1、中华人民共和国国家标准高压绝缘子瓷件GB 77287技术条件代替 GB772-77Technical specifications of porcelain elementFor high voltage insulators国家机械工业委员会 1987-11-23批准 1998-10-01实施本标准适用于交流额定电压 1000V及以上架空电力线路、电器和配电装置绝缘子上用的未装配(或不装配)的瓷件(以下简称瓷件)。瓷件使用场所的周围环境温度为-40+40。安装在电器上的瓷件，其使用场所的正值温度应符合其相应电器标准的规定，如无特殊规定，正值温度一般为+40。本标准不适用于在有破坏瓷及釉的介质
2、(气体或液体)中工作的瓷件。对于在 SF6气体中使用的瓷件，可由供需双方协议参照采用。本标准参照采用了国际电工委员会(IEC)如下出版物：a. IEC 233电气设备用空心绝缘子试验第二版 1974年；b. IEC 168额定电压高于 1000V的系统用户内和户外瓷或玻璃文柱绝缘子的试验第二版 1979年；c. IEC 383额定电压高于 1000V的架空线路用瓷或玻璃绝缘子的试验第三版1983年。1 术语1.1 外观质量部分a.斑点熔化在瓷件表面上的杂物(如铁质、石膏等)所形成的异色斑点；b.烧缺坯体内杂物烧去后所形成深入瓷体上的凹陷；c.杂质粘附在瓷件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒；d.
3、气泡因杂物分解在瓷体表面所形成的泡；e.釉面针孔釉面上呈现的不深入瓷体的，直径在 1mm以下的小孔；f.釉泡因烧成不良而在釉面上形成的泡；g.开裂烧成后在瓷体或釉面上形成的裂口，裂纹指宽度很微小的开裂(如龟裂等)；h.堆釉高出正常釉面的积釉部分；i.缺釉瓷件规定应上釉的表面上露出的瓷体无釉部分；j.折痕坯泥折叠在坯件表面上而未开裂的痕迹；k.压痕坯件表面因受压而造成的凹陷痕迹；I.刀痕由于坯件加工不当，在表面上造成的细条痕迹；m.波纹由于坯件加工不当，在表面上造成的不平痕迹；n.粘釉瓷件在焙烧时因瓷件相互或与外物粘连而损坏釉面或瓷体的缺陷；o.碰损坯件或瓷件相互或与外物相碰击而伤及釉面或瓷体的
4、缺陷；p.生烧瓷件最终烧成温度低于坯料成瓷温度或保温时间不够以致瓷件烧成不充分，经孔隙性试验有吸红现象者；q.过火瓷件最终烧成温度高于坯料成瓷温度或保温时间过长所形成的瓷体发脆，以及由于温度过高而引起的起泡现象；r.氧化起泡瓷件因烧成不良而引起瓷体膨胀或起泡现象；s.缺砂瓷件规定应上砂的表面上露出的无砂现象；t.堆砂局部高出正常上砂层的砂粒堆积现象；u.标记不清商标或标记模糊而辨认不清。1.2 制造工艺部分a.湿法成型采用真空挤制泥段，在坯料具有塑性状态下应用各种加工工艺(压旋、车削等)型的方法；b.湿接经粗加工的单个泥坯，在其具有塑性状态下用粘接剂将两个以上的泥坯永久地接合起来。1.3 形位
5、公差部分形状与位置公差部分的术语，除应符合 GB 1183形状和位置公差术语及定义的规定外，还应符合下述规定：a.伞缘变形度瓷件伞缘上的各点与基准平面(检查平台平面)间的最大距离；b.壁厚均匀性在瓷套的同一端面上，最厚瓷壁与最薄瓷壁之差值；c.有限结构尺寸影响瓷件装配附件的部位尺寸；d.无限结构尺寸瓷件不装配附件的部位尺寸。1.4 本标准所采用的其他术语应符合 GB 29O0.8电工名词术语绝缘子的规定。2 技术要求2.1 瓷件的尺寸偏差2.1.1 瓷件应按规定程序批准的图样制造。2.1.1.1 湿法成型瓷件一般尺寸偏差应符合表 1的规定。表 1 湿法成型瓷件一般尺寸偏差 mm偏差瓷件公称尺寸
