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类型反激式开关电源RCD吸收电路的设计.doc

  • 上传人:精品资料
  • 文档编号:10832098
  • 上传时间:2020-01-13
  • 格式:DOC
  • 页数:2
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    反激式开关电源RCD吸收电路的设计.doc
    资源描述:

    1、对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主 MOS 管最大反峰,又要 RCD 吸收回路功耗最小)在讨论前我们先做几个假设, 开关电源的工作频率范围:20200KHZ ; RCD 中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒); 在调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管,输出线路的参数已经完全确定。有了以上几个假设我们就可以先进行计算:一首先对 MOS 管的 VD进行分段:,输入的直流电压 VDC;,次级反射初级的 VOR;,主 MOS 管 VD 余量 VDS;,RCD 吸收有效电压 VRCD1

    2、。 二对于以上主 MOS 管 VD的几部分进行计算:,输入的直流电压 VDC。在计算 VDC 时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V,即 DC375V。V DCV AC *2,次级反射初级的 VOR。VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的,如输出电压为:5.0V5%(依 Vo =5.25V 计算),二极管 VF 为 0.525V(此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值)VOR(V F +Vo)*Np/Ns,主 MOS 管 VD的余量 VDSVDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择

    3、 DC65VVDSV D* 10%,RCD 吸收 VRCDMOS 管的 VD 减去,三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的 VRCD 应为最大值的90%(这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性,温度漂移和时间飘移等因素得影响)。VRCD(V D-VDC -VDS)*90%注意: VRCD 是计算出理论值,再通过实验进行调整,使得实际值与理论值相吻合 VRCD 必须大于 VOR 的 1.3 倍(如果小于 1.3 倍,则主 MOS 管的 VD 值选择就太低了) MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍(如果大于 2 倍,则主 MOS 管的 VD 值就过大了) 如果 VRCD 的实测值小

    4、于 VOR 的 1.2 倍,那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。 VRCD 是由 VRCD1 和 VOR 组成的,RC 时间常数 确定是依开关电源工作频率而定的,一般选择 1020 个开关电源周期。三试验调整 VRCD值首先假设一个 RC 参数,R=100K/RJ15, C=“10nF/1KV“。再上市电,应遵循先低压后高压,再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC 元件上的电压值,务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值,就应当立即断电,待将 R 值减小后,重复以上试验。(RC 元件上的电压值是用示波器观察的,示波器的地接到输入电解电容“”极的 RC一点上,测试点接到 RC 另一

    5、点上)一个合适的 RC 值应当在最高输入电压,最重的电源负载下, VRCD 的试验值等于理论计算值。四试验中值得注意的现象输入电网电压越低 VRCD 就越高,负载越重 VRCD 也越高。那么在最低输入电压,重负载时 VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的 VRCD 值,是否和(三)的内容相矛盾哪?一点都不矛盾,理论值是在最高输入电压时的计算结果,而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。五RCD 吸收电路中 R值的功率选择R 的功率选择是依实测 VRCD 的最大值,计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。编后语:RCD 吸收电路中的 R 值如果过小,就会降低开关电源的效率。然而,如果 R 值如果过大,MOS 管就存在着被击穿的危险。

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