1、浙江省 2003 年 4 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空 1 分，共 20 分)1.利用晶体二极管的_和_特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_电流，由外加电场引起载流子运动形成_电流。3.已知某晶体三极管的 VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由_材料制造。4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是_电容，集电结的结电容主要是_电容。5.通常将反型层称为增强型 MOS 管的源区和漏区之间的_沟道，其中由_形成的沟道称为 N 沟道。6.场效应管工作在非饱和区时，其 ID 和
2、 VDS 之间呈_关系，故又称该区为_。7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是_组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是_组态放大电路。8.放大电路的失真分为_和_两大类。9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是_，引入交流负反馈的目的是改善放大器的_。10.深度负反馈条件是_，此时反馈放大器的增益近似等于_。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分)1.当 PN 结外加正向电压时，扩散电流( )漂移电流。A.大于 B.小于 C.等于 D.近似等于2.当 P 型半导体和 N 型半导体相接触时，在
3、P 型和 N 型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( )A.阻挡层 B.耗尽层 C.空间电荷区 D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数 及穿透电流 ICEO 的值，使用时选用哪个更合适?( )A.=200,ICEO=10A B.=10,ICEO=0.1AC.=50,ICEO=0.1A D.=100,ICEO=10A4.常温下，某晶体三极管在 ICQ=1mA 处，rbe=1.6K，=50,则 等于( )。A.200 B.300 C.400 D.5005.某场效应管的 IDSS 为 6mA，而 IDQ 自漏极流出，大小为 8mA，则该管是( )。A.P 沟道
4、结型管 B.耗尽型 PMOS 管C.耗尽型 NMOS 管 D.增强型 PMOS 管6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )。A.非饱和区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降( )。A.3dB B.6dB C.20dB D.9dB8.集成运算放大器实质上是一种( )。A.交流放大器 B.高电压增益的交流放大器C.高电压增益的直接耦合放大器 D.高增益的高频放大器9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是( )。A.各级电路的参数很分散 B.回路增益| |大C.闭
5、环增益大 D.放大器的级数少10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?( )A.减少放大器增益 B.改变输入电阻 C.改变输出电阻 D.改善噪声系数三、简答题(每小题 5 分，共 15 分)1. 设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求 VAO 的值。2. 设图三(2)所示电路中三极管为硅管，=50 ，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3. 在图三(3)所示电路中，已知 MOS 管的 ,VGs(th)=1.0V,试求 IDQ,VGSQ,VDSQ 的值。四、分析计算题(每小题 9 分，共 45 分)1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的 gm=2m
6、s,rds 忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数 Av；(2)输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro；(3)只考虑 CD 的影响，求低端转折频率 fL 的值。2.差动放大电路如图四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，=100, =0,|VA|=100V，求：(1)差模输入电阻 Rid 和差模输出电阻 Rod；(2)差模电压放大倍数 A d= o/( i1- i2)；(3)由 T3 管构成的恒流源的等效内阻 ro3.3.电路如图四(3)所示。(1)采用 01 输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(2)采用 02 输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路
7、?(3)假设为深度负反馈，试求第 2 种情况下的电压增益 Af = o2/ i.4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求(1) 03 和 o(t)及 02 和 03 的关系；(2)写出 o(t)和 s(t)之间的关系式。5 电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为12V ，设 i1= i2=0V 时， o=+12V(1)当 i1=-10V， i2=0V 时，经过多少时间， o 由+12V 跳变为-12V?(2) o 变成-12V 后， i2 由 0V 变为+15V，求再经过多少时间， o 由-12V 跳变为+12V?(3)说明 A1、 A2 各为什么单元电路。浙江省 2
