1、NAND flash 常见问题汇总掉程序（这里专指使用 NAND flash 的主板掉程序） ，这是一个让工程师浑身发毛的问题，特别是用着用着程序就没有了，往往这个时候很多工程师都无法下手，问题出现的时候你可能根本不在旁边，无法看到问题现象，而且通过测量信号也很难发现问题的原因，这个时候很多工程师可能会采用更换主板器件的方式，用排除法来定位问题，基本上换一个 NAND flash 就可以解决问题了。这个时候很多工程师可能就会表示 NAND flash 有问题，需要换厂商，换品牌。但其实还可以更加深入的去了解问题的原因，这里我总结一下我遇到过得 NAND flash 掉程序的情况及原因。1. 电
2、源电压不稳导致的 NAND flash 程序错误很多时候，产品在客户手中出现了问题，工程师把产品拿回来，重新烧录程序产品可以上电启动，反复测试并不会出现掉程序的情况。如果这种产品是带有电池的产品，就可以考虑一下是否在客户实际使用中是用电池的情况，当电池的电量比较低，或者在极端情况下，程序对于电池电量的检测阈值较低，这个时候主控就有可能刚刚可以启动，但是很快电量不够，NAND flash 内的程序乱掉，从而无法正常启动。解决方法可以在程序中加入或者提高电池电量检测的阈值，保证所有芯片在这个阈值上均可以正常工作。2. DRAM 工作状态不正常导致的 NAND flash 程序错误主控, DRAM
3、和 NAND flash 基本构成了一个产品的最小系统。当系统中的任何一环出现问题，整个系统就可能出现问题。但是当 DRAM 出现问题时，有可能反映出来的是NAND flash 出错，掉程序或者查明 NAND flash 坏块过多。对于这种情况，处理起来就会复杂一些。如果直接重新烧录程序，系统又能正常工作，则说明之前存储在 NAND flash 中的程序确实乱了，但是 NAND flash 的功能正常，特别是 SLC 规格的 1bit ECC 的 NAND flash，出错概率非常小。因为对于 NAND flash 来说，只有当写数据或者擦除数据时，数据可能产生坏块，当程序只是读取的状态时，由
4、于不涉及电荷的改变，所以 NAND flash 一般不会出现问题。但从程序的调试端口读到 NAND flash 坏块很多时，看是否有更深入的调试工具，例如 JTAG 等调试工具，可以深入调试 NAND flash 的情况。有些时候，因为一些程序误操作，导致将原本 good block 的标志位标记成了 bad block。用过 JTAG 调试工具可以修改标志位，并且重新打标，重新烧录一遍程序，有可能主板又能重新启动了。3. 坏块管理未做好因为 NAND flash 都面临着可能出现坏块的问题，所以必须应该对于坏块进行管理，在规格书中可以看到，坏块产生的三种情况，在编程的时候，在擦出的时候，在读
5、取的时候。对于这几种情况下，程序应该怎么操作，规格书中也有流程图来说明，在读取和擦除中，如果出现失败情况，就需要重新坏一个块进行目标块的转移，并且对于当前块进行标识，在坏块表中进行更新。通过对于坏块表的维护，达到程序避免写入坏块中的情况。在读取程序时，也需要对于 ECC 进行校验，保证读取的程度是真实可靠的。但是很多工程师可能由于对于坏块管理做的不够仔细，导致产品在实际使用中，会出现掉程序的问题。工程师也应该从程序方面着手，分析一下程序对于坏块部分管理是否完善。从上面三种类型只是部分说明了关于掉程序这个问题的一些原因。特别是对于 1bit ECC 的 SLC NAND flash 大部分适用，工程师们可以进行参考。
