3.10 隔离技术,要求： (1)具有可靠的隔离功能 (2)隔离工艺和硅平面工艺相兼容 (3)尽量做到表面平坦化 (4)尽量占用较少的芯片面积 (5)对整个IC特性不要产生不良影响,3.10.1、双极IC中的基本隔离技术 PN结隔离 1. 标准PN结隔离,2. pn结对通隔离,3. 集电极扩散隔离,N+扩散形成隔离岛,构成基区,不需要掩膜版,少一次光刻。 耐击穿电压低。,3.10.2 双极IC中的介质- pn结混合隔离,介质隔离是指隔离岛的四周均为SiO2,3.10.3 双极IC中的介质隔离,1. 标准SiO2-多晶硅介质隔离,2. 正沟槽介质隔离,3.10.4 MOS IC的隔离技术,1.MOS IC的特殊隔离要求 各个MOS晶体管之间已自动实现了电学隔离，但有寄生MOS的存在。,P阱CMOSN阱CMOS双阱CMOS,2 MOS IC的隔离技术,如果多晶硅或者金属线覆盖场氧区(FOX)，就会形成寄生MOS晶体管，如果导线上的电压足够高，那么就会使衬底上的硅形成反型层，使相邻的两个器件短路。,为了保证相邻MOS管之间的隔离，必须使场区寄生MOS晶体管的开启电压（阈值电压）很高。 采用下列措施： 1 增大场氧化层厚度 2提高场氧下面硅层(channel stop)的表面掺杂浓度。,场氧化层 FOX,目前常用局域氧化隔离（LOCOS ）。,
