1、可编程器件1.概述可编程逻辑器件 英文全称为：programmable logic device 即 PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的，他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高，足以满足设计一般的数字系统的需要。PLD与一般数字芯片不同的是：PLD内部的数字电路可以在出厂后才规划决定，有些类型的PLD也允许在规划决定后再次进行变更、改变，而一般数字芯片在出厂前就已经决定其内部电路，无法在出厂后再次改变，事实上一般的模拟芯片、混讯芯片也都一样，都是在出厂后就无法再对其内部电路进行调修。70年代：出现只读存储器PROM (Programmable Read only
2、 Memory)，可编程逻辑阵列器件PLA (Programmale Logic Array)70年代末：AMD推出了可编程阵列逻辑PAL (Programmable Array Logic)80年代：Lattice公司推出了通用阵列逻辑GAL ( Generic Array Logic)80年代中：Xilinx公司推出了现场可编程门阵列FPGA (Field Programmable GateArray )。Altera公司推出了可擦除的可变成逻辑器件EPLD (Erase Programmable LogicDevice)，集成度高，设计灵活，可多次反复编程90年代初：Lattice公司又
3、推出了在系统可编程概念ISP及其在系统可编程大规模集成器件ispLSI)现以Xilinx、Altera、Lattice为主要厂商，生产的FPGA单片可达上千万门、速度可实现550MHz，采用65nm甚至更高的光刻技术。2可编程器件技术参数可编程逻辑器件FPGA的参数spartan3E XC3S500E 芯片上标识含义 XC3S500E FGG320DGQ070 A1439696A1 4C KOREA (1C3S是spartan的代号,XC3S500E 表示器件型号 (2)500表示500k，是系统门的数目通俗地讲就50万门系统门500K等效LC为10476 (3)E 为表示spartan3的辅
4、助型号（并不是它的升级版 (4) FG G 320 D G Q 0705 封装 无沿 引脚 版本 制造代码 加工代码 日期代码 A1439696A1表示批号 (5)4C中表示的速度等级 (6)4C中C表示工作温度范围为商业级工作温度范围：C为0-85I -40-+100度FPGA/CPLD生产商 3 PLC的工作原理 最初研制生产的 PLC主要用于代替传统的由继电器接触器构成的控制装置，但这两者的运行方式是不相同的： (1)继电器控制装置采用硬逻辑并行运行的方式，即如果这个继电器的线圈通电或断电，该继电器所有的触点（包括其常开或常闭触点）在继电器控制线路的哪个位置上都会立即同时动作。 (2)P
5、LC的CPU则采用顺序逻辑扫描用户程序的运行方式，即如果一个输出线圈或逻辑线圈被接通或断开，该线圈的所有触点(包括其常开或常闭触点)不会立即动作，必须等扫描到该触点时才会动作。 为了消除二者之间由于运行方式不同而造成的差异，考虑到继电器控制装置各类触点的动作时间一般在 100ms以上，而PLC扫描用户程序的时间一般均小于100ms，因此，PLC采用了一种不同于一般微型计算机的运行方式-扫描技术。这样在对于I/O响应要求不高的场合，PLC与继电器控制装置的处理结果上就没有什么区别了。 1、扫描技术 当 PLC投入运行后，其工作过程一般分为三个阶段，即输入采样、用户程序执行和输出刷新三个阶段。完成
6、上述三个阶段称作一个扫描周期。在整个运行期间，PLC的CPU以一定的扫描速度重复执行上述三个阶段。 (1)输入采样阶段 在输入采样阶段， PLC以扫描方式依次地读入所有输入状态和数据，并将它们存入I/O映象区中的相应得单元内。输入采样结束后，转入用户程序执行和输出刷新阶段。在这两个阶段中，即使输入状态和数据发生变化，I/O映象区中的相应单元的状态和数据也不会改变。因此，如果输入是脉冲信号，则该脉冲信号的宽度必须大于一个扫描周期，才能保证在任何情况下，该输入均能被读入。 (2)用户程序执行阶段 在用户程序执行阶段， PLC总是按由上而下的顺序依次地扫描用户程序(梯形图)。在扫描每一条梯形图时，又
