各种晶体管的导通条件及特性,SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT,晶闸管(SCR),阳极Anode,阴极kathode,关断条件：晶闸管阳极电流小于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流),G-Gate 门极,门极可关断晶闸管(GTO),G-Gate 门极,阳极Anode,阴极kathode,电力晶体管(GTR),基极base,C- collect 集电极,e- emitter 发射极,GTR在伏安特性区中只工作在饱和区和截止区,导通：在基极b施加驱动信号 关断：在基极b去掉驱动信号,电力场效应晶体管(MOSFET),S-Source 源极,D-Drain 漏极,G-Gate 门极,箭头往里为N沟道，虚线为增强型，实线为耗尽型,绝缘栅双极晶体管（IGBT）,
