1、1.热电偶,回路中所产生的电动势，叫热电势。热电势由两部分组成，即接触电势和温差电势。,（1）接触电势,（2）温差电势,回路接触电势,回路温差电势,知识回顾,2.热释电探测器,3.高莱探测器,太赫兹波探测器的研究背景及意义,宽频性：0.1THz10THz(30um3mm)。透视性：对非极性物质有很强的穿透能力（对不透明物体进行透视成像）。安全性：1THz光子的能量为4.1meV，约为X射线光子能量的1/100（可用于旅客 的安全检查）。可用于物质的光谱分析：大量极性分子的振动和转动能级正好处于THz波频段。,目前太赫兹光源的辐射功率普遍都比较低，因此发展高灵敏度、高信噪比的太赫兹探测技术尤为重
2、要。,4.太赫兹波探测器,太赫兹波探测器的研究背景及意义,5,关于太赫兹探测器的一些最新研究进展,研究方法,自混频探测的模型及原理,工作原理图,CMOS or HEMT,背景电流,光电流,选用电子迁移率较高的材料设计高效的太赫兹混频天线,器件整体结构,1.裂片，清洗，光刻，ICP刻蚀,2.ALD生长AL2O3,3.欧姆窗口腐蚀,4.蒸金，剥离和退火,5.光刻制作电子束对准标记，蒸金，剥离，电子束曝光，蒸金，剥离,6.光刻，蒸金，剥离制作天线和pad,工艺流程,测试装置图,测试电路连接示意图,I-V 电导 跨导,ITHz-Vg 响应度 等效噪声功率 响应频谱 响应速度 偏振特性,场效应基本特性测
3、试,太赫兹检测特性测试,BWO: 0.85 THz0.95 THz , P50nWChopper：04 KHzPE detector: 6x103 V/W 317 Hz,测试及优化,测试及优化_无特意设计天线结构,11,验证测试光路和测试系统;初步检测到微弱的光电流初步检 测到微弱的光电流；响应度约为10 V/W;跟自混频模型吻合；低温下光电流增加（低温下电子 的迁移率增加),Spad=100 um, Lg=2 um, Lw=8 um, Lds=8um,Characterization of a room temperature terahertz detector based on a Ga
4、N/AlGaN HEMTH, Journal of Semiconductors. 32, 064005 (2011).,1st step: 双极子天线 to 三极子蝶形共振天线,Enhancement of Terahertz coupling efficiency by improved antenna design in GaN/AlGaN HEMT detectors, Chinese physics B ,21,10. (2012).,2nd step: :三极子蝶形共振天线器件对比,Room temperature GaN/AlGaN self-mixing terahertz d
5、etector enhanced by resonant antennas, Applied Physics Letters. 98, 252103 (2011),3nd step: :三极子蝶形共振天线+微米栅器件的优化,响应度,以器件#4为例进行测量室温下器件的响应度达 到了9.45x102 V/W。 低温下器件的响应度超 过了8 KV/W。,PE探测器真实能量：,为PE响应度,为PE响应电压,HEMT探测器真实能量：,#4：Spad=200 um, Lg=2 um, Lw=5um, Lds=4 um,等效噪声功率,以器件#4为例进行测量室温下器件的NEP达58 pW/Hz0.5。 低温下
6、器件的NEP达到4p W/Hz0.5。,偏振特性,天线具有良好的偏振特性。THz电场平行于天线的长边时： 器件的响应最大。 THz电场垂直于天线的长边时： 器件的响应最小。,偏振特性：,Room temperature GaN/AlGaN self-mixing terahertz detector enhanced by resonant antennas, Applied Physics Letters. 98, 252103 (2011),响应速度,以器件#4为例进行测量室温下铁电探测器的响应速度低 于500 Hz室温下测辐射热计在4 KHz的调 制频率下，衰减了将近10倍。室温下HEM
7、T探测器的响应速度 远高于4 KHz,Bolometer,PE detector,HEMT detector, 500Hz,接近4KHz,远高于4KHz,光谱响应,High-responsivity, low-noise, room-temperature, self-mixing terahertz detector realized using floating antennas on a GaN-based field-effect transistor, Applied Physics Letters. 100, 013506 (2012),整体面积为：2mm*4mm每个单元的面积约为