6、有限结构 无限结构454560607070808090901101101251251401401551.52.02.53.03.54.04.55.06.02.02.53.04.04.55.06.06.57.5155170170185185200200250250300300350350400400450450500500600600700700800800900900100010006.57.07.58.08.59.010.012.013.015.016.018.019.020.00.015d+58.59.09.510.511.512.514.516.518.021.023.026.028.0
7、30.00.025d+5注：表中“瓷件公称尺寸”为被测量部位的长(高)度( H)或直径( D)。2.1.1.2 瓷件的爬电距离，如果规定值是公称值，则其负偏差应不超过下式规定，上偏差不作规定。L300 时 0.04 L+1.5mmL300时 0.025 L+6mm式中： L爬电距离的公称值，mm。如果爬电距离的规定值是最小值，则实测值不应小于规定值。2.1.1.3 湿法成型的瓷件其壁厚偏差应符合表 2的规定。表 2 瓷件壁厚偏差 mm瓷壁厚度 15 1525 2535 3545 4555 5565 65偏差 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -10注：壁厚的上偏差不作规定，但不应影响安装连接
8、。对瓷套，不应超过所在部位直径的一般尺寸偏差。2.1.1.4 瓷件不上釉部位的尺寸偏差不应超过5.0mm，或由供需双方协议。2.1.2 瓷件磨削部位的直径尺寸偏差，当未指明时应符合表 3的规定。如无精度要求者按表 1的规定。2.2 瓷件的形位公差2.2.1 湿法成型的瓷件，其形位公差应符合如下规定：a.瓷件两端面平行度应不超过 0.026Dmm(D一 般指直径，或端面尺寸)；b.瓷件轴线的直线度应不超过 0.8%H+1.5mm(H为瓷件长度或高度)；当瓷件主体长度 H与直径 D的比值 H/D0时，瓷件轴线的直线度由供需双方协议。由于轴线的弯曲可能引起瓷件伞裙的倾斜而影响瓷件两端与金属附件的装配
9、时，瓷件两端伞裙倾斜不使 Hmax-Hmin0.032D+3mm(Hmax伞裙至端面的最大距离， Hmin伞裙至端面的最小距离， D瓷件端部伞裙直径，mm。c.瓷件的圆度应不超过下列规定：表 3 瓷件磨削部位的直径尺寸偏差 mm偏差等级直径级 级 级250 0.9 2.5 3.5250315 1.0 2.5 4.0315400 1.2 +3-0 4.5400500 1.2 3.0 5.0500630 1.4 3.5 5.5630800 1.6 4.0 6.08001000 1.8 4.5 7.0D250 时 0.01 D+2.5mmD250时 0.02 Dmm式中： D瓷件直径，mm。d.瓷件
10、同一端面的壁厚均匀性应符合表 4的规定。表 4 瓷件端面壁厚均匀性 mm壁厚 l5 1525 2535 3545 4555 5565 65均匀性(不大于) 3 4 5 6 7 8 10e.盘形恳式绝缘子和针式绝缘子瓷件的伞缘变形度，应不超过 0.02Dmm(D瓷件伞裙直径，mm)。2.2.2 瓷件经磨削后的形位公差及表面状态，应符合下列规定：a.瓷件两端面平行度应不超过：等级 0.18% Dmm等级 0.35% Dmm等级 0.52% Dmm式中： D瓷件直径，mm。b.瓷件的上下端同轴度应不超过：等级 0.15% Hmm等级 0.25% Hmm等级 0.30% Hmm式中： H瓷件长(高)度
