1、第二章 基本放大电路分析 P283,2.1 放大电路基本概念,1.管子: 场效应晶体管(“FET”) 双极型晶体管(“BJT”) 2.放大电路构成:,Amplifier,3.静态与动态:,“先静后动” “分步调试”,大信号模型,“分析”与“设计”,1.管子: 场效应晶体管(“FET”) 双极型晶体管(“BJT”) 2.放大电路构成:,小信号模型,“静态分析”(“直流分析”)与“动态分析”,“图解法”与 “估算法”(模型分析法),Amplifier,例: 共源极放大电路. 分析 iD , uDS .,1.3.4 NMOS应用( “图解法”分析),1.3 场效应晶体三极管(“FET”) 1.3.1
2、 绝缘栅场效应管(“IGFET”),1.3.3 场效应管的主要参数和特点,1.3.2 结型场效应管(“JFET”),参考 P58-60,复习举例,例:共源极放大电路. 分析 iD , uDS .,1.静态工作点( ui = 0V时) 输入静态点: iI = iGS = IGSQ = 0 mA uI = uGS = UGSQ = 4.5V 输出静态点: iO = iD = IDQ = ？ uO = uDS = UDSQ = ？,利用: iD = f(uDS) | uGS = 4.5V uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,1.3.4 NMOS应用
3、( “图解法”分析),1.静态工作点( ui = 0V时) 输入静态点: iI = iGS = IGSQ = 0 mA uI = uGS = UGSQ = 4.5V 输出静态点: iO = iD = IDQ = ？ uO = uDS = UDSQ = ？,利用: iD = f(uDS) | uGS = 4.5V uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6.0 8.2 10.4
4、15V A uDS (V) UDSQ VDD,1.静态工作点( ui = 0V时) 输入静态点: iI = iGS = IGSQ = 0 mA uI = uGS = UGSQ = 4.5V 输出静态点: iO = iD = IDQ = ？ uO = uDS = UDSQ = ？,利用: iD = f(uDS) | uGS = 4.5V uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6
5、.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,故 IDQ = 0.9 mA UDSQ = 8.2V,例:共源极放大电路. 分析 iD , uDS .,1.静态工作点( ui = 0V时) 输入静态点: iI = iGS = IGSQ = 0 mA uI = uGS = UGSQ = 4.5V 输出静态点: iO = iD = IDQ = ？ uO = uDS = UDSQ = ？,利用: iD = f(uDS) | uGS = 4.5V uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,1.3.4 NMOS应用( “图解法”分析),
6、故 IDQ = 0.9 mA UDSQ = 8.2V,例:共源极放大电路. 分析 iD , uDS .,2.动态分析( 令 ui = 0.5sin t (V) 时) 输入工作点: iI = iGS = 0 mA uI = uGS = UGSQ ui = 4.5 0.5sin t (V) 输出工作点: iO = iD = IDQ id = 0.9 id =？(mA) uO = uDS = UDSQ uds = 8.2 uds =？(V),利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,1.3.4 NMO
7、S应用( “图解法”分析),故 IDQ = 0.9 mA UDSQ = 8.2V,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,2.动态分析( 令 ui = 0.5sin t (V) 时) 输入工作点: iI = iGS = 0 mA uI = uGS = UGSQ ui = 4.5 0.5sin t (V) 输出工作点: iO = iD = IDQ id = 0.9 id =？(mA) uO =
8、uDS = UDSQ uds = 8.2 uds =？(V),利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,2.动态分析( 令 ui = 0.5sin t (V) 时) 输入工作点: iI = iGS = 0 mA uI = uGS = UGSQ ui = 4
9、.5 0.5sin t (V) 输出工作点: iO = iD = IDQ id = 0.9 id =？(mA) uO = uDS = UDSQ uds = 8.2 uds =？(V),利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,uGS = uI (V) 12V,iD (mA),t,t,t,1.2 mA 0.6 mA,2.2,0.3,0.5,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3
10、V 0.2 6.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,2.动态分析( 令 ui = 0.5sin t (V) 时) 输入工作点: iI = iGS = 0 mA uI = uGS = UGSQ ui = 4.5 0.5sin t (V) 输出工作点: iO = iD = IDQ id = 0.9 id = 0.9 0.3sin t (mA) uO = uDS = UDSQ uds = 8.2 uds = 8.2 2.2sin t (V),利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd V
