1、1存储器原理1.静态存储器：RAM(SRAM)特点：存储单元写入数据或程序以后，存储器中存储了有意义的信息。在掉电以前一直保存所存储的内容。静态存储器的内部结构静态存储器的内部结构如下图所示：参清周P140电路组成：T1、T2组成双稳态电路，通常T1饱和时T2截止或T1截止时T2饱和；T3、T4组成T1、T2的负载；为了作存储器使用，就要能控制是否被选中，则：T5、T6为行选门 控管，T7、T8为列选门控管，同时增加行地址线和列地址线，这样组成了存储器的一个单元。工作原理过程：写入过程：经译码，X线(行线)=“1”、Y线(列线)=“1”则T5、T6、T7、T8导通，即该单元被选中。数据自I/O
2、和-I/O端输入，若I/O=“1”，-I/O=“0”时，A与I/O接通，B与-I/O接通。即A=“1”，B=“0”使T2导通，T1截止。则相当于把输入的数据存储在T1和T2的栅极，其中T1存储“1”，T2存储“0”。若I/O=“0”，-I/O=“1”时，则A=“0”，B=“1”使T1导通，T2截止，相当于T1存储“0”，T2存储“1”。当数据线和地址选择线撤消以后，由T3、T4向T1、T2的栅极充电和T1、T2间的交2叉控制作用，使存储进去的数据，只要不掉电则始终保留在该存储器上。读出过程：经译码，X线(行线)=“1”、Y线(列线)=“1”则T5、T6、T7、T8导通，即该单元被选中。T2上存
3、储的数据经A点送到I/O。T1上存储的数据经B点送到-I/O。I/O和-I/O的输出加到一个差动放大器以判断其是“1”还是“0”，也可以只输出一个端到外部电路，以其有无电流通过而判断其所存储的数据。特点：一旦数据写入以后，利用双稳态电路特点，则存储器始终保留所写入的信息，除非掉电才可能丢失。2.动态存储器：RAM(DRAM)SRAM与DRAM的不同之处：经过一段时间后如不刷新，信息将会丢失。动态存储器的内部结构动态存储器的内部结构如下图所示： 参清周P141电路组成：T1、T2组成双稳态电路；T5、T6为行选门控管，T7、T8为列选门控管；T9、T10为预充管，T3、T4去掉。工作原理过程：写
4、入过程：经译码，X线(行线)=“1”，Y线(列线)=“1”，则T5、T6、T7、T8导通即该单元被选中。数据自I/O和-I/O输入，若I/O=“1”，-I/O=“0”时，则A=I/O=“1”，B=-3I/O=“0”即A=“1”，B=“0”使得T2管栅极电容存储“1”，T1管栅极电容存储“0”。若I/O=“0”，-I/O=“1”时则使T2管的栅极电容存储“0”，T1管的栅极电容存储“1”。当数据线和地址选择线撤消以后，T1、T2栅极电容存储的数据，在一定时间内(2ms)可以保留，由于电容的漏电流损耗，要求不断向T2、T1栅极电容充电，以保留其存储的信息。读出过程：读出操作前先给出预充信号，使T9
5、、T10导通，并向位线电容CD和-CD充电至电源电压。当X线(行线)=“1”、Y线(列线)=“1”时，T5、T6、T7、T8导通，则T1、T2的A、B向数据线输出数据。若原来A=“1”，B=“0”时，则电容C2上存储的电荷使T2导通，T1截止，则-CD上的预充电荷经T2泄漏使-CD=“0”而CD=“1”，数据通过I/O和-I/O输出即I/O=“1”，-I/O=“0”。 同时电容CD上的电荷又通过A点向C2充电使C2存储的信息得到保留，这个过程叫刷新即读出的过程也就是刷新的过程特点：一旦数据写入，则该存储器只能对所存的数据保留2ms时间，只有不断地对所存储的数据进行刷新，才能使所存储的数据长时间保留。刷新的过程也就是一次读出的过程。刷新过程(采取的方法)：定时刷新即读出反馈的方法。注意：刷新时的X线译码线参加译码选通，而Y线不用译码选通-数据不用输出给数据线。
