1、1国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”2009 年项目指南为推动我国集成电路制造产业的发展，提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力，充分调动国内力量为重大专项的有效实施发挥作用，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”根据实施方案和“十一五”实施计划，安排一批项目在全国公开发布，通过竞争择优方式选择优势单位承担项目。一、 项目申请范围根据附件 1 列出的项目指南说明，进行项目申请，编制项目申报书 。二、 项目申报与组织方式由专项实施管理办公室组织，通过教育部、工业与信息化部、中国科学院、国资委和各省（市）科委（厅、局）向所辖企业、直属高校、科研院
2、所发布指南，组织所辖单位编制项目申报材料，由各主管部门汇总后统一报送专项实施管理办公室。专项实施管理办公室对各部门（地方）申报项目进行汇总后，由专项总体组组织专家进行申请材料初审，筛选符合专项要求的优势单位提交专项办公室，由专项办公室组织评审委员会进行正式评审，择优委托主承担单位，在专项总体组指导下组织产学研用联盟2承担项目。三、 项目申报单位基本要求1、 在中国境内注册的中资控股企业，注册资本为申请国拨经费的 10%以上。2、 具备独立法人资格的科研院所和高校。3、 同一单位本次主承担项目原则上不超过 2 项。同一个人负责项目不能超过 1 项，参与项目不能超过 2 项。4、 配套资金要求所有
3、产品开发与产业化项目需由地方政府或行业主管部门提供不少于中央财政经费的配套资金。四、 报送要求每个项目报送项目申报书纸质材料一式 20 份（具体要求见附件 3）及电子版（光盘） 1 份，以及其它材料（见附件 2） 。五、 联系方式联系人：张国铭、高华东、王泓联系电话：01051530051 ，51530052，64369398电子邮件：通讯地址：北京市海淀区知春路 27 号（大运村）量子芯座集成电路设计园 403 室邮 编：100083六、 截止时间2008 年 10 月 6 日 17：00 前送达专项实施管理办公室。3附件 12009 年项目指南说明一、 集成电路装备1. 项目任务：65nm
4、 PVD 设备研发与应用项目编号：2009ZX02001项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发面向 65nm 极大规模集成电路生产线的 PVD设备，取得核心自主知识产权，满足 65 纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，并通过 65 纳米的大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在 65nm 集成电路大生产企业取得 5 台以上应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。执行期限：2009
5、2012 年2. 项目任务：65nm 互连镀铜设备研发与应用项目编号：2009ZX020024项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发面向 65nm 极大规模集成电路生产线的 镀铜设备，取得核心的自主知识产权，满足 65 纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过 65 纳米的大生产线考核及用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在 65nm 集成电路大生产企业取得 5 台以上应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备一定
6、的产业化能力和经验。执行期限：2009 2012 年3. 项目任务：65nm 快速热退火设备研发与应用项目编号：2009ZX02003项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发面向 65nm300mm 集成电路生产线的快速热退火设备，取得核心的自主知识产权，满足 65 纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过 65 纳米的大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在65nm 集成电路大生产企业取得 3 台以上应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研联盟联合承担项目。5执行期限：2009 2012
7、年4. 项目任务： 9065nm 匀胶显影设备研发与应用项目编号：2009ZX02004项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发 9065nm 极大规模集成电路制造用匀胶显影设备，取得核心的自主知识产权，满足 9065 纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过大生产线考核和用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在 65nm 集成电路大生产企业取得 3 台以上应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。 执行期限：2009 2012 年5. 项目任务： 65nm 清洗及化学处理设备开发与产业化
