1、二 000 学年第一学期期末考试题（B 卷）班级 姓名 学号 评分 课 程 工业电子学 使用班级 98 机械任课老师 杨志伟 教研室主任 朱建虹一：是非题（每题 2 分，共 14 分）1 N 型半导体中既然有多数载流子，则它成为带电体。 （ ）2 温度升高时二极管的反向电流变小。 （ ）3 在共射放大电路中，若三极管 增大一倍，则其电压放大倍数也会增大一倍（ ）4 射极输出器是典型的电压串联型负反馈电路。 （ ）。5 运算放大器的输入级一般采用差动放大器，中间级采用电压放大电路， 输出级采用功率放大电路。 （ ）。6 若规定低电平为逻辑“1” ，高 电平为逻辑“0” ，则称为正逻辑。 （ ）。
2、7 或非门的逻辑表达式是 Y=A+B ( )二：填空题（每空 1 分，共 30 分）1 P 型半导体的少数 载流子是 ， N 型半导体的多数载流子是 2 在判断二极管的极性时，如果所测阻值很小， 则与红表笔相接的管脚是 极。3 如图 1 所示，设二极管为理想元件，二极管 处于 1k状态，管子两端的电压是 ， 电路中的电流是 。 9V 4V4 已知在放大时，三极管对地电压如图 2 所示， 则 D各管脚的名称：（1） （2） （3）该管是 型的。 图 15 单管电压放大电路是由若干 ， 和组成。6 已知某单管（硅管）放大电路中，=100， Ucc=10V,Rc=5k,如果要求 IcQ=4mA,则
3、Rb= 此时 UCEQ= 。（硅管 UBEQ=0.7V）7 直接耦合放大器须解决的两个问题是（1） 10V 1V 2V（2） 。 （1）（2）（3）8 运算放大器的三种输入方式是（1） 图 2（2（ （3） 9 根据理想运放“ 三高一低 ”的特性，可以得到两个重要的推 论，其表达式分别是（1）“虚短”推论： （2）“虚断”推论： 10 转换制数：（1）二进制 十进制：111010=（ ）十（2）二进制 八进制：101010=（ ）八（3）十进制 BCD8421 码 ：62= 11 或非门的逻辑表达式是 ，异或门的逻辑表达式是 。12 图 3 的逻辑表达式是 ，图 4 的逻辑表达式是 。13 图
4、 5 是基本 RS 触发 器 Rd, Sd端的状态波形图，画出 Q 端的状态波形图。A & A =1 & Y B YB &C C图 3 图 4Rd Sd 图 5Q三：简答题（每题 6 分，共 30 分）1 已知硅二极管的开启电压为 0.5V，饱和导通电压为 0.7V，反向击穿电压为 50V。试画出其特性曲线。+UccRb Rc+ C2C1 + T RL u0ui2 如图 6 所示放大电路中，已知 Rb=120k, 图 6 Rc=2k,Ucc=12V,=100,求该电路的静态工作点。If Rf3 如图 7 所示的同相比例电路中 R1=2k, 电压放大倍数 Af=5，求 Rf 和 R2。I1 R1
5、 V_R2 V+ + Ui U0 图 7 4 试用基本门电路组成具有下列逻辑功能的逻辑图。Y=AB Y=A+B 4 主从型 JK 触发器的 CP,J,K 端的状态 CP波形如图 8 所示，试画出 Q 端的状态波形。设初始状态为 0 态。 J 图 8K四：应用题（26 分）1（15 分）两级阻容耦合放大电路的主要参数如下：U cc=12V，硅三极管 T1，T2 的放大系数 1=2=50,Rb1=220k,Rc1=1.5k,Rb2=200k,Rc2=1k,负载 RL=2k,耦合电容C1=C2=C3=50F，已知 rbe=300+(1+)26/IE。（1（ 画出电路简图。（2（ 求该电路的输出电阻和输入电阻。（3（ 求该电路总的电压放大倍数。2（11 分）电路设计：试用基本的门电路组成具有以下逻辑功能的逻辑图。(1)Y=(A+B)CD (2)Y=AB+AB(设计一个异或 门)
