1、上海皇龙自动化工程有限公司,太阳能光伏产业红外测温仪应用,欢迎交流：邮箱mark_,1,直拉式单晶炉,硅单晶是一种半导体材料。直拉式单晶炉是使用直拉方法获得硅单晶的一种设备。,1,直拉式单晶炉,直拉单晶炉型式尽管不同，总的说来，主要由炉体、电器部分、热系统、水冷系统、真空系统和氩气装置五大部分组成。,1,直拉式单晶炉 基本结构,1,直拉式单晶硅炉热场示意图,1、硅液液面温度的测量单晶硅是在热场中进行拉制的，热场的优劣对单晶硅质量有很大影响。单晶硅生长过程中，好的热场，能生产出高质量的单晶。不好的热场容易使单晶变成多晶，甚至根本引不出单晶。有的热场虽然能生长单晶，但质量较差，有位错和其他结构缺陷
2、。因此，配置最佳热场，对热场的实时监测非常重要,特别是结晶处的硅液液面的温度监测，尤为重要。,直拉式单晶炉测温应用,解决方案,采用一款短波双色测温仪（DSR10N），短波选择非常适合液态硅料温度测量，而双色设计可以克服炉内热场变化的影响。光学测温探头封装在紧凑型的机械外壳中，非常适合应用于直拉式单晶炉副室安装。,PYROSPOT DSR10N 温度范围：7001800 光学镜头：可变焦距，带石英玻璃保护窗，最小测量目标1.2mm 测量距离：距离2504000mm, 光谱范围：0.71.1m 测量精度：0.5%测量值 重复精度：0.2%测量值 响应时间：5ms，可调直10s 比色系数（双色）：0
3、.8001.200 可通过软件或测温仪上的按钮调节 输出信号：0/420毫安,温度线性,多晶硅铸锭炉,1,多晶硅由多晶硅铸锭炉生产出来。多晶硅的生产是把高纯多晶硅装入到铸锭炉中，先熔化成液态，通过铸锭炉的自动化的操作，使液态硅自下向上缓慢地重新结晶，生成一块大晶粒的多单晶体的铸锭硅来。,1,多晶硅铸锭炉,1,多晶硅生产过程简介,1、装炉将多晶硅料和掺杂剂放入炉内，给炉室抽真空并通氩气，保持气压为：400600mbar 2、加热熔化硅料给炉室内的石墨加热器通电加热。先预热，使石英坩埚的温度达到12001300左右，保持45小时。然后逐渐增加加热功率，使石英坩埚内的温度达到1500（大于硅熔点）左
4、右，硅原料开始熔化。该时间约为911小时。 3、铸锭硅生长使石英坩埚的温度降至14201440（硅熔点）左右，通过缓慢提升隔热系统或缓慢降低坩埚的方法，使下部的液态硅温度降低首先凝固成晶体，并从下往上非常缓慢地长晶。 4、退火处理坩埚内的液态硅全部结晶成固态后，把炉温控制在稍比熔点低一些，并让硅锭整体温度保持一致，退火处理34个小时，以消除硅锭内部的应力和裂纹，减少位错 5、停炉冷却把加热功率降低并关闭，并充入氩气，提升气压至大气压。让铸锭硅在炉内自然冷却813个小时。方可打开炉室，取出铸锭硅块。,多晶硅液面 测温方案 PYROSPOT DSR10N,坩埚加热器温度 测量方案 PYROSPOT
5、 DG40N,温度范围：7001800 光学镜头：可变焦距，带石英玻璃保护窗，最小测量目标1.2mm 测量距离：距离2504000mm, 光谱范围：0.71.1m 测量精度：0.5%测量值 重复精度：0.2%测量值 响应时间：5ms，可调直10s 比色系数（双色）：0.8001.200 可通过软件或测温仪上的按钮调节 输出信号：0/420毫安,温度线性,温度范围：3501800 光学镜头：固定或可变焦距，最小测量目标1.2mm 光谱范围：1.51.8m 测量精度：0.5%测量值 重复精度：0.1%测量值 响应时间：10ms，可调直10s 发射率：0.051. 00 输出信号：0/420毫安,温度线性,1,多晶硅炉基本构造（红外测温仪安装处）,单晶炉多晶炉材料发射率,晶体：0.55 熔体：0.3 石英坩埚：0.5 石墨：0.8,培训专用,1,