8、项目编号：2009ZX02005项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发 65nm 极大规模集成电路生产线清洗及化学处理系列设备，取得自主创新突破，满足 65 纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过大生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在 65nm 集成电路大生产企业取得 5 台以上应用。6项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年6. 项目任务：集成电路生产全自动光学测量设备研发与应用项目编号：2009ZX02006项目类别：产品开发与产业化项目
9、目标：开发 90 65nm 集成电路生产线用全自动光学测量设备，满足膜厚、线宽、图形形貌等工艺测量要求，取得自主创新突破，满足 9065 纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在集成电路生产线获得 5 台以上应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年7. 项目任务：CD-SEM 工艺检测技术与设备研究项目编号：2009ZX02007项目类别：产品开发与产业化项目目标：突破超精密快速扫描、高速图像采集与处理技术，完成检测线宽达
10、到 90 65nm 的 CD-SEM 样机研制，取得自主创新突破，通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。7项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校，并组织产学研联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年8. 项目任务：射频与数模混合信号集成电路测试系统开发项目编号：2009ZX02008项目类别：产品开发与产业化项目目标：面向大规模集成电路产品，开发射频、数模混合信号集成电路测试系统设备，满足大规模测试生产线的需求，取得自主创新突破，性能指标达到国际同类产品先进水平，通过大测试线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。项目承担单位要求：主承担
11、单位要求是独立法人的集成电路装备企业、科研院所和高校，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年9. 项目任务：先进封装设备项目编号：2009ZX02009项目类别：产品开发与产业化项目目标：面向高密度封装生产线需求，研究开发高精度倒装芯片键合机、先进封装光刻机、涂胶显影机、溅射台、凸点刻蚀机、硅片清洗机等高端封装设备，技术参数和工艺性能满足封装规模化生产线要求，产品通过大生产线工艺验证和产品考核，性能指标达8到同类产品国际先进水平，具备产业化能力和市场竞争力。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：20
12、09 2012 年10.项目任务：成套封装设备与材料生产示范线工程项目编号：2009ZX02010项目类别：产品开发与产业化项目目标：面向先进封装生产线对设备与材料的需求，由大型封装生产企业建立成套设备与材料生产示范线，集成高倍显微镜、磨片前贴膜机、减薄机、接触式测厚仪、自动揭膜机、CO2 气泡发生器、Wafer Mount、划片机、自动晶园清洗机、导电胶搅拌机、装片机、无氧化烘箱、等离子清洗机、键合机、金丝拉力仪、自动塑封压机/ 模具、X-Ray 检测、洁净固烤炉、自动磨胶机、激光打印机、自动切筋机、自动成型机、高速自动电镀线、镀层测厚仪、切割前贴膜机、切割机、投影仪、UV 照射机、装管机、
13、条带测试编带机、测试分选机、测试主机、包装机等设备组成生产示范线。组织封装材料供应商研究开发绿色环保型环氧封装料及液体环氧封装材料、高可靠封料、底填料、导电浆料及导电胶、高密度及异型引线框架、低成本铜键合丝、超细低弧高强度键合丝、脱模剂、蓝膜、无铅焊料与焊球、聚酰亚胺光敏树脂及厚膜光刻胶、热管理(TIM)材料、基板材料等产品，在生产示范线上进行认证和应用示范。9示范所集成的设备与研发的材料技术参数和性能满足封装规模化生产线要求，通过用户考核和合格供应商认证，具备产业化能力及市场竞争力。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的大型封装生产企业，在专项总体组指导下，组织招标，组织产学研用联盟联
14、合承担项目。执行期限：2009 2011 年，2010 年底前完成设备和材料示范线考核。11. 项目任务：国产 300mm 硅材料成套加工设备示范线工程项目编号：2009ZX02011项目类别：产品开发与产业化项目目标：面向 90-65nm 极大规模集成电路用硅单晶及抛光片制备技术需求，研究开发单晶炉、线截断机、多线切割机、倒角机、磨片机、抛光机（CMP ） 、清洗机(包括 CDS)、全自动检测分选装置等关键设备，技术参数和工艺性能满足硅片规模化生产要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，在 300 毫米硅片企业建立成套示范线，通过用户考核和合格供应商认证，具备产业化能力及市场竞争力。项目承担
