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压电石英晶体.ppt

上传人:精品资料 文档编号:10526896 上传时间:2019-11-25 格式:PPT 页数:42 大小:13.40MB
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资源描述

1、压电石英晶体,王春雷 山东大学 物理学院 晶体材料国家重点实验室,石英晶体: 石英晶体的结构、培育、主要特性、质量检验、缺陷和电清洗 压电效应: 压电效应、压电方程、切型和定向、旋转坐标系、频率温度系数 振动模式: 振动模式、压电振子的等效电路、机电类比和机电网络 谐振器和振荡器: 谐振器的等效电路、振动模式;振荡器原理,参考书目: 秦自楷 等,压电石英晶体,国防工业出版社,北京,1980 张沛霖,钟维烈 等,压电材料与器件物理,山东科学技术出版社,济南 1997,为什么需要压电谐振器 压电石英谐振器=时间/频率标准 早期计时工具:沙漏 机械时代:单摆或者复摆,钟表、手表;分辨率(解析率)re

2、solution 秒的量级;提高resolution,让计时更准确:更小的摆轮,运动会计时用的秒表:比如百米时间 918 摆的原理是:振动一周期的时间至于摆的长度和摆的重量有关;,机械时代的单摆计时标准有以下问题: (1)计时不准确:时间分辨率(解析率低) 秒的量级; (2)计时不准确:受外加环境影响大-摆的长度变化,热胀冷缩,一般是摆的下端加调节螺栓达到修正摆的长度的功能(优势);机械磨损,手表中的部件使用钻石; (3)机械振动,无法成为电路中的电学量的时间频率标准!,压电石英晶体谐振器:高频、不随温度变化、无磨损、形成电信号,LCR振荡电路可以输出一定频率的电压信号:其输出频率随温度变化,

3、原因是L、C、R的参数值随温度有变化。,压电石英晶体谐振器和振荡器: 高频:几何尺寸小; 控制精确 不随温度变化:零温度系数切型;ppm 无磨损:高机械品质因子;mechanical quality factor 形成电信号:压电效应,有需要进行时间、频率控制的电路,就有压电石英晶体谐振器:电子表、雷达、计算机、电视、冰箱、GPS、MP3、U-disc ,为什么需要压电谐振器:是作为时间频率控制的标准;控制精确,受环境温度影响小,机电一体;,为什么使用石英晶体 高频:几何尺寸小; 不随温度变化:零温度系数切型; 无磨损:高机械品质因子;mechanical quality factor 形成电

4、信号:压电效应 价格低廉、性能稳定等一系列优良品质!,在压电材料中,石英晶体的压电性时比较弱的! 人们一直在寻找更强压电性的晶体替代石英晶体: GaPO4, AlPO4, La3Ga5SiO14(LGS),RCaO4(BO3)3 (R=La、Gd、Y)低对称性晶体,石英谐振器应用,计算机显示卡,计算机主板,U盘,压电效应的其他应用,倒车雷达,压电变压器: LCD Devices, Digital Cameras, Lighting Equipment, etc.,山东大学物理学院相关课程设置: 压电铁电物理王春雷晶体基本知识,介电、弹性、压电、铁电基本知识;压电效应和压电方程,振动模式和等效电

5、路 电介质材料和器件 苏文斌晶体材料和陶瓷材料的成分、结构和主要性质,生长制备方法等 电介质测量赵明磊介电测量、压电测量、铁电测量原理和方法,石英晶体 石英晶体的结构、培育、主要特性、质量检验、缺陷和电清洗,石英的晶体外形,Quartz crystal,理想石英外形:分为左旋石英和右旋石英晶体 成分:SiO2 二氧化硅 二氧化矽 Silicon dioxide,人工石英晶体: 实用的石英晶体绝大部分是人工培育的。人工石英晶体收籽晶(Seed)形状和生长条件的影响有不同的外形。常见的人工石英晶体有沿y轴较长的y棒和z面较大的z板。 y-bar z-plate,同一品种的晶体,不论其外形如何,两个

6、相应晶面之间的夹角保持不变。这个普遍规律被概括为:晶面角守恒定律。 由于外界条件的不同,晶体在生长过程中,这个晶面比那个晶面可能生长地更快些,甚至有的晶面在外形上并不出现,但两个对应晶面之间的夹角总是不变。 例如,石英晶体中的两个m面之间的夹角总是12000,r面和s面之间的夹角总是11308。 晶面守恒定律的发现对于结晶学的发展起了很大的促进作用。例如,从晶面角之间的关系导致晶体对称性概念的产生。,石英晶体各晶面法线夹角,石英晶体的晶轴和坐标轴: 石英晶体属于32点群,其中:c轴是三重轴,a、b轴是二度轴。 人工石英晶体的外形不同于理想石英,但是晶轴和坐标轴的选择是完全一样的。 石英晶体分为