7、总是先扫描梯形图左边的由各触点构成的控制线路，并按先左后右、先上后下的顺序对由触点构成的控制线路进行逻辑运算，然后根据逻辑运算的结果，刷新该逻辑线圈在系统RAM存储区中对应位的状态；或者刷新该输出线圈在I/O映象区中对应位的状态；或者确定是否要执行该梯形图所规定的特殊功能指令。即，在用户程序执行过程中，只有输入点在I/O映象区内的状态和数据不会发生变化，而其他输出点和软设备在I/O映象区或系统RAM存储区内的状态和数据都有可能发生变化，而且排在上面的梯形图，其程序执行结果会对排在下面的凡是用到这些线圈或数据的梯形图起作用；相反，排在下面的梯形图，其被刷新的逻辑线圈的状态或数据只能到下一个扫描周
8、期才能对排在其上面的程序起作用。 (3)输出刷新阶段 当扫描用户程序结束后， PLC就进入输出刷新阶段。在此期间，CPU按照I/O映象区内对应的状态和数据刷新所有的输出锁存电路，再经输出电路驱动相应的外设。这时，才是PLC的真正输出。 同样的若干条梯形图，其排列次序不同，执行的结果也不同。另外，采用扫描用户程序的运行结果与继电器控制装置的硬逻辑并行运行的结果有所区别。当然，如果扫描周期所占用的时间对整个运行来说可以忽略，那么二者之间就没有什么区别了。 一般来说， PLC的扫描周期包括自诊断、通讯等，即一个扫描周期等于自诊断、通讯、输入采样、用户程序执行、输出刷新等所有时间的总和。 2、PLC的
9、I/O响应时间 为了增强 PLC的抗干扰能力，提高其可靠性，PLC的每个开关量输入端都采用光电隔离等技术。 为了能实现继电器控制线路的硬逻辑并行控制， PLC采用了不同于一般微型计算机的运行方式（扫描技术）。 以上两个主要原因，使得 PLC得I/O响应比一般微型计算机构成的工业控制系统满的多，其响应时间至少等于一个扫描周期，一般均大于一个扫描周期甚至更长。 所谓 I/O响应时间指从PLC的某一输入信号变化开始到系统有关输出端信号的改变所需的时间。以上是一般的 PLC的工作原理，但在现代出现的比较先进的PLC中，输入映像刷新循环、程序执行循环和输出映像刷新循环已经各自独立的工作，提高了PLC的执
10、行效率。在实际的工控应用之中，编程人员应当知道以上的工作原理，才能编写出质量好、效率高的工艺程序 4 使用方法 存储器 1 概述存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。 存储器(16张)存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。存储器
11、：存放程序和数据的器件存储位：存放一个二进制数位的存储单元，是存储器最小的存储单位，或称记忆单元存储字：一个数（n位二进制位）作为一个整体存入或取出时，称存储字存储单元：存放一个存储字的若干个记忆单元组成一个存储单元存储体：大量存储单元的集合组成存储体存储单元地址：存储单元的编号字编址：对存储单元按字编址字节编址：对存储单元按字节编址寻址：由地址寻找数据，从对应地址的存储单元中访存数据。2 技术参数 一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存
12、)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。 二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。 三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。 四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三
13、项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标。 3 工作原理动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片工作原理地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将
