1、 SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 1 - SM2318E 特点 输入电压110Vac或220Vac 恒流精度小于5% 功率因数大于0.98 THD小于15% 内置过温保护 支持可控硅调光，可实现多段 LED灯同亮同灭 封装形式：ESOP8 应用领域 LED恒流驱动 LED球泡灯 LED吸顶灯 概述 SM2318E是一款高功率因数LED线性恒流驱动芯片，支持可控硅调光，调光过程多段LED灯可实现同亮同灭，亮度均匀变化。 芯片内部集成维持电流电路，可控硅调光应用无需外部维持电流，提高系统效率和LED光效。 芯片集成过温保护等功能，提升系统应用可靠性
2、。 管脚图 GNDOUT2OUT1VINREXT2REXT1VDDOUT312348765ESOP8TRAIC典型示意电路图 SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 2 - 管脚说明 名称 管脚序号 管脚说明 TRAIC 1 可控硅调光控制端 VDD 2 芯片电源端 REXT1 3 维持电流值设置端 REXT2 4 输出电流值设置端 OUT3 5 恒流输出端口3 OUT2 6 恒流输出端口2 OUT1 7 恒流输出端口1 VIN 8 芯片供电 GND 衬底 芯片地 订购信息 订购型号 封装形式 包装方式 卷盘尺寸 管装 编带 SM2318E ESOP8
3、 100000只/箱 4000只/盘 13寸 SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 3 - 极限参数 若无特殊说明，环境温度为25C。 符号 说明 范围 单位 VOUT OUT端口电压 -0.5 500 V IOUT OUT端口电流 1 60 mA RJA PN结到环境的热阻 65 /W TJ 工作结温范围 -40 150 C TSTG 存储温度 -55 150 C VESD HBM人体放电模式 2 KV 注：表贴产品焊接最高峰值温度不能超过260，温度曲线依据 J-STD-020 标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定。 电气工作参数 若无特
4、殊说明，环境温度为25C。 符号 说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VOUT_BV OUT端口耐压 - 500 - - V IOUT 输出电流 - - - 100 mA IDD 静态电流 VIN=10V - 0.30 0.50 mA VREXT0 REXT1端口电压 VIN=10V - 0.45 - V VREXT3 REXT2端口电压 VIN=10V，VOUT3=10V 0.9 V DIOUT IOUT片间误差 IOUT = 10mA50mA - 5 - % T 过温保护起始点 - - 140 - SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 4
5、- 功能表述 SM2318E是一款高功率因数LED线性恒流驱动芯片，工作于分段式自动切换模式。并支持可控硅调光，调光过程可实现多段LED灯同亮同灭，LED亮度均匀变化。 芯片集成过温保护等功能，提升系统应用可靠性。可通过外部参数调整适应不同类型可控硅调光器。 泄放电流 SM2318E 具有可控硅调光泄放电流供电功能，泄放电流通过芯片 REXT1 端口的电阻值进行调节，RVI rext1 ，其中 45.01 rextV V，I 为泄放电流。 输出LED灯珠压降及各段灯珠比例设计 SM2318E 芯片各 OUT 端口开启电压恒流点 outU =4.0V(I=40mA)，当各 OUT 端口灯珠压降比
6、例依次为 8:5:2 时，系统获得较佳的光效和较高的功率因素（PF0.98），如果想获得更高的光效，可适当调整各段灯珠比例。 过温保护 当芯片内部温度高于过温保护点，芯片会自适应降低输出电流，降低功耗。 增大输出电流的措施 SM2318E内部有温度补偿电路，因此要增大输出电流，就必须有良好的散热措施，以降低SM2318E芯片的温度。 1）采用铝基板PCB； 2）增大SM2318E衬底（GND）的覆铜面积； 3）增大整个灯具的散热底座 SM2318E支持芯片并联应用方案。若系统输出功率过大导致芯片温度高时，可以采用多颗SM2318E芯片并联的应用方案。 SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流
7、LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 5 - 典型应用方案 12W120Vac/60Hz 可控硅调光方案 原理图 120Vac/60Hz 输入可控硅调光典型应用电路 9V*8 9V*5 9V*2C1R1R7R8 C3U1D1R9E1C2R2R4R5 R62并DB1RV1NLACR3D2 D3 D4 U2FR1OUT1OUT2OUT3REXT2REXT1VDDTRAIC VINGND56784321OUT1OUT2OUT3REXT2REXT1VDDTRAIC VINGND56784321BOM单 位号 参数 位号 参数 位号 参数 FR1 10R/1W 绕线电阻 R3 18R/0805 R9
8、100K/1206 RV1 7D471 R4 20R/0805 C1-C3 1uF/16V DB1 MB6S R5R6 220R/1206 LED1-LED23 9V/100mA/2835 D1-D4 ES1J R7 1M/1206 E1 100uF/160V R1 10R/0805 R8 30K/0805 U1、U2 SM2318E R2 12R/0805 1. 调节R1，R2电阻值改变系统输出电流值。 2. 根据不同可控硅调光器性能，可通过调节R3，R4电阻值改变系统工作的泄放电流。 R10 R11用二个220欧串联R10 R11SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZ
9、ZBIGV1.0 - 6 - 12W220Vac 可控硅调光方案 原理图 220Vac 输入可控硅调光典型应用电路 18V*8 18V*4 18V*2C1R1R7R8 C3U1D1R9E1C2R2R4R5 R62并DB1RV1NLACR3D2 D3 D4 U2FR1OUT1OUT2OUT3REXT2REXT1VDDTRAIC VINGND56784321OUT1OUT2OUT3REXT2REXT1VDDTRAIC VINGND56784321BOM单 位号 参数 位号 参数 位号 参数 FR1 10R/1W 绕线电阻 R3、R4 4.7R/0805 C1、C2 1uF/16V RV1 7D47
10、1 220R/1206 C3 10uF/16V DB1 MB6S R7 1M/1206 LED1-LED22 18V/30mA/2835 D1-D4 ES1J R8 20K/0805 E1 47uF/400V R1 22R/0805 R9 300K/1206 U1、U2 SM2318E R2 24R/0805 1. 调节R1，R2电阻值改变系统输出电流值。 2. 根据不同可控硅调光器性能，可通过调节R3，R4电阻值改变系统工作的泄放电流。 R10 R11用二个220欧串联R5R6R10R11SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 7 - 系统PCB图及布板注意事项 （1） IC衬底部分进行铺铜处理，进行散热，增加可靠性，铺铜如上图所示。 （2） IC衬底焊盘漏铜距离PIN1和PIN8端口需保证1mm以上的间距。 铺铜散热 SM2318E可控硅调光高功率因数线性恒流LED驱动芯片QZZBIGV1.0 - 8 - 封装形式 ESOP8 Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.75 b 0.25 0.7 c 0.1 0.35 D 4.6 5.3 D1 3.12供参考 E 3.7 4.2 E1 5.7 6.4 E2 2.34供参考 e 1.270(BSC) L 0.2 1.5 0 10
