1、LM386 中文资料 PDF 简介：LM386 中文资料 PDF 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为 20，透过 pin 1 和 pin8 位间电容的搭配，增益最高可达 200。LM386可使用电 . 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为 20，透过 pin 1 和 pin8脚 位间电容的搭配，增益最高可达 200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由 4V 12V，无作动时仅消耗 4mA 电流，且失真低。LM386 的内部电路图及引脚排列图如图 1、图 2 所示，表 1为其电气特性。 图1 . 内部电路图 图2 引脚功能图 极限参数：
2、 电源电压 （LM386N-1，-3，LM386M-1）15V 电源电压（LM386N-4）22V 封装耗散 （LM386N）1.25W （LM386M）0.73W （LM386MM-1）0.595W 输入电压0.4V 储存温度-65至+150 操作温度 0至+70 结温+150 焊接信息 焊接（10秒）260 小外形封装（SOIC 和 MSOP） 气相（60秒）215 红外（15秒）220 热电阻 qJC （DIP）37/W qJA （DIP）107/W qJC （SO封装）35/W qJA （SO 封装）172/W qJA （MSOP 封装）210/W qJC （MSOP 封装）56/W
3、表 1. LM386电气特性 Parameter 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压 - LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386 MM-1 4 - 12 V LM386N-4 - 5 - 18 V Quiescent Current (IQ) 静态电流 VS = 6V, VIN =0 4 8 mA Output Power (POUT) 输出功率 - - LM386N-1,LM386M-1,LM386MM- 1 VS = 6V, RL =8W, THD = 10% 250 325 - mW LM386N
4、-3 VS = 9V, RL =8W, THD = 10% 500 700 - mW LM386N-4 VS=16V, RL =32W, THD = 10% 700 1000 - mW VS = 6V, f = 1 kHz 26 - dB Voltage Gain (AV) 电压增益 10 F from Pin 1 to 8 46 - dB Bandwidth (BW) 宽带 VS = 6V, Pins 1 and 8 Open 300 - kHz Total Harmonic Distortion (TH D)总谐波失 真 VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f =
5、1 kHz, Pins 1 and 8 Op en - 0.2 - % Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比 VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 F Pins 1 and 8 Open,Referred to Output - 50 - dB Input Resistance (RIN) 输入电阻 - - 50 - k Input Bias Current (IBIAS) 输入 偏置电流 VS = 6V, Pins 2 and 3 Open - 250 - nA LM386低电压音频功率放大器的工作原理与典型应用电路图 概述(De
6、scription): LM386是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器， 主要应用于低电压消费类产品。 为使外围元件最少， 电压增益内置为 20。但 在 1 脚和 8脚之间增加一只外接电阻和电容，便可将电压增益调为任意值，直至 2 00。输入端以地位参考，同时输出端被自动偏置到电源电压的一半，在 6V 电源电压下，它的静态功耗仅 为 24mW,使得 LM386特别适用于电池供电的场合。 LM386的封装形式有塑封 8 引线双列直插式和贴片式。 特性(Features): * 静态功耗低，约为 4mA,可用于电池供电。 * 工作电压范围宽，4-12V or 5-18V。 * 外围元件少。 * 电压增益可调，20-200。 * 低失真度。 典型应用电路图 LM386 应用电路图之增益=20 LM386 应用电路图之增益=200 LM386应用电路图之增益=50 LM386 应用电路图之低频提升放大器 LM386作正弦波振荡器电路图