14、地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔112s产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道
15、的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。只读存贮器（ROM）有多种类型。由于EPROM和EEPROM存贮容量大，可多次擦除后重新对它进行编程而写入新的内容，使用十分方便。尤其是厂家为用户提供了单独地擦除器、编程器或插在各种微型机上的编程卡，大大方便了用户。因此，这种类型的只读存贮器得到了极其广泛的应用。7. RAM的工作时序 为保证存储器准确无误地工作，加到存储器上的地址、数据和控制信号必须遵守几个时间边界条件。 图7.13示出了RAM读出过程的定时关系。读出操作过程如下： 欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端； 加入有效的选片信号CS；
16、在 线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容出现在I/O端； 让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。 由于地址缓冲器、译码器及输入/输出电路存在延时，在地址信号加到存储器上之后，必须等待一段时间tAA，数据才能稳定地传输到数据输出端，这段时间称为地址存取时间。如果在RAM的地址输入端已经有稳定地址的条件下，加入选片信号，从选片信号有效到数据稳定输出，这段时间间隔记为tACS。显然在进行存储器读操作时，只有在地址和选片信号加入，且分别等待tAA和tACS以后，被读单元的内容才能稳定地出现在数据输出端，这两个条件必须同时满足。图中tRC为读周期，他表示该芯片连续进行两次读操
17、作必须的时间间隔。 写操作的定时波形如图7.14所示。写操作过程如下： 将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； 在选片信号CS端加上有效电平，使RAM选通； 将待写入的数据加到数据输入端； 在 线上加入低电平，进入写工作状态； 使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。 由于地址改变时，新地址的稳定需要经过一段时间，如果在这段时间内加入写控制信号（即 变低），就可能将数据错误地写入其他单元。为防止这种情况出现，在写控制信号有效前，地址必须稳定一段时间tAS，这段时间称为地址建立时间。同时在写信号失效后，地址信号至少还要维持一段写恢复时间tWR。为了保证速度最慢的存储器芯片的写入，写信号有效的
18、时间不得小于写脉冲宽度tWP。此外，对于写入的数据，应在写信号tDW时间内保持稳定，且在写信号失效后继续保持tDH时间。在时序图中还给出了写周期tWC，它反应了连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。对大多数静态半导体存储器来说，读周期和写周期是相等的，一般为十几到几十ns。 ddr一个时钟周期内穿2次数据 ddr2一个时钟周期传4次 所以相同频率下ddr2的带宽是ddr的2倍4使用方法随着CPU速度的迅速提高，CPU与片外存储器的速度差异越来越大，匹配CPU与外部存储器的方法通常是采用Cache或者片上存储器。微处理器中的片上存储器结构通常包含指令Cache、数据Cache或者片上存储器。对
19、于嵌入式设备上数据密集的应用，数据Cache与片上存储器相比存在以下缺陷：片上存储器是固定的单周期访问，可在设计时(不是运行时)研究数据访问模式；而Cache还要考虑不命中的情况，因而有可变的数据访问时间，执行时间的预测更加困难。使用Cache执行时间的不可预测性影响编译器的优化。细颗粒的Cache对于图像编码等的规则数据访问并不合适，因而使用Cache对于嵌入式设备可能不是最优的。对于大多数应用，使用片上存储器比使用数据Cache能耗平均节省约40，芯片面积与时间的乘积仅为Cache的46，因而对于嵌入式多媒体处理器，片上RAM作为数据Cache的替代，功耗更低。片上存储器的有效使用对于提高