11、，mm。c.瓷件端面的粗糙度应符合表 5的规定。表 5 磨削表面粗糙度表面粗糙度尺Ra， m25 12.5 6.3 3.2 1.6适用范围 无密封要求，只是由于制造上的原因需要磨削者油密封面 气体密封面 特殊要求的光滑面注：检查时，一般可采用试品与标样(瓷)凭目力观测的方法进行比较，必要时采用仪器进行测量。2.3 瓷件的外观质量2.3.1 瓷件应按图样规定的部位均匀地上一层瓷釉。釉面应光滑，不应有显著的色调不均现象。2.3.2 瓷件表面缺陷不应影响瓷件的安装和连接，且不应超过表 6的规定。瓷件不应有生烧、过火和氧化起泡现象。表 6 瓷件外观质量瓷件分类 单个缺陷缺釉类别 HDcm2斑点、杂质、
12、烧缺、气泡等直径 mm粘釉或碰损面积 mm2 内表面mm2外表面mm2深度或高度 mm外表面缺陷总面积mm21 50 3 20.0 80.0 40.0 1 1002 50400 3.5 25.0 100.0 50.0 1 150.0(100.0)3 4001000 4 35.0 140.O 70.0 2 200.0(140.0)4 10003000 5 40.0 160.0 80.0 2 400.05 30007500 6 50.0 200.0 100.0 2 600.06 7500150009 70.0 280.0 140.0 2 12007 15000 12 100.0 400.0 200
13、.0 2 100+HD/1000注：表中 H瓷件高度或长度，cm；D瓷件最大外径，cm。内表面(内孔及胶装部位，但不包括悬式头部胶装部位)缺陷总面积不作规定。括弧内数值适用于线路针式和悬式绝缘子的瓷件。2.3.3 当耐污型产品的爬电距离 L/H2.2时( L爬电距离， H瓷件高度，mm)，其允许的缺陷总面积，应不大于表 6中各该类外表面缺陷总面积乘以 L/H1.2的系数。2.3.4 瓷件主体部位外表面单个缺釉面积应不超过表 6外表面缺釉面积的 0.7倍。2.3.5 釉面缺陷不能过分集中。釉面针孔在任一 500mm3面积范围内应不超过 20个。缺陷的堆聚(例如堆砂)应算作单个缺陷。2.3.6 堆
14、釉、折痕的高度或深度应不超过表 6的规定，刀痕和波纹的深度应不超过0.5mm，以上缺陷不计处算面积。2.3.7 瓷件焙烧支承面不上釉部位不算作缺釉，但其不上釉高度应不超过表 7的规定，超过部分按缺釉计算其面积。磨削部位表面不算作缺釉。表 7 瓷件焙烧支承面不上釉高度 mm类别瓷件分类1 24 57不上釉高度，不大于，mm 3 5 102.3.8 线路绝缘子瓷件不允许有裂纹，但线路棒式绝缘子瓷件允许在距离主体(包括电极)部位 1cm以外的伞棱表面上有裂纹。电器和配电装置用瓷件一般不允许有开裂。作为主绝缘用的及承受较大冲击机械负荷的瓷件，允许在距离主体(包括电极)部位 1cm以外的伞棱表面上有裂纹
15、，其它瓷件允许在距离电极部位 1cm以外的表面上有裂纹。以上裂纹的宽度应不超过 0.O5cm，单个长度应不超过 1cm，裂纹总长不应超过0.1(外表缺陷总面积/0.05)cm2.3.9 瓷件表面缺陷超过本标准规定时，缺陷的修补按主管部门的有关规定进行，但应由供需双方协议。2.4 瓷件剖面应均质致密，经孔隙性试验后不应有任何渗透现象。孔隙性试验的压力不低于 20106Pa，压力与时间(h)的乘积应为 180106hPa。2.5 瓷件应能耐受三次温度急剧变化而不损坏，其试验温度差按表 8规定。表 8 温度循环试验温度差瓷件尺寸，mm瓷件类型直径 高(长)度 厚度 温度差B型瓷件 最大杆径40040