7、左旋右旋之分;有的文献左旋晶体用左手坐标系,右旋晶体用右手坐标系;这样压电常数的符号相同;,通常情况,左旋、右旋晶体都使用右手坐标系,这样压电常数的符号相反;绝大多数人工石英晶体是右旋晶体。,石英晶体的光轴 电轴 机械轴 z轴与天然石英晶体的上、下顶角连线重合(即与晶体的C轴重合)。因为光线沿z轴通过石英晶体时不产生双折射,故称z轴为石英晶体的光轴。 x轴与石英晶体横截面上的对角线重合(即与晶体的a轴重合),因为沿x方向对晶体施加压力时,产生的压电效应最显著,故常称x轴为石英晶体的电轴。 沿x轴或者y轴施加应力,在y轴不产生压电效应,只产生形变。Y轴称为机械轴。,石英晶体晶面指数: 晶体的晶面

8、和晶向指数是按照晶轴坐标系确定的。晶面指数又称为米勒(miller)指数。定义为晶面在晶轴截距倒数的互质比。通常为三轴指数。对于石英晶体又有三轴指数和四轴指数。 三轴是:a、b、c 四轴是:a、b、d、c,三轴表示的面指数(hkl); 四轴表示的面指数(hkil),并且有h+k+i=0,石英晶体常见的晶面指数: 在晶体的定向和切割会用道晶面指数。,石英晶体的内部结构(微观结构),石英晶体在573C 870C之间为相。 在573C之下为相,有左旋和右旋之分。 右旋和左旋晶体三个晶胞中Si原子的位置。,右旋石英晶体三个晶胞在c面的投影图: 沿c轴方向存在比较大的通道。这些通道通常是杂质原子所在地,

9、而且晶体中较小的杂质离子(如:H+、Li+和Na+等)容易沿通道移动。由这一特征可以理解石英晶体的许多物理性质。例如:平行于z轴的电阻率远小于垂直方向的电阻率。,石英晶体是用水热法在SiO2过饱和溶液中生长的。在常温常压下,石英晶体不溶于水,也没有有效的助溶剂。但是高温有利于石英晶体的溶解,在加入适量的助溶剂(如:NaOH或者Na2CO3)后,即可使石英晶体达到所需要的溶解度。这就是用高压釜培育石英晶体的原理。 高压釜是提供高温高压的设备。,石英晶体的人工培育,高压釜内部用对流板分成上下两部分。上半部是生长区,下半部是溶解区。溶解区放置适量的石英碎块,生长区的籽晶架上悬挂籽晶。注入碱溶液,填充

10、率80%85%。装料后密封,然后在高压釜外围加热。加热器的设计使高压釜上下保持一定的温差,使二氧化硅碱溶液形成对流。溶解区的饱和溶液可进入生长区,并形成过饱和溶液,籽晶在过饱和溶液中生长。同时生长区的回流到溶解区补充原料。,如此循环,使晶体逐渐长大。历时几十天,可以培育出所需要的人造石英晶体。 高压釜上半部温度约400 C ,下半部温度约350 C;釜内压强100 200兆帕;内径65厘米,外径1.82.5倍内径,长度1020倍内径。 影响生长速率和晶体质量的主要因素:籽晶的取向;溶液的种类和浓度;填充度;高压釜上下部的温度差;对流控制板的开孔率, 5%10%左右。,石英晶体的主要特性: 石英

11、晶体的研究和应用已经有许多年了,积累大量的实验数据。这些数据描写了石英晶体的主要特性: 热学参数:热膨胀系数及其温度系数,导热系数,比热 电学参数:介电常数,及其温度系数,电阻率 弹性常数:顺服常数、劲度常数,及其各级温度系数 压电常数:及其温度系数 密度和密度温度系数 许多文献手册可以查到,石英晶体的质量检验方法,石英晶体的质量检验方法通常有:标准方法,红外吸收法和生长速率各向异性法。 标准方法是按照石英谐振器的Q值来确定的。其他方法也是换算成Q值来鉴定的。 Q值又称机械品质因子Qm。 Mechanical quality factor,标准方法石英晶片的取片位置。,鉴定石英晶体质量Q值的谐

12、振器要求: (1)晶片的切型为AT35222,取自晶体的z区; (2)谐振器频率5MHz5kHz(五次泛音); (3)晶片为平凸型,直径14mm ,曲率半径50mm,表面经过抛光;,(4)电极直径8.5mm,电极材料为银或者金,镀电极后频率返回量2kHz; (5)支撑点在z轴与圆周之间的两个交点上; (6)密封真空度优于10-3Pa。,按Q值大小对石英晶体分级(GB3352-82),其中:A级和B级石英晶体可用来制造最高质量的石英谐振器,C级主要用于高频谐振器,D级和E级主要适用于低频谐振器。 Q值很低(几十万或者以下)的石英晶体,其Q值随温度的升高而迅速下降,所以有时用Q值随温度的变化来评价