15、单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。10执行期限：2009 2011 年二、 关键部件与核心技术12.项目任务：洁净与直驱型真空机械手及硅片传输系统研制项目编号：2009ZX02012项目类别：产品开发与产业化项目目标：面向国内大规模集成电路制造整机装备对200 300mm 硅片输送自动化部件的需求，掌握真空机械手、大气机械手和 EFEM 的工程设计和批量制造技术，形成面向刻蚀机、CVD、PVD、CMP 和镀铜等整机设备配套的 EFEM 系列化产品，研制出性能稳定可靠的硅片输送设备，性能指标达到同类产品国际先进水平，并实现产品化应用及产业
16、化。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年13.项目任务：用于超净环境的硅片传输机械手研发与应用项目编号：2009ZX02013 项目类别：产品开发与产业化项目目标：针对我国 IC 装备的用户需求，掌握超洁净环境下的200 300mm 硅片传输机器人的工程设计与批量制造技术，研制性11能稳定可靠的硅片传输机械手，性能指标达到同类产品国际先进水平，并实现产品化应用及产业化。项目承担单位要求：主承担单位要求独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年14
17、.项目任务：干泵与系列真空阀门产品开发与产业化项目编号：2009ZX02014项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发极大规模集成电路装备用干泵及系列真空阀门，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过整机用户的考核与采购认证，具备产业化能力及市场竞争力，获得 500 台/套以上的应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的真空设备制造企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年15.项目任务：磁浮分子泵系列产品开发与产业化项目编号：2009ZX02015项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发极大规模集成电路装备用磁浮分子泵系列产品，性能指
18、标达到同类产品国际先进水平，通过整机用户的考核12与采购认证，具备产业化能力及市场竞争力，获得超过 200 台的应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的专业生产真空设备的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年16.项目任务：集成电路装备 200300mm SMIF 系统研发与应用项目编号：2009ZX02016项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发极大规模集成电路装备 200300mm SMIF系统产品，取得核心自主知识产权，通过整机用户的考核与采购认证，具备产业化能力及市场竞争力，获得超过 500 套的应用。项目承担单位要求：
19、主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年17.项目任务：集成电路生产线自动化调度控制软件技术项目编号：2009ZX02017项目类别：关键技术研究项目目标：面向极大规模集成电路制造大生产线的自动化及高产率、高成品率需求，开展生产过程监控、设备异常预测、优化调度、13成品率控制等技术的研究，开发相关大生产线自动化系统软件产品与解决方案，建立客户支持服务体系，并在 23 家（前工序、封装）大生产线得到验证与应用，建立长期合作与服务关系。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所，并组织产学研
20、用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011 年18.项目任务：符合国际标准集束型 IC 装备控制系统开发平台研发与应用项目编号：2009ZX02018项目类别：关键技术研究项目目标：研制开发符合 SEMI 标准和相关自动化标准的集束型IC 装备自动化系统开发平台，为半导体装备制造商提供开放、模块化的自动化软件产品与系统解决方案，建立客户支持服务体系，通过 34 家用户的验证并取得应用，建立长期合作与服务关系。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所, 并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011 年19.项目任务：半导体设备工艺腔室多场耦合分析与优
21、化设计通用平台研究项目编号：2009ZX0201914项目类别：关键技术研究项目目标：面向极大规模集成电路制造装备中普遍采用的核心工艺反应腔室的开发与创新设计需求，研究工艺腔室中流场、热场、电磁场、等离子体等多场强耦合仿真分析技术，开发工艺腔室的优化设计平台，形成实用化的软件工具，提供完整的技术解决方案和成果产业化转移方案，在 34 家设备和生产线用户得到验证与实际应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的高校、研究所和企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011 年20.项目任务：IC 装备整机建模与仿真设计平台项目编号：2009ZX02020项目类别：关键技术
