD与uGS之间的关系 即 UGS th 第四节 2 转移特性 特点 当FET工作在恒流区 不同uDS的转移特性曲线基本接近 转移特性曲线方程 UGS th 第四节 二 N沟道耗尽型MOS管 1 工作原理 VDD N沟道 结构示意图 SiO2绝缘层中掺入大量的正离子 P衬底表面已经出现反型层 存在导电沟道 在uGS 0时 第四节 二 N沟道耗尽型MOS管 1 工作原理 VDD N沟道 结构示意图 当uGS 0时 感生沟道加宽 iD增大 感生沟
4、道变窄 iD减小 当uGS达到某一负电压值UGS off 时 抵消了由正离子产生的电场 导电沟道消失 iD 0 UGS off 称为夹断电压 当uGS 0时 第四节 输出特性 转移特性 2 特性曲线 第四节 2 特性曲线 预夹断轨迹方程 转移特性曲线方程 其中IDSS是uGS 0时的iD值 称为零偏漏级电流 也称饱和漏极电流 第四节 二 结型场效应管 JFET JunctionFieldEffectTransistor 两个P 区中间的N型半导体 在加上正向uDS电压时就有电流流过 故称为N沟道 N沟道结型场效应管结构示意图 第四节 当uGS 0时 就有导电沟道存在 故而这种管子也属于耗尽型场
5、效应管 符号 N沟道结型场效应管 电路图 第四节 改变uGS的大小 就可以改变沟道宽窄 即改变沟道的电阻 从而控制iD的大小 这与绝缘栅场效应管是一样的 uGS UP uGS对导电沟道的影响 栅源级间加反向电压 令UP UGS off 第四节 漏级电位最高 PN结最宽 源级电位最低 PN结最窄 uGD UP uGD UP uGD UP uDS对导电沟道的影响 随着uDS增大 PN结加宽 将产生预夹断 UP uGS 0 漏源级间加正向电压 uDS再增大 夹断区向下发展 第四节 uGS V iD mA 0 uDS 10V UGS off N沟道结型场效应管的输出特性和转移特性 如果N沟道结型管的u
6、GS 0 则两个PN结是正向偏置 将会产生很大的栅极电流 有可能损坏管子 IDSS 4 1 2 3 4 特性曲线 第四节 三 N沟道增强型MOS管的主要参数 主要参数 直流参数 交流参数 极限参数 第四节 1 直流参数 2 直流输入电阻RGS 1 开启电压UGS th 在衬底表面感生出导电沟道所需的栅源电压 实际上是在规定的uDS条件下 增大uGS 当iD达到规定的数值时所需要的uGS值 在uDS 0的条件下 栅极与源极之间加一定直流电压时 栅源极间的直流电阻 RGS的值很大 一般大于 增强型MOS管 第四节 实际测量时 是在规定的uDS条件下 使iD减小到规定的微小值时所需的uGS值 3 夹
7、断电压UGS off 是指导电沟道完全夹断时所需的栅源电压 耗尽型MOS管 第四节 该电流为uDS在恒流区范围内 且uGS 0v时的iD值 亦称饱和漏极电流 4 零偏漏极电流IDSS 它反映了零栅压时原始沟道的导电能力 耗尽型MOS管 第四节 2 交流参数 定义 当uDS一定时 漏极电流变化量与引起这一变化的栅源电压变化量之比 即 gm相当于转移特性的斜率 反映了场效应管的放大能力 它可以从输出特性上求出 或根据转移特性的表达式求导数得到 1 跨导gm 第四节 2 交流参数 栅 源极间电容Cgs和栅 漏极间电容Cgd 它影响高频性能的交流参数 应越小越好 第四节 2 极间电容 3 极限参数 是
8、指场效应管工作时 允许的最大漏极电流 是指管子允许的最大耗散功率 相当于双极型晶体管的PCM 1 漏极最大允许电流IDM 2 漏极最大耗散功率PDM 在输出特性上画出临界最大功耗线 第四节 是指在uDS 0时 栅源极间绝缘层发生击穿 产生很大的短路电流所需的uGS值 击穿将会损坏管子 是指在uDS增大时 使iD开始急剧增加的uDS值 3 栅源极间击穿电压U BR GS 4 漏源极间击穿电压U BR DS 极限参数 U BR DS 此时不仅产生沟道中的电子参与导电 空间电荷区也发生击穿 使电流增大 第四节 四 场效应管的特点 场效应管与双极型晶体管相比 场效应管中 导电过程是多数载流子的漂移运动
9、 故称为单极型晶体管 双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动 场效应管是通过栅极电压uGS来控制漏极电流iD 称为电压控制器件 双极型晶体管是利用基极电流iB 或射极电流iE 来控制集电极电流iC 称为电流控制器件 第四节 场效应管的输入电阻很大 晶体管的输入电阻较小 第四节 特点 场效应管的跨导gm的值较小 双极型晶体管的 值很大 在同等条件下 场效应管的放大能力不如晶体管高 结型场效应管的漏极和源极可以互换使用 MOS管如果衬底没有和源极接在一起 也可将d s极互换使用 双级型晶体管的c和e极互换则称为倒置工作状态 此时 将变得非常小 6 场效应管可作为压控电阻使用 特点 第四
