1、常用电子元器件检测方法与经验 电阻 电容 电感 二极管 三极管 集成电路 其他 场效应管检测方法与经验元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)一、电阻器的检测方法与经验： 1 固定电阻器的检测。A 将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根
2、据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度中段位置，即全刻度起始的 2080弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有5、10或20的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。B 注意：测试时，特别是在测几十 k 以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2 水泥电阻的检测。检测水泥电
3、阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)3 熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表 R1 挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少
4、数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)4 电位器的检测。检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)A 用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。
5、电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2” (或“2”、“3”)两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)5 正温度系数热敏电阻(PTC)的检测。检测时，用万用表 R1 挡，具体可分两步操作：A 常温检测(
6、室内温度接近 25)；将两表笔接触 PTC 热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在2 内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。B 加温检测；在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试加温检测，将一热源(例如电烙铁)靠近 PTC 热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与 PTC 热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)6 负温度系数热敏电阻(NTC)的检测。电+
7、脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(1)、测量标称电阻值 Rt 用万用表测量 NTC 热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据NTC 热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出 Rt 的实际值。但因 NTC热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：ARt 是生产厂家在环境温度为 25时所测得的，所以用万用表测量 Rt 时，亦应在环境温度接近 25时进行，以保证测试的可信度。B 测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。C 注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_
8、xzs*co_m)(2)、估测温度系数 t 先在室温 t1 下测得电阻值 Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻 Rt，测出电阻值 RT2，同时用温度计测出此时热敏电阻 RT 表面的平均温度 t2 再进行计算。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)7 压敏电阻的检测。用万用表的 R1k 挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)8 光敏电阻的检测。A 用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无
9、穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。B 将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。C 将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)二、电容器的检测方法与经验 1 固定电容器的
10、检测 A 检测 10pF 以下的小电容 因 10pF 以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表 R10k 挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B 检测 10PF001F 固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用 R1k 挡。两只三极管的 值均为 100 以上，且穿透电流要小。可选用 3DG6 等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极 e 和集电极 c 相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以
11、放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触 A、B 两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C 对于 001F 以上的固定电容，可用万用表的 R10k 挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)2 电解电容器的检测 A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，147F 间的电容，可用 R1k挡测量，大于 47F 的电容可用 R1
12、00 挡测量。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百 k 以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测
13、一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)3 可变电容器的检测 A 用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。B 用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。C
14、将万用表置于 R10k 挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)三、电感器、变压器检测方法与经验 1 色码电感器的的检测 将万用表置于 R1 挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别： A 被测色码电感器电阻值为零
15、，其内部有短路性故障。B 被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)2 中周变压器的检测 A 将万用表拨至 R1 挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。B 检测绝缘性能 将万用表置于R10k 挡，做如下几种状态测试： (1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值； (2)初级绕组与外壳之间的电阻值； (3)次级绕组与外壳之间的电阻值。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)上述测
16、试结果分出现三种情况： (1)阻值为无穷大：正常； (2)阻值为零：有短路性故障； (3)阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)3 电源变压器的检测 A 通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘材料是否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。B 绝缘性测试。用万用表 R10k 挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。C 线圈通断的检测。将万用表
17、置于 R1 挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。D 判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V 字样，次级绕组则标出额定电压值，如 15V、24V、35V 等。再根据这些标记进行识别。E 空载电流的检测。(a) 直接测量法。将次级所有绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V 交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的 1020。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在 100mA左右。如果超出太多，则说明变压器有短路性故障。(
18、b) 间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个 10/5W 的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻 R 两端的电压降 U，然后用欧姆定律算出空载电流 I 空，即 I 空=U/R。F 空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V 市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值，允许误差范围一般为：高压绕组10，低压绕组5，带中心抽头的两组对称绕组的电压差应2。G 一般小功率电源变压器允许温升为 4050，如果所用绝缘材料质量较好，允许温升还可提高。H 检测判别各绕组的同名端。在使用电源变压器时，有时为了得到所需的
19、次级电压，可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时，参加串联的各绕组的同名端必须正确连接，不能搞错。否则，变压器不能正常工作。I.电源变压器短路性故障的综合检测判别。电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。通常，线圈内部匝间短路点越多，短路电流就越大，而变压器发热就越严重。检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器，其空载电流值将远大于满载电流的 10。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存
20、在。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)四、二极管的检测方法与经验1 检测小功率晶体二极管A 判别正、负电极(a) 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(b) 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的
