1、Am29LV160D16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit)CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory鲜明的特点1. 单电源工作-全电压范围：2.7 至 3.6 伏特，电池供电应用的读写操作-稳压范围：3.0 到 3.6 伏读取和写入操作，并与高性能的 3.3 伏微处理器兼容2. 0.23 微米制造工艺技术-0.32 微米 AM29LV160B 装置完全兼容3. 高性能-快速存取时间为 70 纳秒4. 超低功耗（5MHz 的典型值）-自动睡眠模式电流为 200 nA-待机模式电流为 200 nA-9 毫安的读出电流-
2、20 毫安程序/擦除电流5灵活的部门架构-一个 16 千字节，两个 8 千字节，32 千字节，31 个 64 千字节扇区（字节模式）-一个 8 kword 的，两个 4 kword 的，一个 16 kword 的，和三十一个 32 kword 的扇区（字模式）-支持全芯片擦除-扇区保护功能：一种硬件方法锁定一个扇区，以防止任何程序或擦除操作在该部门的部门可以被锁定在系统或通过编程设备临时机构撤消功能允许在以前的代码更改锁定扇区6.解锁绕道程序命令-发出多个程序的命令序列时降低了总体规划7. 顶部或底部启动块配置8. 嵌入式算法-嵌入式擦除算法自动预编程和擦除整个芯片或指定部门的任何组合-嵌入式
3、程序算法自动写入和验证数据在指定的地址9. 至少 1000000 写周期保证每扇区10. 20 年的数据保存在 125C-系统的寿命运行可靠11. 封装选项- 48 balld 的 FBGA- 48 针的 TSOP-44 针的 SO12. CFI（通用闪存接口）兼容-为系统提供设备特定信息，允许主机软件，轻松地配置不同的闪存设备13. 与 JEDEC 标准兼容-引脚与单电源闪存软件兼容-优越的无意的写保护14. 数据轮询和切换位-提供一个检测程序或擦除操作完成的软件方法15. 准备/繁忙引脚（RY / BY）-提供一个检测的程序或擦除周期完成硬件的方法（不适用 44 引脚 SO）16. 擦除暂停/删除恢复-挂起擦除操作来读取数据，数据或程序，一个扇区不被擦除，然后恢复擦除操作17. 硬件复位引脚（RESET ）-硬件方法重置设备读数数组数据