8、003 年 7 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题 2 分，共 20 分)1.杂质半导体中的多数载流子是由_产生的，少数载流子是由_产生的。2.一般而言，击穿电压在 6V 以下的属于_击穿，6V 以上的主要是_击穿。3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是 IC=_IB，IE=_IC.4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_区。5.已知场效应管 VGS(th)=4V，当 VGS=6V 时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式 ID=_，当VGS=3V 时，ID=_。6.在 JFET 中，沟道的导电能力受
9、 VGS 和 VDS 的控制与 MOS 管类似，不同的是这种控制是通过改变 PN 结_中的_来实现的。7.放大器中的线性失真可分为_失真和_失真两类。8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_。采用电容耦合方式是否存在这种现象?_。9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_负反馈。10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_，这样的反馈称为_。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分)1.当 PN 结反向工作时，其结电容主要是( )。A.势垒
10、电容 B.扩散电容C.平板电容 D.势垒和扩散电容并存2.温度升高时，晶体二极管的 VD(on)将( )。A.增大 B.减小C.不变 D.近似不变3.晶体管的混合 型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?( )A.小信号，管子处在饱和区 B.大信号，管子处在放大区C.小信号，管子处在放大区 D.大信号，管子处在饱和区4.某晶体三极管的 iB 从 20A 变化到 40A 时，对应的 iC 从 2mA 变化到 5mA，则该管的 等于( )。A.100 B.150C.200 D.3005.P 沟道增强型 MOS 管工作在饱和区的条件是( )。A.VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th) B
11、.VGSV GS(th),VDSVGS-VGS(th) D.VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th)B. VGSVGS(th), VDSVGS-VGS(th)D. VGS i B. f i C. f0,VCB0 B. VBE0,VCB0 D. VBE1,|V BE(on)|=0.7V,求 Ic1,Vc1 和 Ic2 的值。3.图三(3) 所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的 VGS(th)或 VGS(off)等于何值?( 图中 iD 的假定正向为流进漏极)四、分析计算题(每小题 9 分，共 45 分)1.放大电路如图四(1)所示，已知 ICQ=1mA
12、,=100,r bb =0,|VA|=，电容对交流短路，试求：(1)输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro；(2)电压增益 Av 和源电压增益 Avs。2.差分放大电路如图四(2)所示，已知 T1,T2 参数对称， =100,r bb =0，I=2mA求：(1)T 1 的静态工作点(I CQ1、V CQ1)；(2)差模电压增益 Avd 的值；(3)共模抑制比 KCMR 的值。3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设电路满足深度负反馈条件，计算电压增益 Avf=vo/vi4.电路如图四(4)所示，运放 A 是理想的，已知R2=5k，R 3=1k，C 1=47F
13、 ，R 1=0.83k(1)若输入为中频正弦交流信号，求中频增益 Avi=vo/vi 的值；(2)电路的下限截止频率 fL=?5.电路如图四(5)所示，图中二极管和运放均为理想，试通过分析，绘出 vov i的关系曲线，要求写出分析过程。浙江省 2005 年 4 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题 2 分，共 20 分)1.P 型半导体中多数载流子为_，少数载流子为_。2.PN 结的反向击穿有_和_两种击穿。3.三极管工作在饱和状态时，其发射结_，集电结_。4.当某三极管 VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在_区，集电极电流和基极电流关系是_。5
14、.场效应管的导电过程仅仅取决于_载流子的运动；因而它又称做_器件。6.在场效应管放大电路中，就 VGS 而言，_型 MOS 管是单极性的，而_型 MOS 管可以是双极性的。7.放大器的失真分为_失真和_失真两大类。8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移_，而直接耦合放大电路的零点漂移_。9.共发射极放大电路输出电压 Uo 与输入电压 Ui 的相位关系是_，共基极放大电路输出电压 Uo与输入电压 Ui 的相位关系是_。10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入_型负反馈，若要稳定输出电压应引入_型负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序
15、号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分)1.杂质半导体中少数载流子浓度( )。A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量( )。A.IB B.VCEC.VBE D.IC3.若三极管的发射极电流为 1mA，基极电流为 20A，则集电极电流为( )mA。A.0.98 B.1.02C.1.2 D.0.84.场效应管是( )器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压C.电压控制电流 D.电压控制电压5.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的( )。A.和值 B.差值C.平均值 D.乘积值6.由 PNP 管组成的共射放大电路，若测得 VCEQ=-VCC,-VCC 为电源电压，则可判断该三极管处于( )。A.放大状态 B.饱和状态