11、DD /Rd,uGS = uI (V) 12V,iD (mA),t,t,t,1.2 mA 0.6 mA,2.2,0.3,0.5,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,2.动态分析( 令 ui = 0.5sin t (V) 时) 输入工作点: iI = iGS = 0 mA uI = uGS = UGSQ ui = 4.5 0.5sin t (V) 输出工作点: iO = iD = IDQ i
12、d = 0.9 id =？(mA) uO = uDS = UDSQ uds = 8.2 uds =？(V),利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,uGS = uI (V) 12V,iD (mA),t,t,t,1.2 mA 0.6 mA,2.2,0.3,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd = 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,
13、2.动态分析( 令 ui = 0.5sin t (V) 时) 输入工作点: iI = iGS = 0 mA uI = uGS = UGSQ ui = 4.5 0.5sin t (V),利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,uGS = uI (V) 12V,iD (mA),t,t,t,1.2 mA 0.6 mA,2.2,0.3,ui = 5sint (V) 时 大信号 非线性失真 截止区:缩顶, 可变电阻区:削顶 最大不失真输出幅度 Q中点,iD (mA) 12V 9.5V VDD /Rd =
14、 2 mA B 6V 5V IDQ = 0.9mA Q 4.5V = UGSQ 4V UGS(th) = 3V 0.2 6.0 8.2 10.4 15V A uDS (V) UDSQ VDD,3.电子开关 iI = iGS = 0 mA uI = uGS = 方波 时,利用: iD = f(uDS) | uGS = uI uO = uDS = VDD iD Rd 即 iD = uDS /Rd VDD /Rd,uGS = uI (V) 12V,iD (mA),t,t,t,1.2 mA 0.6 mA,2.2,0.3,反相器 电子开关,1.3 场效应晶体三极管(“FET”) 1.3.1 绝缘栅场效应
15、管(“IGFET”),例: 共源极放大电路. 分析 iD , uDS .,1.3.4 NMOS应用( “图解法”分析),1.3.3 场效应管的主要参数和特点,1.3.2 结型场效应管(“JFET”),参考 P58-60,反相器 电子开关,1.3 场效应晶体三极管(“FET”) 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”),例: 共源极放大电路. 分析 iD , uDS .,1.3.4 NMOS应用( “图解法”分析),1.3.3 场效应管的主要参数和特点,1.3.2 结型场效应管(“JFET”),参考 P58-60,15,7.5,d,s,g,反相器 电子开关,例: 共源极放大电路. 分析 iD
16、 , uDS .,1.3.4 NMOS应用( “图解法”分析),1.3 场效应晶体三极管(“FET”) 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”),1.3.3 场效应管的主要参数和特点,1.3.2 结型场效应管(“JFET”),参考 P58-60,3.静态与动态:,“先静后动” “分步调试”,大信号模型,“分析”与“设计”,1.管子: 场效应晶体管(“FET”) 双极型晶体管(“BJT”) 2.放大电路构成:,小信号模型,“静态分析”(“直流分析”)与“动态分析”,“图解法”与 “估算法”(模型分析法),Amplifier,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数),Uim,
17、Uom,Amplifier,开路电压增益：,负载开路( 即RL = )时的电压增益。,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数),Uim,Uom,Amplifier,电流增益 互阻增益 互导增益 功率增益,开路电压增益：,其它：,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri,Uom,Uim, ,Amplifier,低频小信号模型,看成一个电压控制电压源( VCVS ).,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri,Uom,Uim, ,Amplifier,1. 一般来说Ri 越大越好( 高阻入，低阻出的连接方式 ). Ri
18、 越大，Ii 就越小，从信号源索取的电流越小, 信号源电压 损失越小，输入电压越接近信号源电压. 2. 匹配: Ri = Rs 时,称 阻抗匹配 , 可实现 最大功率传输. 还有功率匹配, 传输线匹配, 电平匹配, 通信口间电气及物理特性匹配 等.,低频小信号模型,看成一个电压控制电压源( VCVS ).,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri 输出电阻Ro,Uo= UooIoRo,输出电阻Ro的确定：,分析电路时采用在输出端反加等效信号源的方法。,在实验室采用测量的方法。, ,低频小信号模型,开路短路法。,（电压源或电流源）,分析电路时采用在输出端反加等效信
19、号源的方法。,（电压源或电流源）,在实验室采用测量的方法。,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri 输出电阻Ro,Uo= UooIoRo,输出电阻Ro的确定：, ,低频小信号模型,Ro 越小，则放大电路的输出特性越接近恒压源特性， 带负载能力越强。Ro 的大小，反映了放大电路带负载的能力。 Ro 越大，则放大电路的输出特性越接近恒流源特性。,开路短路法。,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri 输出电阻Ro,Uim,Uom,us= Usmsin 2f t (V) ui= Uimsin 2f t (V) uo= Uomsin 2
