1、1、存储器分类 2、存储器结构 3、存储器接口,一、有关存储器几种分类按构成存储器的器件和存储介质分类半导体存储器磁盘和磁带等磁表面存储器光电存储器,按存取方式分类随机存储器RAM (Random Access Memory)只读存储器ROM（Read-Only Memory）串行访问存储器(Serial Access Storage),按在计算机中的作用分类主存储器(内存)辅助存储器(外存)高速缓冲存储器,二、半导体存储器的分类1、随机存取存储器RAM2、只读存储器ROM,1、随机存取存储器RAMa. 静态RAM （ECL，TTL，MOS）b. 动态RAM,2、只读存储器ROMa. 掩膜式R
2、OM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E2PROM等,RAM,静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM）,ROM,掩膜型ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM),三、多层存储结构概念 1、目的是解决容量、速度、价格间的矛盾，建立起多层存储结构。多层存储体系充分体现出容量和速度关系。,2、多层存储结构寄存器Cache(高速缓存)内存磁盘磁道、光盘,Cache主存层次：解决CPU与主存的速度上的差距；主存辅存层次：解决存储的大容量要求和低成本之 间的矛盾 。,主存储器结构
3、 一、 主存储器的主要技术指标 存储容量 存取速度 可靠性 功耗,1、存储容量存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量（寻址空间，由CPU的地址线决定）,2、存取速度存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，又称为读写周期。SDRAM: 12ns 10ns 8nsRDRAM: 1ns 0.625ns,3、可靠性可靠性是用平均故障间隔时间来衡量（MTBF, Mean Time Between Failures） 4、功耗功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小,二、主存储器的基本组成MOS型器件构成的RAM，分为静态和动态RAM两种，静态RAM通常有6管构成的触发器作为基本存储电路静
4、态存储单元，动态RAM通常用单管组成基本存储电路。,结构地址译码输入输出控制存储体,地址线,控制线,数据线,存储体,译码器,输入输出控制,单译码结构,地址译码器：接收来自CPU的n位地址，经译码后产生2n个地址选择信号，实现对片内存储单元的选址。 控制逻辑电路：接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号，形成芯片内部控制信号，控制数据的读出和写入。 存储体：是存储芯片的主体，由基本存储元按照一定的排列规律构成。,译码器,译码器,矩阵译码电路,行线,列线,地址线,地址线,74LS138译码芯片 译码芯片74LS138，有三个“选择输入端”C、B、A和三个“使能输入端” G1、/G2A，/G2B
5、#以及8个输出端 Y7 /Y0 功能：38译码,译码芯片74LS138,工作特点 当 G1、G2a，G2b 有效时，芯片工作。 工作时YCBA=0,1,1,1,1,1,1,1,1,X,X,X,其 它,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1,1,0,0,1,1,1,1,1,1,1,0,1,0,1,1,0,0,1,1,1,1,1,1,0,1,1,1,0,1,0,0,1,1,1,1,1,0,1,1,1,0,0,1,0,0,1,1,1,1,0,1,1,1,1,1,1,0,0,0,1,1,1,0,1,1,1,1,1,0,1,0,0,0,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,0,0,0,0,1,0,1,1,1,1,1,1,1,0,0,0,0,0,1,Y0#,Y1#,Y2#,Y3#,Y4#,Y5#,Y6#,Y7#,A,B,C,G2B#,G2A#,G1,选 择,使 能,输 出,输 入,74LS138功能表,用74LS138产生CS M/IO接74LS138 高位地址线接74LS138 /Y0/Y7作/CS,每一个Y对应64kByte； 共对应512kByte,