22、研究项目目标：面向极大规模集成电路制造装备复杂系统整机设计和产品开发的需求，研究多领域建模与仿真技术、多学科协同设计技术，开发集成电路装备整机建模与仿真设计平台，形成实用化的软件工具，提供完整的技术解决方案和成果产业化转移方案，并在34 家典型集成电路制造装备的设计与产品开发中取得实际应用。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的高校、研究所和企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011 年1521.项目任务：封装设备关键部件与核心技术 项目编号：2009ZX02021项目类别：关键技术研究与部件产品开发项目目标：研究开发高速空气静压电主轴、超高加速精密运动系统与控制
23、技术、高速机器视觉技术等先进封装设备关键部件和核心技术，提高整机性能与竞争力，取得核心知识产权。部件产品性能指标达到同类产品国际先进水平，通过用户考核验证，具备产业化能力及市场竞争力。核心技术研发应与整机单位紧密结合，提供完整的技术解决方案和成果产业化转移方案，获得产业化应用。应用台数超过 200 台。项目承担单位要求：关键技术项目主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校；部件产品开发项目承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所。组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年三、 成套工艺22.项目任务：0.25-0.18 微米通用 BCD 产品工艺开发与产业化项目编
24、号：2009ZX02022项目类别：产品工艺开发与产业化项目目标：完成 0.25-0.18 微米通用 BCD（40V 以下）工艺开发与设计服务平台，取得自主知识产权，具备向其它生产线技术转移16和代工量产能力，为 510 种自主设计的相关产品提供产品制造服务。项目承担单位要求：主承担单位是独立法人的集成电路芯片制造企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009-2010 年23.项目任务：65nm 产品工艺与设备材料考核验证及应用示范平台项目编号：2009ZX02023项目类别：产品开发与产业化项目目标：面向通讯、移动多媒体、数字消费等重大 SOC 产品需求，研究开
25、发适用于低功耗和通用产品的数字与数模混合、大容量静态随机存储器（SRAM ）与非挥发存储器、射频（RF）等 65nm 产品工艺，建立完善的客户设计服务平台，取得自主知识产权，具备向其它生产线技术转移和代工量产能力，为 35 种自主设计的大规模 SOC 产品提供制造服务。建立设备与材料的考核验证与应用示范平台，为国产装备和材料提供验证服务。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路制造企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2010 年24.项目任务：45nm 成套工艺开发项目编号：2009ZX0202417项目类别：成套工艺开发项目目标：研究开发适
26、用于低功耗和通用产品的数字与数模混合、大容量存储器等 45nm 标准工艺，建立完善的客户设计服务平台，取得自主知识产权，具备向其它生产线技术转移和代工量产能力，为自主设计的大规模 SOC 产品提供产品制造服务。为国产化装备、材料等提供验证服务。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路研发企业和制造企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011 年25. 项目任务：先进封装工艺开发及产业化项目编号：2009ZX02025项目类别：工艺开发及产业化项目目标：研究开发球栅阵列封装 BGA、芯片尺寸封装 CSP、多芯片封装 MCP、圆片级封装 WLP、倒装芯片封装 FC
27、、封装内封装PIP、高容量闪存集成封装、高可靠特种专用封装等先进封装的成套工艺，突破封装工艺、测试评估与可靠性等关键技术，建立完善的产品服务平台，取得自主知识产权，具备量产能力和向其它生产线技术转移的能力，开展多目标封装（MPP）服务，为 510 种自主设计产品提供封装服务。项目承担单位要求：主承担单位是独立法人的集成电路封装生产企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。18执行期限：2009 2011 年。26.项目任务：高密度多层封装基板制造工艺开发与产业化项目编号：2009ZX02026项目类别：封装技术开发及产业化项目目标：完成高密度系统级多层封装基板、柔性封装基板等成套制造工艺的开发，突
28、破基板设计、元件埋入、制造工艺、测试评估等关键技术，取得自主知识产权，建立产品服务平台，具备量产能力和向其它生产线技术转移的能力，开展多目标封装（MPP）服务，为 510 种自主设计产品提供封装服务。项目承担单位要求：主承担单位是独立法人的集成电路封装企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011 年。27.项目任务：极大规模集成电路生产测试技术项目编号：2009ZX02027项目类别：成套工艺开发项目目标：研究开发极大规模集成电路大生产测试（包括中测与成测）技术，取得自主知识产权，并通过大规模测试线考核验证，为 510 种自主设计的相关产品提供测试服务。项目承担单位要求：