20、f t (V),通频带,Amplifier,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri 输出电阻Ro 通频带 Au(f) 或Uom(f),Uim,Uom,us= Usmsin 2f t (V) ui= Uimsin 2f t (V) uo= Uomsin 2f t (V),Amplifier,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri 输出电阻Ro 通频带 Au(f) 或Uom(f),Uim,Uom,us= Usmsin 2f t (V) ui= Uimsin 2f t (V) uo= Uomsin 2f t (V),通频带：,Amp
21、lifier,线性失真,( 频率失真与相位失真 ）,“3dB带宽”,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻Ri 输出电阻Ro 通频带 Au(f) 或Uom(f) 最大不失真输出幅度,us= Usmsin 2f t (V) ui= Uimsin 2f t (V) uo= Uomsin 2f t (V),ui 大信号时 非线性失真 截止区:缩顶 截止失真 ( 对FET )可变电阻区:削顶 饱和失真 ( 对BJT ) 最大不失真输出幅度 Q中点,线性失真,Amplifier,( 频率失真与相位失真 ）,4.主要性能指标 (5个) (动态指标),增益(放大倍数) 输入电阻
22、Ri 输出电阻Ro 通频带 Au(f) 或Uom(f) 最大不失真输出幅度,us= Usmsin 2f t (V) ui= Uimsin 2f t (V) uo= Uomsin 2f t (V),Amplifier,基本功能: 能放大、不失真 .,加得进、取得出.,2.2 基本放大电路(结构认识) P292,共漏组态(CD),共源组态 (CS),UG,URs,UGSQ=UGURs 0,共栅组态 (CG),1.场效应管放大电路(NJFET三种组态), 电压源:, 电流源:, 电容:,2.2 基本放大电路(结构认识) P292,共漏组态(CD),共源组态 (CS),UG,URs,UGSQ=UGUR
23、s 0,共栅组态 (CG),1.场效应管放大电路(NJFET三种组态),2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),C1,C2:“通交隔直”,“阻容耦合”,共射组态 (CE),共集组态 (CC),UB,UE,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),C1,C2:“通交隔直”,“阻容耦合”,共射组态 (CE),UB,UE,共基组态 (CB),或改画成：,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),C1,C2:“通交隔直”,“阻容耦合”,共射组态 (CE),U
24、B,UE,共基组态 (CB),2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),C1,C2:“通交隔直”,“阻容耦合”,共射组态 (CE),UB,UE, 关于静态偏置电路,设置静态工作点Q ：一要合适, 二要稳定. 静态是基础，动态是目的.,作用:,稳定: 指稳定输出静态工作点 (UCEQ , ICQ ) 或 (UDSQ , IDQ ),2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),C1,C2:“通交隔直”,“阻容耦合”,共射组态 (CE),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET
25、）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),C1,C2:“通交隔直”,“阻容耦合”,共射组态 (CE),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,I1,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分
26、压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,温度T 时: ICEO ; ; UBE (2 2.5) mV/ C ,Re 具有稳定输出静态工作点 (UCEQ , ICQ )的作用. 直流电流负反馈.,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,UCEQ=VCCICQRc(ICQIBQ)Re VCCICQ(RcRe),2.2 基本放大电路(结构认识
27、) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,UCEQ=VCCICQRc(ICQIBQ)Re VCCICQ(RcRe),经验公式： （1） I1 IB 取 I1 = ( 510 )IB （2）UB UBE 取 UE=IERe= 0.2VCC ( 或 UE = 13V ),2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏
28、压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,UCEQ=VCCICQRc(ICQIBQ)Re VCCICQ(RcRe),固定IB 或 UGS,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,UCEQ=VCCICQRc(ICQIBQ)Re VCCICQ(RcRe),固定IB 或