8、：0.6mm2,测试结果,加工结果,探测器的应用研究_线阵列探测器,光电流偏差N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质。 如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。 N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。 问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢?,小结,导带,价带,导带,价带,正常分布,反转分布,产生激光的必要条件二：粒子数反转分布,产生粒子数反转的方法,注入载流子对PN结施加正向偏压 半导体激光器强光对激光物质进行照射固体激光器气体电离气体激光器,激
9、光振荡和光学谐振腔,工作物质,产生激光的必要条件三：有光学谐振腔,光增益,EC,EV,产生稳定振荡的条件（相位条件）,q纵模模数，n 激光媒质的折射率,1什么是太赫兹波？,2太赫兹波的特点有哪些？,3自混频探测的机理是什么？,4在红宝石Q调制激光器中，有可能将全部Cr3(铬离子)激发到激光上能级并产生巨脉冲。设红宝石直径0.8cm，长8cm，铬离子浓度为21018cm3，巨脉冲宽度为10ns。求：(1)输出0.6943m激光的最大能量和脉冲平均功率；(2)如上能级的寿命102s，问自发辐射功率为多少瓦？,5(1)普通光源发射0.6000m波长时，如受激辐射与自发辐射光功率体密度之比 ，求此时单
10、色能量密度 为若干？(2)在HeNe激光器中若 ，=0.6328m，设1，求 为若干？,谢谢！,解:(1),(2),例1(1)普通光源发射0.6000m波长时，如受激辐射与自发辐射光功率体密度之比 ，求此时单色能量密度 为若干？(2)在HeNe激光器中若 ，=0.6328m，设1，求 为若干？,例2在红宝石Q调制激光器中，有可能将全部Cr3(铬离子)激发到激光上能级并产生巨脉冲。设红宝石直径0.8cm，长8cm，铬离子浓度为21018cm3，巨脉冲宽度为10ns。求：(1)输出0.6943m激光的最大能量和脉冲平均功率；(2)如上能级的寿命102s，问自发辐射功率为多少瓦？,解：（1）最大能量
11、,脉冲平均功率P,(2),第一章 光电导探测器,1.本征半导体？杂质半导体？（课件）2. 欧姆定律的微分形式？电导率跟迁移率的关系？3. 金属、半导体、绝缘体的能带示意图？4. 电导率的表达式？5. 光电导效应？产生光电导效应的条件是什么？ 提高光电导效应的方法是什么？6. 暗电流、亮电流、光电流、暗电导、亮电导、暗电阻和亮电阻之间的关 系？7. 光电流的表达式？光电导增益？光电导灵敏度？量子效率？光电导惰性？ 前历效应？8. 光敏电阻的敏感机理？,期末考试复习要点,第二章 结型光电器件(重点),1.金属半导体接触？肖特基基础？欧姆接触？2. 光电效应？外光电效应？内光电效应？光电导效应？光生
12、伏特效应？3.解释不同光照下PN结的伏安特性曲线。4. 简述光电池与光电二极管的基本工作原理，并说明两个的区别（结构、原理）5. 光电二极管与普通二极管的区别？6.光电三极管与普通三极管的区别？ 7.说明PIN管、雪崩光电管的工作原理和各自特点?PIN管的频率特性为什么 比普通光电管好？8.试述PSD的工作原理。与象限探测器相比，PSD有什么优点？9.光伏探测器的频率特性优于光电导探测器，试从二者的机理上解释？,1.光电阴极？使阴极发射电子的方式？ 2. 常用的光电阴极有哪几种？特点？ 3. 作为光电阴极，金属和半导体各自的特点是什么？ 4. PMT是由哪几部分组成的?并说明其工作原理? 5.
13、什麽是负电子亲和势光电阴极?它与正电子亲和势光电阴极相比具有哪些优点? 6.光电培增管的倍增级结构形式有几种,各有哪些特点？ 7. 什麽是二次电子?并说明二次电子发射的三个过程?,第三章 光电阴极和光电培增管,1、CCD摄像传感器的结构，原理、以及工作过程2. 电荷的产生、收集和转移过程,第六章 太赫兹波探测器,1.热辐射的一般规律？温升？热容？热导？以及它们之间的关系？2. 热敏电阻的分类及其工作原理3 热电偶？解释温差电动势和接触电动势？4.热释电探测器的工作原理？居里温度？自发极化？5.高莱探测器的工作原理？,第四章 CCD简介,第五章 热辐射探测器件,1什么是太赫兹波？2太赫兹波的特点有哪些？3自混频探测的机理是什么？,第七章 激光器,1产生激光的条件？要素?原理？2. 黑体辐射？斯特潘-玻尔兹曼定理？维恩位移定理？ 瑞利金斯公式 3. 自发辐射？受激辐射？受激吸收？以及三者之间的关系？,