20、嵌入式应用的速度、降低功耗具有重要的意义。TMS320C55x(简称为“C55x”)具有极低的功耗(005 mWMIPS)，非常适合手持设备，现在已经集成至TT公司专门针对3G手机的高性能多媒体处理器上。C55x片上除了24 KB的指令Cache外，还有64 KB的双端口存储器(DARAM)和96 KB的单端口存储器(SARAM)。DARAM和SARAM总共160 KB，分成20个块，每个块8 KB。本文以C55x上的视频编码器为例，讨论片上存储器的有效使用。 1 数据的片外、片上动态分配因为片上存储器比片外存储器具有更强的数据访问能力和更低的访问功耗，所以尽可能分配数据到片上存储器；未能分配
21、到片上的数据可在CPU处理前转移到片上；已经转移到片上的数据，应尽可能在片上保存，直到其生命期结束，以便尽可能减少数据从片外存储器到片上存储器的数据转移。在视频编码等应用中，标量、常数相对矩阵而言，通常数量较少，可以分配到片上。若分配到片外，则在运算时直接存取片外数据，CPU流水线将会停滞。直接存储器存取(DMA)可以在存储器之间、存储器与外设之间转移数据，除了DMA通道参数初始化以外，DMA转移数据和CPU处理数据可以并行进行。设置DMA通道参数需要一定的时间，用DMA来转移单个变量或常数的开销可能比直接存取更大，因此DMA适合转移具有较多数据的矩阵，并不适合片外标量的转移。包含大量元素的矩
22、阵可以分配到片外，处理前使用DMA转移到片上存储器。局部变量由编译器分配到软件栈上，C55x具有两个软件栈数据栈和系统栈。C55x的栈有3种工作模式，可设置成双16比特快返回模式，以减小栈所占的存储器空间，并提高其运行速度。数据栈和系统栈在函数调用及返回时同时访问，可将这两个栈分配到DARAM块或者不同的SARAM块内。本文中数据存储器的分配，强调从实际多媒体应用处理的基本数据块出发，分析简单、直观。多媒体算法总是将原始输入数据分成一定大小的块来处理，并产生对应该输入的最后输出。如果片上没有足够的存储器，则大量的输入数据和最后结果仅能存储在片外。对于元素较多的矩阵，可以根据算法特征，将矩阵分成
23、若干数据子块，如H263编码器中的宏块和搜索窗等，或者单纯根据可得到的片上存储器数最分成适当大小的子块逐个运算，然后分析数据子块的生命期和使用频率。这里定义数据子块的生命期为首次使用到最后一次使用之间的间隔，而通常变量的生命期为定义到最后使用之间的间隔。例如，定义整型数组int MB384，用来存储待编码宏块的数据，图像的某个宏块的数据在该宏块编码结束后，该宏块数据的生命期也就结束然后该数组用来存储下一宏块的数据，因而变量的生命期远比存储在该变量中的某一具体数据的生命期要长。若数据子块具有不相交的生命期，则可以共享相同的片上存储器。很多数据子块在运算中多次使用，可在首次运算前转移到片上，并尽可
24、能保存到生命期结束，即直到这些数据不再使用为止，因而这些数据仅需要一次转移。将程序执行时间看成是由很多连续的时间间隔组成的，若在下个时间间隔内需要转移新的数据到片上供CPU处理，而片上又没有足够的存储器存储这些数据，则这时将随后需要莲续频繁使用的数据保留到片上。对于随后较少使用的数据，若片外存储器还保存有该数据的备份，则这些数据可直接覆盖，等到下次使用时再从片外存储器拷贝到片上；否则，在覆盖前将数据转移到片外。在片上分配一定的缓冲区，用来存储需要再次使用的数据，可有效地减少片外存储器的访问。对于中间结果，尽量在使用前分阶段计算，使用后释放，以缩减存储中间结果的存储器需求。通过数据的这种动态分配
25、，既可以减小或避免访问片外慢速存储器所引起的指令延迟，又可以减少片外到片上的数据转移。在H.263视频编码器中，编码是按宏块顺序进行的。INTRA宏块编码不仅需要当前的编码宏块数据，还需要以当前宏块为中心的重建图像搜索窗。因此，根据算法特征将整帧输入图像划分成宏块，某个宏块数据在编码前转移到片上，这一宏块编码结来后就不再使用，这部分片上存储器就可释放，用来存储下一宏块数据。若在编码的同时采用DMA转移下一个宏块，则需要在片上分配两个宏块的存储器空间，用来存储编码的原始图像。在进行INTER帧的编码时，运动搜索需要使用前一帧的重建图像作为参考。设搜索范围为-16，+16，编码该宏块需要搜索参考图