29、 UGS,VBEQ 0.7V,固定了IB , 但 输出静态工作点 (UCEQ , ICQ )并不稳定!,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,UCEQ=VCCICQRc(ICQIBQ)Re VCCICQ(RcRe),固定IB 或 UGS,Re,VBEQ 0.7V,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE
30、, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,UCEQ=VCCICQRc(ICQIBQ)Re VCCICQ(RcRe),固定IB 或 UGS,VBEQ 0.7V,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,分压式偏置电路,射极偏置电路,I1,固定IB 或 UGS,固定了IB , 但 输出静态工作点 (UCEQ , IC
31、Q )并不稳定!,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,分压式偏置电路,射极偏置电路,I1,固定IB 或 UGS,固定了UGS , 但 输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )并不稳定!,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG
32、,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,UG,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,UG,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。
33、 直流电流负反馈.,栅极电阻 Rg2 的作用： (1)为栅偏压提供通路; (2)泄放栅极积累电荷.,UG = 0V,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,UG,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,？,= 0V,UGSQ 0 V,无法工作!,2.
34、2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,UG,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,？,UGSQ 0 V,无法工作!,？,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏
35、压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,UG,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,UG = 0V,栅极电阻 Rg 的作用： (1)为栅偏压提供通路; (2)泄放栅极积累电荷.,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式
36、:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,Rg1,UG,Rg2,调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0V UGSQ = 0V UGSQ 0V,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I
37、1,固定IB 或 UGS,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,Rg1,UG,Rg2,调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0V UGSQ = 0V UGSQ 0V,= 0V,固定了UGS , 但 输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )并不稳定!,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,
38、对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,URs,Rs 作用： 确保 UGSQ=UGURs 0 ； (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,Rg1,UG,Rg2,调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0V UGSQ = 0V UGSQ 0V,VDD,2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,URs,Rs 作用：
39、 (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,UG,调整电阻的大小，确保: UGSQ=UGURs UGS(th),2.2 基本放大电路(结构认识) P290,2.双极型管放大电路(SiNPN 三种组态),UB,UE, 关于静态偏置电路,自给栅偏压电路 （只适用于耗尽型FET）,分压式自偏压电路,固定偏置电路,形式:,分压式偏置电路,射极偏置电路,固定UB 或 UG,对BJT而言,I1,固定IB 或 UGS,URs,Rs 作用： (2) 稳定输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )。 直流电流负反馈.,UG,调整电阻的大小，确保: UGSQ=UGURs UGS(th),= 0V,固定了UGS , 但 输出静态工作点 (UDSQ , IDQ )并不稳定!,2.2 基本放大电路(结构认识) P2
