1、非同型異質接面(Anisotype Heterojunction)假設兩半導體具有不同的能隙 Eg、介電常數 s、功函數 m 以及不同的電子親和力 。兩半導體導帶邊緣的能階差為E c，價帶邊緣能階差為Ev。如圖 (6)所示，電子親和力規則(E c = q)。當接面由上述的米導體所組成時，在平衡狀態下，n-p 非同型異質接面的能帶分佈如圖 6b 所示，其中窄能隙(narrow-bandgap)材料為 n 型半導體。由於在平衡態時，接面兩端的費米能階高度必須相同，而真空能階在任何位置皆行能帶邊緣(band edge)且連續；因此當能隙寬度、電子親和力與摻雜無關時(非簡併半導體)，在接面不連續的導帶
2、能階差(E c)與價帶能階差(E v)不因摻雜而改變。總內建電位能 bi、 b2分別為半導體 1、2 在平衡態下的內建電位能。由圖 1可明顯看出當平衡時(E F1= EF2) ，總內建電位為 bi=m1 m2考慮電流的流通，圖 6b 顯示當 Ev 通過接面附近的尖端時， Ec 單調遞增。由於額外的位障造成熱離子發射(thermionic emission) 瓶頸，在一系列的擴散過程中，電洞電流變得更為復雜。為了簡化分析過程，我們假設一個漸變的接面，E c 與E v 在空乏區內的過渡變為較平滑，藉由這些假設，使得擴散電流與一般的 p-n 接面相似，但需有適當的參數修正。圖 6 能帶分佈圖對於(a) 摻雜型態、能隙 Eg 皆不同的兩個半導體，在未接觸時的情形 (能隙較小者為 n 型半導體)，以及(b)理想的非同型異質接面在熱平衡時的能帶分佈。(c)、(d) 相同，而能隙較小者為 p 型半導體。在(b)、(d) 中，跨越接面的虛線表示能帶逐漸變化的部份。