13、人造石英晶体。高Q值的人造石英晶体就不需要这种评价方法,它们的Q值对温度是很稳定的。,石英晶体的缺陷和电清洗: 缺陷包括:包裹体、位错、杂质、双晶、蓝针、气泡 包裹体:晶体浸在折射率相匹配的液体中,由光源的散射光可以观察到得晶体中的外来物质。包裹体有固体的,也有液体的。最常见的包裹体为锥辉石,即硅酸铁钠(NaFeSi2O6)。此外,还有硅酸铝钠(NaAlSiO4)和硅酸锂(Li2Si2O6)等。包裹体的尺寸大多在100m以下,个别的达1mm以上。 包裹体的数量和尺寸严重降低了晶体的质量,在高频应用中尤其应该注意。AT切片基频24MHz时的厚度仅70 m,接近于该尺寸的包裹体将使晶片无法正常工作

14、。,国际电工委员会(IEC)根据包裹体的尺寸和浓度规定了石英晶体的级别。,每立方厘米中各种包裹体的最大数目,这里Ia和I级用于特殊的高质量光学器件,II级一般用于高频体波或者表面波谐振器,III级用于大部分专业和工业元件。,我国国家标准GB3352-82规定石英晶体按包裹体尺寸和浓度分级如下。,石英晶体按包裹体尺寸和浓度分级,位错:石英晶体中常见的位错有三种:一是其轴垂直于c轴的螺旋位错;而是其轴平行于c轴的刃型位错;三是混合位错。 因为沿c面生长的晶体(即z区晶体)质量最好,所以我们主要关心的是平行于c轴的刃型位错。观测位错一般用x射线形貌相机;也可以用化学腐蚀法揭示腐蚀隧道,以此作为位错数

15、目的量度。,国际电工委员会 按腐蚀隧道密度对石英晶体分级,杂质:浓度单位为(相对于Si的)10-6,石英晶体中杂质的位置,双晶: 石英晶体中有两种双晶:电双晶、光双晶 电双晶,也称为道芬双晶(Dauphine):两部分同为左旋或者同为右旋晶体,一部分绕z轴(c轴)转180即得另一部分。由于两部分电轴(x轴)极性相反,所以电双晶没有压电性。这是电双晶名字的来历。 光双晶,又称为巴西双晶(Brazil):他由左旋或者右旋两部分连生而成。由于左、右旋晶体的旋光性相反,所以光双晶失去了旋光性。这是光双晶名字的来历。,电双晶,光双晶,电双晶,光双晶,石英晶体的电清洗: 电清洗是通过施加电场改变人造石英晶

16、体中的电荷补偿状态以提高抗辐射能力的方法。 人造石英晶体中几乎都含有Al、Li、Na杂质,而且Al3+倾向于占据Si4+的位置,因此需要有电荷补偿。碱金属离子M+可以提供这种补偿,即形成Al3+M+O4原子团。杂质H也可以离化而提供所需要的电子,即形成Al3+H+O4原子团。,Al占据Si的位置,由M+(Li+、Na+等)提供电荷补偿。,Al占据Si的位置,由H+提供电荷补偿。,通常碱金属的激活能在0.761.24eV之间,氢的激活能在1.51.9eV之间。在受到辐照时,碱金属离子可被释放,他们将松弛低束缚在沿z轴的通道内,使晶格畸变,弹性常数改变,于是谐振频率也就改变了。,而H+电荷补偿状态

17、中,氢较难释放,而且其离子半径小,造成的晶格畸变小,抗辐照能力强。,受辐照不稳定,受辐照稳定,在较高的温度和电场作用下,碱金属离子被释放。令电场沿z轴。碱金属离子将沿z轴迁移,而Al3+所需要补偿的电荷由H+提供。 电清洗可以在空气中或者真空中进行。样品上制备与z轴垂直的电极,通常蒸镀金或铂电极。温度在500C左右,直流电场强度13kV/cm。 电清洗的效果:降低了晶体内的微观应力。腐蚀隧道密度降低,断裂强度提高,电导率明显减小。,石英晶体: 石英晶体的结构、培育、主要特性、质量检验、缺陷和电清洗 压电效应: 压电效应、压电方程、切型和定向、旋转坐标系、频率温度系数 振动模式: 振动模式、压电振子的等效电路、机电类比和机电网络 谐振器和振荡器: 谐振器的等效电路、振动模式;振荡器原理,

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