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反激式开关电源RCD吸收电路的设计.doc
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1、对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主 MOS 管最大反峰,又要 RCD 吸收回路功耗最小)在讨论前我们先做几个假设, 开关电源的工作频率范围:20200KHZ ; RCD 中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒); 在调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管,输出线路的参数已经完全确定。有了以上几个假设我们就可以先进行计算:一首先对 MOS 管的 VD进行分段:,输入的直流电压 VDC;,次级反射初级的 VOR;,主 MOS 管 VD 余量 VDS;,RCD 吸收有效电压 VRCD1
2、。 二对于以上主 MOS 管 VD的几部分进行计算:,输入的直流电压 VDC。在计算 VDC 时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V,即 DC375V。V DCV AC *2,次级反射初级的 VOR。VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的,如输出电压为:5.0V5%(依 Vo =5.25V 计算),二极管 VF 为 0.525V(此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值)VOR(V F +Vo)*Np/Ns,主 MOS 管 VD的余量 VDSVDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择
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