29、主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。19执行期限：2009 2011 年四、 关键材料28.项目任务：200mm 外延片产品开发与产业化项目编号：2009ZX02028项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发满足 0.13-0.25m 生产需求的 200mm 外延片产品，通过大生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在主流集成电路制造企业获得 1.5 万片 /月、稳定供货 12 个月以上的应用，签订长期合同。鼓励使用国产衬底抛光片，比例不少于 50。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路材料企业，并组织产学研用联盟联合承担
30、项目。执行期限：2009 2010 年29.项目任务：200mm 抛光片产业化技术项目编号：2009ZX02029项目类别：产品研发与产业化项目目标：研究开发 8 英寸硅单晶晶体生长、抛光片制备、分析检测等量产技术，生产线具有连续稳定运行的能力，通过国内主流8 英寸集成电路生产企业的合格供应商评估认证，产品通过用户考20核评估，各项技术指标达到 0.25-0.13 微米集成电路要求，在主流集成电路制造企业获得 4 万片/ 月、稳定供货 12 个月以上的应用，签订长期合同。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的半导体硅材料制备企业，并组织产学研联盟联合承担项目。执行期限：2009 2011
31、 年30.项目任务：9065nm 集成电路关键抛光材料研究与产业化项目编号：2009ZX02030项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发 90-65 纳米集成电路化学机械抛光用抛光液制备技术，开发年产万吨级规模生产技术，产品通过用户考核且通过 2 家以上集成电路大生产企业的合格供应商认证，实现批量稳定供货，在国内化学机械抛光用抛光液的市场占有率超过 30%。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的抛光液材料企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2010 年31. 项目任务：溅射靶材与电镀液产业化技术开发项目编号：2009ZX02031项目类别：产品开发与产业化项目
32、目标：研究开发超高纯大尺寸靶材与电镀液制备成套关键技21术，完成铝及铝合金、钛、钽、铜等靶材与电镀液产品开发，靶材满足 90nm65 集成电路前道工艺与封装要求，电镀液满足6545nm 集成电路铜互连工艺要求，产品通过生产线考核，且通过集成电路大生产企业合格供应商认证，具备量产能力和市场竞争力，可实现批量稳定生产。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的生产企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2010 年32.项目任务：超净高纯试剂产品开发和产业化项目编号：2009ZX02032项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发 200300mm 集成电路生产线用超净高纯试
33、剂（有机/无机）产品成套技术与系列产品，完成原材料、包装容器品质提升与供应体系建设，通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，能对 23 家大生产企业长期稳定供货，支撑国内市场综合占有率超过 20。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2010 年33.项目任务：高纯电子气体与液态源产品开发与产业化22项目编号：2009ZX02033项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发 200300mm 集成电路生产线用高纯电子工艺气体与低 k 介质等有机液态源产品，通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及
34、市场竞争力，能对 23 家大生产企业长期稳定供货，支持国内市场综合占有率超过 20。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年34.项目任务：高可靠陶瓷管壳产品开发项目编号：2009ZX02034项目类别：产品开发与产业化项目目标：研究开发高可靠集成电路封装用陶瓷管壳系列产品，达到同类产品国际先进水平，通过生产线考核及用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，支持市场占有率超过 20。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年五、
35、 前瞻性研究2335.项目任务：32nm 新型存储器关键工艺解决方案项目编号：2009ZX02035项目类别：前瞻性研究项目目标：开展 32nm 新型存储器工艺研究，新结构闪存存储器形成 IP 和关键工艺解决方案，开发出原型产品；PCRAM、RRAM 等新型存储器取得关键技术突破。取得自主知识产权，开发出可向生产线转移的关键工艺。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的科研院所和高校，在专项总体组指导下，依托企业组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年36.项目任务：4532nm 以下装备关键技术项目编号：2009ZX02037项目类别：前瞻性研究项目目标：面向 45