26、像中以编码宏块位置为中心的9个宏块，即前一帧中宏块(x，y)的重建图像，直到编码(x+1，y+1)宏块后生命期才结束。以CIF分辨率为例，不可能把一帧图像的所有重建宏块保存到生命期结束，因而部分重建图像必须暂时存储在片外。若在编码(x-1，y-1)前将重建宏块(x，y)拷贝到片上并一直保存到编码(x+l，y+1)宏块结束，则只需要在片上分配将近3个GOB的空间用来存储参考图像，就可以保证每个宏块的重建图像数据只需要一次片外到片上的转移。半像素内插结果，用于在整像素运动搜索后作为半像素搜索的参考，因而可在整像素搜索后、半像素搜索前，围绕整像素运动矢量，对整像素运动矢量对应的匹配宏块进行内插。这样
27、就没有必要在编码INTER帧前将整帧图像进行内插，可显著减少存储内插结果的存储器数量，从而分配在片上。2 片上数据的存储器分配C55x除了读指令的地址、数据总线外，还有3条用于从存储器读操作数的地址、数据总线，2条写操作数到存储器的地址、数据总线。CPU在1个周期内可完成多个操作数的读写，由于每个DARAM块或SARAM块的访问能力有限，这些操作数位于适当的DARAM或SARAM块内，才能在单周期内完成多个数据的读入或者数据的同时读写，而不产生延迟。2.1 指令代码的分配应用程序的指令代码可以存储在片外存储器，通过指令Cache进行访问，可以减少CPU读指令代码与CPU读写片上存储器内数据的冲
28、突，同时将空余更多的片上存储器空间用于数据分配。若存储程序代码和数据所需的存储器容量总和小于片上存储器容量，那么将代码分配到片外存储器与代码数据全部分配到片上存储器相比，性能降低大约10。因此当代码和数据总和小于片上存储器容量时，应该全部分配到片上存储器。通常程序代码仅供CPU读取，并不修改；而数据经常需要同时读写，因而应尽量将代码存储在SARAM内，以便将访问能力更强的DARAM用来存储数据。在单个CPU周期内，SARAM仅有一次访问能力，同时读取指令和数据必然产生延迟，为了保证读取数据时不产生延迟，数据不能与访问这些数据的代码存储在同一SARAM块内。也就是说，当程序代码大小不是刚好整数个
29、块时，可通过调整代码或者数据的存储器分配，避免CPU读代码与读写数据发生冲突。22 数据分配前面已经讨论过变量和常数的分配，这里主要讨论的耗时较多的矩阵运算，通常口丁以用C语言或者汇编语言编写应用程序，C语言编译后可产生汇编代码。在汇编语言的代码中，找到处理矩阵操作数的指令，依次列举这些指令不产生延迟的矩阵分配限制，并求解满足这些限制条件的片上存储器分配。不产生延迟的约束条件可分成两类基本约束条件：两变量位于DARAM块内或者两变量位于不同的块内，记为条件A(这是由SARAM块或者DARAM块访问能力产生的限制)；两变量位于不同的块内，记为条件B(这是由CPU总线的特殊结构产生的限制)。其中条
30、件A中的两变量可在同一DARAM块内；或者不同的SARAM块内；或者一个变量在DARAM内，另一个在SARAM内。条件B指的是两变量在不同的DARAM块内；或者在不同的SARAM块内；或者一个变量在DARAM块内，另一个在SARAM块内。条件A可看成是两种条件的逻辑“或”关系：A=B Or C其中，条件C定义为两变量都位于DARAM块内。循环中的操作数一般表现为矩阵的一个元素，在一个应用程序中，通常有多个矩阵，矩阵中的元素应同时满足多个上述基本条件。当矩阵较多，限制条件复杂时。可以使用计算机求解数据存储器分配，以满足矩阵访问不产生延迟的条件。在这里，只需要求出满足条件的一个解，并不需要求出所有
31、可能的解，因而对求解问题做一定的简化。设x、y分别是矩阵X、Y的某一个元素，X、Y位于不同的块内是x、y位于不同的块内的充分条件；同样X、Y都位于DARAM内或者不同的块内是x、y都位于DARAM内或者不同的块内的充分条件。例如，X位于DARAM块，Y矩阵部分位于与X相同的DARAM内，其余位于SARAM内，也能使x、y满足条件A。例如：N个矩阵需要同时满足N1个A类条件和N2个B类条件。从每个A类条件中任选一个条件(B或者C)，最多有2N1个组合。每种组合与N2个B类条件联立求解，其中某些组合可能没有解，任意一个解都能满足不产生延迟的条件。这时任何一种组合中可能包含M(OMN1)个C类条件，