10、节 7 场效应管是依靠多子导电 因此具有较好的温度稳定性 抗辐射性和较低的噪声 由图可见 不同温度下的转移特性的交点Q 即工作点 的ID UDS几乎不受温度影响 晶体管的温度稳定性差 抗辐射及噪声能力也较低 Q 125 25 T 55 iD mA uGS V uDS 10V 特点 第四节 本节要点 场效应管是利用栅 源极外加电压uGS产生的电场效应来改变导电通道的宽窄 从而控制漏 源极间电流iD的大小 可将iD看作由电压uGS控制的电流源 场效应管有截止区 恒流区和可变电阻区三个工作区域 它的主要参数有gm UGS th 或UGS off IDSS IDM U BR DS PDM和极间电容 第
11、四节 1 N沟道增强型MOS管 UGS th 输出特性 转移特性 第四节 输出特性 转移特性 iD mA 0 1 2 3 4 5 1 2 3 2 4 6 8 10 12 uGS V UGS off IDSS uDS 10V 2 N沟道耗尽型MOS管 第四节 3 N沟道结型场效应管 uGS V iD mA 0 uDS 10V UGS off IDSS 4 1 2 3 4 第四节 输出特性 转移特性 本章小结 本章首先介绍了半导体的基础知识 然后阐述了半导体二极管 双极型晶体管 BJT 和场效应管 FET 的工作原理 特性曲线和主要参数 第一章 一 PN结 在本征半导体中掺入不同杂质就形成N型半导
12、体与P型半导体 控制掺入杂质的多少就可有效地改变其导电性 从而实现导电性能的可控性 1 杂质半导体 第一章 载流子有两种有序的运动 因浓度差而产生的运动称为扩散运动 因电位差而产生的运动称为漂移运动 半导体有两种载流子 自由电子和空穴 将两种杂质半导体制作在同一个硅片 或锗片 上 在它们的交界面处 扩散运动和漂移运动达到动态平衡 从而形成PN结 正确理解PN结单向导电性 反向击穿特性 温度特性和电容效应 有利于了解半导体二极管 晶体管和场效应管等电子器件的特性和参数 2 PN结 第一章 二 半导体二极管 一个PN结经封装并引出电极后就构成二极管 二极管加正向电压时 产生扩散电流 电流和电压成指
13、数关系 加反向电压时 产生漂移电流 其数值很小 体现出单向导电性 特殊二极管与普通二极管一样 具有单向导电性 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管 IF IR UR和fM是二极管的主要参数 第一章 三 晶体管 晶体管具有电流放大作用 当发射结正向偏置而集电结反向偏置时 从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合 形成基极电流 而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流iC 体现出iB 或iE uBE 对iC的控制作用 此时 可将iC看作为电流iB控制的电流源 第一章 三 晶体管 晶体管的输入特性和输出特性表明各级之间电流与电压的关系 ICBO ICEO ICM U BR CE
14、O PCM和fM是它的主要参数 晶体管有截止 放大 饱和三个工作区域 学习时应特别注意使管子在不同工作区的外部条件 第一章 四 场效应管 场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型 每种类型均分为两种不同的沟道 N沟道和P沟道 而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式 场效应管工作在恒流区时 利用栅 源之间外加电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄 从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流iD 此时 可将iD看作由电压uGS控制的电流源 转移特性曲线描述了这种控制关系 第一章 四 场效应管 gm UT或UP IDSS IDM U BR DS PDM和极间电容是它的主要参数 和晶体管类似 场效应管有截止区 恒流区和可变电阻区三个工作区域 第一章