36、 32nm 以下集成电路装备的需求，开展装备关键技术与创新技术研究，包括图形形成转移、薄膜、刻蚀、掺杂、平坦化、退火、清洗、互连等关键技术与创新技术，探索可能的实现 32nm 以下集成电路芯片制造的关键工艺模块、装备、材料的成套解决方案，取得自主知识产权和核心技术突破，为“十二五”研发集成电路整机装备提供关键技术支撑。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的研究院所、高24校或企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年37.项目任务：三维及系统级封装（SiP ）技术研究项目编号：2009ZX02038项目类别：前瞻性研究项目目标：面向国际前沿及我国下一代封装技术
37、发展需求，开展系统级封装(SiP/SoP)、三维集成封装、MEMS 与 CMOS 电路集成封装等核心技术研究，突破三维系统级封装的设计、制造和测试及产业链整合技术，取得自主知识产权，形成系统级封装解决方案，相关技术在封装企业进行应用示范。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的高校、研究所、企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年38.项目任务：4532nm 以下关键材料技术研究项目编号：2009ZX02039项目类别：前瞻性研究项目目标：面向 45 32nm 以下极大规模集成电路的需求，开展高 k、低 k、应变硅等关键材料技术研究，并进行工程化开发和示范应用
38、，为下阶段产业化开发奠定基础。项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的研究院所、25高校或企业，并组织产学研用联盟联合承担项目。执行期限：2009 2012 年附件 2：项目申报书 编写要求：1. 文件编写：以中文编写，要求语言精炼，数据真实、可靠。2. 文件规格：一律用 A4 纸，仿宋四号字打印并装订成册，一式 3 份，同时附上电子版（光盘） 。项目建议书按统一格式编写。3. 项目申报书应有主承担单位法定代表人（或委托授权人）签字并加盖公章，全部文件须包装完好，封皮上写明项目名称、单位名称、地址、邮政编码、电话、联系人。附件 3：与项目申报书 、同时提交的相关附件材料包括：（1） 需承担
39、单位提供企业自筹经费的项目应提供建议单位的自筹资金保证书；（2） 如地方政府提供配套经费的项目应提供地方政府经费配套承诺文件；（3） 联合申请项目的正式合作协议；（4） 产业化项目需提供企业近 3 年度资产负债表与损益表及现金流量表；（5） 产业化项目需提供拟承担单位营业执照或法人代码证；（6） 其它证明文件（如质量体系认证、专利证书、获奖证书等文件） 。（7） 申请材料类研发项目的单位，需提供承担单位环评资质文件。1附件 4 项目申报书格式受理编号： 密级：公开 秘密 机密 绝密国家科技重大专项项目（课题）可行性研究报告(申报书)（参考格式）专项名称： 项目（课题）名称： 项目（课题）责任单
40、位： 项目（课题）组长： 项目（课题）年限：20 年 月 至 20 年 月填报日期： 20 年 月 日2中华人民共和国科学技术部制二 年 月填 写 说 明为建立统一、规范的重大专项信息管理制度，加强重大专项信息的管理，我们研究设计了国家科技重大专项项目（课题）可行性研究报告（申报书）格式和填写要求。一、请严格按照表中要求填写各项。二、项目（课题）可行性研究报告只能由法人提出，可以由一家单位组织，也可以由多家单位联合组织。每个项目（课题）只能有一家责任单位和一个组长。 项目（课题）组长由项目（课题）责任单位指定。三、项目（课题）可行性研究报告由项目（课题）责任单位编写，并报专项实施管理办公室汇总
41、；四、项目（课题）可行性研究报告中第一次出现外文名词时，要写清全称和缩写，再出现同一词时可以使用缩写。五、组织机构代码是指项目责任单位组织机构代码证上的标识代码，它是由全国组织机构代码管理中心所赋予的唯一法人标识代码。六、编写人员应客观、真实地填报报告材料，尊重他人知识产权，遵守国家有关知识产权法规。在项目（课题）可行性研究报告中引用他人研究成果时，必须 以脚注或其他方式注明出处，引用目的应是介绍、评论与自己的研究相关的成果或说明与自己的研究相关的技术问题。对于伪造、篡改科学数据，抄袭 他人著作、论文或者剽窃他人科研成果等科研不端行为，一经查实，将记入信用记录。七、此表可在科技部网站下载。3八
42、、此表为重大专项项目（课题）可行性研究报告的基本信息，各重大专项实施管理办公室可根据自身的特点，适当增加相应的内容。4一、项目（课题）基本信息项目（课题）名称项目（课题）密级 预计完成时间项目（课题）活动类型 预期成果类型单位名称 单位性质通讯地址 邮政编码所在地区 单位主管部门联系电话 组织机构代码传真号码 单位成立时间项目（课题）责任单位信息电子信箱姓名 性别出生日期 职称最高学位 从事专业固定电话 移动电话传真号码 电子信箱项目（课题）组长信息证件类型 证件号码单位名称 单位性质 组织机构代码联合单位信息总经费申请专项资助其它国家级资助(包括部门匹配 )地方政府匹配银行贷款自有资金其它资金项目（课题）经费来源（万元）经费备注