16、060060075075010001000120012001500150045456060707070605040A型瓷件最大杆径5050120120150706050 150 40注：当瓷件的直径、高度或厚度(或杆径)分别与按表 8确定的温度差不同时，应取最小温度差作为瓷件温度循环试验的温度差。厚度定义按 GB 755.1绝缘子试验方法 第一部分 一般试验方法的定义确定。A 型瓷件：瓷体内最短击穿距离 L1至少为瓷绝缘子外部两电极间空气的最短距离 L2一半的瓷件，即 L1 L2/2。B 型瓷件：瓷体内最短击穿距离 L1小于瓷绝缘子外部两电极距间空气的最短距离 L2一半的瓷件，即 L1L2/2
17、。2.6 瓷件(瓷套、瓷管)壁厚工频击穿电压应不低于表 9的规定。表 9 壁厚工频击穿电压壁厚 mm 10 15 20 25 30 40 50 60工频击穿电压kV(有效值)65 80 90 100 105 115 125 135注：当瓷件壁厚介于表中的中间数值时，其击穿电压按线性插入法确定。2.7 作主绝缘用的 B型及空心瓷件，应能耐受连续 5min的工频火花电压试验而不击穿、损坏或异常发热。2.8 作非主绝缘用的瓷件，其瓷壁应能耐受连续 5min的工频电压试验而不击穿，其试验电压值为表 9规定值的 1/2。注：对于小型瓷件或由于结构上的原因按本条试验时可能要发生闪络的瓷件，应施加该瓷件发生
18、闪络时的闪络电压的 90%。2.9 瓷件应按产品标准的规定进行超声波探测检查，瓷件内部不应有超声波能发现的缺陷(如尘烧、氧化、开裂和气孔夹层等)。2.10 瓷件应按产品标准或图样的规定进行机械强度和内压破坏试验。2.11 本标准未规定的或其它特殊要求，如尺寸偏差等，应符合有关标准或图样的规定或由供需双方协议。由于电气性能还取决于所带附件或相应的产品结构，故其电气性能应在装配成相应的产品后进行试验。2.12 自交货之日(即制造厂发出提货通知单之日)起两年内，如果用户在遵守本标准和按规定程序批准的运输、保管、安装和运行规定的条件下，发现有瓷件不符合本标准规定时，制造厂必须无偿地给予更换。3 检验规
19、则3.1 瓷件应由制造厂技术检验部门验收，制造厂应保证全部送交的瓷件符合本标准的要求。3.2 按照本标准规定的检验规则和试验方法，用户有权检验瓷件的质量和指标是否符合本标准规定的各项要求。3.3 瓷件的检验分为逐个(例行)试验、抽样(抽查)试验和型式试验。3.4 检验瓷件的试验方法应符合如下标准：a. GB 775.1绝缘子试验方法第 1部分一般试验方法；b. GB 775.2绝缘子试验方法第 2部分电气试验方法；c. GB 775.3绝缘子试验方法第 3部分机械试验方法；d. JB/Z 262超声波探测瓷件内部缺陷指导性技术文件。3.5 出厂的每一只瓷件应按表 10规定顺序进行逐个试验，如瓷
20、件有不符合表中规定的任何一项要求，则此瓷件不符合本标准要求。表 10 逐个试验项目序号 试验项目名称 试验根据 试验方法1 外观检查 本标准第 2.3条及 4.2条 GB 775.12 尺寸检查 本标准第 2.1条 GB 775.13 形位公差检查 本标准第 2.2条 GB 775.14 超声波探测检查 本标准第 2.9条 JB/Z 2625 工频火花电压试验 本标准第 2.7条 GB 775.16 瓷壁耐压试验 本标准第 2.8条 GB 775.27 逐个机械负荷试验 本标准第 2.10条 GB 775.3注：尺寸及形位公差检查系检查图样上规定检查的尺寸。用整体成型方法制造的瓷套、瓷壁耐压试验允许按抽样试验的试品数量进行抽样试验，如不合格则应进行逐个试验。
