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半导体激光器的最新进展及其应用现状 (1).pdf

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资源描述

1、 1004-9 24X 2001 03 -0279 -0S 13 0022 T N248.4 A 1 19 62 77K m W k W 270 LPE V PE MBE MOC V D C BE 20 1-2 S W 10W 1S W 20W 3 0W S 0W 120W 1S 00W 4800W 4.S c m X 9c m 3 S 0k W 19 88 19 89 Nd Y AG 1000W Nd Y AG 0.9 46 ! m Nd Y AG 1.06 ! m Nd Y V O 4 1.3 ! m Nd Y AG 1.3 ! m Nd BEL La Be 2 O 3 1.07 ! m

2、H O Y AG 2.1 ! m Er Y LF 2.3 ! m Nd 1.06 ! m Er 1.3 ! m 1.S! m 2 2 70 19 67 Ga AS 19 77 9 0k m 18k g 2000-12-28 2001-03 -27 9 3 20 0 1 6 OPT IC S AND PR EC IS ION ENGINEER ING V o l . 9 N o . 3 Ju n . 20 0 1 1977 Ga A s Ga A s 3 80 La s e r Te c l n OIOg y In c . La s e r At Ia t a Sc l w a t z Sp a

3、 r t a 80 90 4 125m W 4 /s 1 2 3 5-9 ! 1k m Ga A s /s 80 M931 Ga A s 1k m 1.3k g GR 500 Ga A s 2k h z 40n s 5 50m r a d 3230m 10k g Ga A s 40W 70n s 10m r a d 5.7 k h z 500m 1990 F/A- 18 1991 Nd Y A G 1.064 ! m 532n m 200m J - 35C +60C 4.5k g 5.7 k g 10-11 “ 12-13 70 2.75i n AIM - 9L DSU - 15/B 1977

4、 Ga A s 1980 A GM - 88A A DA TS M16A R DS- 70 1 2 X 1 X 0.25i n 3 22g 5W 10n s 125 ! m 250m W 400m W 200 10 # 1 8 2 3 15k m 19 9 6 9 F -16 40k m 13 - - - R BS -70 - 19 67 19 75 19 76 G a a s 5k m 3k m 6.5k m 4 .5k m 10k m 19 8 1 T O W F O G -M 1 ! G a a s 8 0 F a -4 9 9 g 11.4c m 1 14- 15 “ L E S 19

5、 73 19 75 L E S M I L E S M I L E S 8 M I L E S M I L E S ! /S a W E L D P D 1 10 # - - 1 20 2 19 9 0 /19 9 4 16-17 2 8 2 3 T a b le 1 C o m p a r is o n o f t h e m a in c h a r a c t e r is t ic s o f o p t ic a l f ib e r g y r o e s in f o r e ig n c o u n t r ie s s t a t e a n d d e p a r tm e

6、 n t l i g h t s o u r c e a n d w a v e l e n g t h ! m f i b e r l e n g t h m w i r e r i n g d i a m e t e r c m d r i f t r a t e /h s h o r t-t e r m r e s o l u t i o n r a d /s U.S.A St a f f o r d Un i v e r s i t y Ga As Se m i c o n d u c t o r L a s e r s “ =0.83 580 14 0.1 1.1X10 - 7 U.

7、S.A. Na v a l I n s t i t u t e Su p e r l u m i n e s c e n t d i o d e s “ =0.82 430 32 0.005 5.3 X10 - 7 U.S.A. Ma s s a c h u s e t t s He - Ne l a s e r s 200 19 1 9 .5 X10 - 7 Un i v e r s i t y o f Te c h n o l o g y Ja p a n NTT Co r p . I n Ga As P l a s e r d i o d e s 580 6 0 1.5 9 .7 X10

8、 - 6 Ja p a n To k y o Si n g l e m o d e Ga AlAs 2000 31.8 5 2.4X10 - 5 Un i v e r s i t y l a s e r d i o d e s G.B. L o n d o n He - Ne l a s e r 130 20 10 4.8X10 - 4 Un i v e r s i t y Ge r m a n y Te l e f u n k e n Su p e r l u m i n e s c e n t 800 40 5 4.8X10 - 6 Co r p . d i o d e s “ =0.82

9、 T a b le 2 M a in c h a r a c t e r is t ic s u s e s a n d o c c u p y in g r a t io in V a r io u s s y s t e m s Ma i n u s e s d r i f t r a t e /h o c c u p y i n g r a t i o u s e d i n v a r i o u s s y s t e m s 1990 - 1994y e a r Sh o r t-r a n g e m i s s i l e s y s t e m t a c t i c a l

10、 m i s s i l e 10 - 100 84% - 6 4% Sm a l l n a v a l v e s s e l a n d a n t i s u b m a r i n e w e a p o n L o w c h a r a c t e r i s t i c s s h o r t- r a n g e /m e d i u m r a n g e 1- 10 13 % - 20% Mi s s i l e g e n e r a l p l a n e Mi d d l i n g c h a r a c t e r i s t i c s s h o r t - r a n g e m i s s i l e 0.1-1 3 % - 11% Mi l i t a r y p l a n e Hi g h c h a r a c t e r i s t i c s b i g - w a r s h i p s u b m a r i n e 0.1 0% - 5% St r a t e g i c m i s s i l e p l a n e s a t e l l i t e s p a c e s h i p 9 9.1 1 2

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