1、238 第六章 基础的金属氧化物半导体场效应晶体管 解决方案 从公式（6.8b） ，得出那么最大宽度空间电荷为或者评论空间电荷引起的最大宽度是在数量级为 pn 结空间电荷宽度相同的顺序。演习问题 例如 6.2 （a）当氧化物对 p 型硅交界处 T=300K。掺杂的杂质浓度的硅Na=31016cm-3。计算硅在空间电荷的最大宽度。 （ b）重复的一部分杂质浓度（ a） Na=1015cm-3。 我们一直在考虑一 p 型半导体基板。相同的最高诱导空间电荷区的宽度发生在一个 n 型衬底。图 6.16 是在与一个 n 型衬底的阈值电压能带图。可以写（6.13a）或者（6.13b）然后可以得出（6.14
2、）图 6.17 的 XdT在 T=300K 作为硅掺杂浓度的函数。半导体掺杂可以是 n型或 p 型。测试 测试 6.1 当 T=300K 氧化物到 n 型硅结。杂质掺杂浓度的硅为 Nd=81015cm-6.3 电位差的 MOS 电容器 2393。计算硅的空间电荷的最大宽度。 图 6.16能带图中的 n 型半导体在反转点的阈值。图 6.17最大感应空间电荷宽度比在硅半导体的掺杂浓度。6.3在电位差的 MOS 电容器目标：分析 MOS 电容的潜力，包括工作职能的区别，平带电压和阈值电压。我们已考虑在各门电压半导体能带。我们现在要定义特定的门电压的诱导，在特定条件下的半导体。我们还需要考虑实际的 MOS 结构，而不是理想化的设备考虑到这一点。