32、其余的为B类条件。C类条件是两个矩阵必须在DARAM块，将需要满足C类条件的所有矩阵存储器的大小相加，相同的矩阵不重复累加，结果为需要分配到DARAM的矩阵总数量。当结果超过可得到的片上DARAM数量时，这种条件组合下就没有解。每个B类条件要求某两个矩阵必须在不同的块内，由于存在多个B类条件，事实上可能要求多个矩阵相互不在同一个块内。例如，要求矩阵A1和A2不在同一块内，矩阵A3和A1不在同一块内，矩阵A3和A2不在同一块内，这实际上是要求A1、A2、A3相互不在同一块内。若有一组矩阵，其中任何两个矩阵都必须分配在不同的存储器块内，称为“B类约束矩阵组”。若不存在一个矩阵，要求与某个B类约束矩
33、阵组中的所有矩阵都存在B类约束关系，则称这个组为“最大B类约束矩阵组”。最大B类约束条件矩阵组中的矩阵数目就是分配这些矩阵所需的最少的存储器块数。把矩阵数最多的最大组中的各个矩阵分配到不同的存储器块中，然后按照B类约束矩阵组中矩阵数从多到少的顺序分配这个组中尚未分配的矩阵，对于具有相同矩阵数的组，则先分配未分配矩阵较少的B类约束矩阵组中的矩阵，若B类约束的矩阵同时存在C类限制，则分配到DARAM上；否则优先分配到SARAM上。若SARAM上没有足够的空间，再分配到DARAM上。最后在DARAM 上分配C类约束条件中的尚未分配的矩阵。 5仪器保养由于存储设备，都是要经常访问，所以类似真空保存，不
34、考虑在内。1 台式机硬盘：读写速度都很快，随机读取能力差一点。这里是指台式机内工作的。保养方法：由于台式硬盘使用频率最高，主要保养方法是改善工作环境（磁盘整理等都不能算作硬件上的保养），防止过冷和过热，保证工作温度在20-40度之间（硬盘温度，非环境，环境温度20-30之间）。相对湿度50%-80% 无凝结。洁净，避免吸烟等环境。保持良好的供电环境，电压波动最好能保证3%以下。纹波不大于 30mV。无震动，撞击小于10G，尽可能减少启停次数。避免磁场和大功率微波辐射。可靠保存期限受工作时间限制，总工作时间300000小时。2 笔记本硬盘：针对笔记本电脑中的。保养方法：改善工作环境，防止过冷和过
35、热，保证工作温度在10-50度之间（硬盘温度，非环境，环境温度15-30之间）。相对湿度50%-80% 无凝结。洁净，避免吸烟等环境。保持良好的供电环境，电压波动最好能保证5%以下。纹波不大于 30mV。无震动，撞击小于40G，尽可能减少工作时间。避免磁场和大功率微波辐射。可靠保存期限受工作时间限制，总工作时间300000小时以内。3移动硬盘：针对各种尺寸保养方法：移动硬盘相对其它用途而言主要是多了储藏。保证工作温度在10-50度之间（硬盘温度，非环境，环境温度10-35之间，确保工作时硬盘自己温度已经在内）。相对湿度60%-80% 无凝结。洁净，避免吸烟等环境。保持良好的供电环境，电压波动最
36、好能保证3%以下。纹波不大于 30mV。无震动，撞击小于40G，尽可能减少工作时间。储藏温度-20-55度，冲击小于200g ，相对湿度30%-90% 无凝结，避免静电。避免磁场和大功率微波辐射。可靠保存期限50年以上。4 sd卡、U盘、mp3等：该类主要使用nand flash为载体。保养方法：工作温度-10-60度基本没问题，相对湿度30%-80% 无凝结。基本上也不存在供电不足的问题。值得注意的是，由于工作特性，数据很难保存10年以上，建议每5年对数据进行读写操作，避免对同一区块频繁读写（坏块关系），避免强磁场、微波辐射、和大剂量x射线。保存温度-30-100度。5刻录光盘：cd和dvd的一次性刻录盘保养方法：尽可能避免光照，尤其是阳光直射（特别是中间玻璃也没有），干燥，低氧。温度0-30度，避免温度剧变，避免正反面划伤。注意：实验表明目前还没有一张光盘能保存在深埋地下，干燥无氧环境中保存30年的，所以实际中可靠保存也就在5年左右。5压制光盘：cd和dvd的压制盘包括rw保养方法：干燥，低氧。温度0-30度，避免温度剧变，避免正反面划伤。可靠保存期限10年。