21、一端则为负极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 检测最高工作频率 fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表 R1k 挡进行测试，一般正向电阻小于 1k 的多为高频管。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)C 检测最高反向击穿电压 VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压
22、要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)2 检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用 R1k 电阻挡测量，一般正向电阻值为5k 10k ，反向电阻值为无穷大。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)3 检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用 R1k 挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为 45k左右，反向电阻为无穷大；再用 R1 挡复测一次，一般正向电阻为几 ，反
23、向电阻仍为无穷大。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)4 检测双向触发二极管A 将万用表置于 R1k 挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的 VBO 值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出 VBR 值。最后将 VBO 与 VBR 进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。电+脑*维+修-知
24、.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)5 瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测A 用万用表 R1k 挡测量管子的好坏对于单极型的 TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为 4k 左右，反向电阻为无穷大。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)对于双向极型的 TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)6 高频变阻二极管的检测A 识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般
25、为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 测量正、反向电阻来判断其好坏具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用 500 型万用表R1k 挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为 5k 55k ，反向电阻为无穷大。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)7 变容二极管的检测将万用表置于 R10k 挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或
26、阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)8 单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节 15V 干电池，将万用表置 R10 或 R100 挡。这种接法就相当于给万用表串接上了 15V 电压，使检测电压增加至 3V(发光二极管的开启电压为 2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw
27、_xzs*co_m)9 红外发光二极管的检测A 判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 将万用表置于 R1k 挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在 30k 左右，反向电阻要在 500k 以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)10 红外接收二极管的检测A 识别管脚极性(a) 从外
28、观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外，在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(b) 将万用表置于 R1k 挡，用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚为负极，黑表笔所接的管脚为正极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极
29、管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)11 激光二极管的检测A 将万用表置于 R1k 挡，按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)五、三极管的检测方法与经验1 中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。将万用
30、表置于 R100 或 R1k 挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(b) 三极管的穿透电流 ICEO 的数值近似等于管子的倍数 和集电结的反向电流 ICBO 的乘积。ICBO 随着环境温度的升高而增长很快，ICBO 的增加必然造成ICEO 的增大。而 ICEO 的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用 ICEO 小的管子。电+脑*维+修-知
31、.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)通过用万用表电阻直接测量三极管 ec 极之间的电阻方法，可间接估计 ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用 R100 或 R1k 挡，对于 PNP 管，黑表管接 e 极，红表笔接 c 极，对于 NPN 型三极管，黑表笔接 c 极，红表笔接 e 极。要求测得的电阻越大越好。ec 间的阻值越大，说明管子的 ICEO 越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的 ICEO 越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明 ICEO 很大，管子的性能不稳定
32、。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(c) 测量放大能力()。目前有些型号的万用表具有测量三极管 hFE 的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡，量程开关拨到 ADJ 位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到 hFE 位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从 hFE 刻度线上读出管子的放大倍数。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数 值，其颜色和
33、值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 检测判别电极(a) 判定基极。用万用表 R100 或 R1k 挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极 b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极 b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为 PNP 型管；如果黑表笔接的是基极 b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为 NPN型管。电+脑*维
34、+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(b) 判定集电极 c 和发射极 e。(以 PNP 为例)将万用表置于 R100 或 R1k挡，红表笔基极 b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)C 判别高频管与低频管高频管的截止频率大于 3MHz，而低频管的截止频率则小于 3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)D 在路电压检
35、测判断法在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)2 大功率晶体三极管的检测利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其 PN 结的面积也较大。PN 结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的 R1k 挡测量，必然测得的电阻值很小，好像
36、极间短路一样，所以通常使用 R10 或 R1 挡检测大功率三极管。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)3 普通达林顿管的检测用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分 PNP 和 NPN 类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的 EB 极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的 R10k 挡进行测量。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)4 大功率达林顿管的检测检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了 V3、R1、R2 等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的
37、影响加以区分，以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行：A 用万用表 R10k 挡测量 B、C 之间 PN 结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 在大功率达林顿管 BE 之间有两个 PN 结，并且接有电阻 R1 和 R2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是 BE 结正向电阻与 R1、R2 阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1R2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在 R1、R2、上还并有二极管，此时所测得
38、的则不是(R1R2)之和，而是(R1R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)5 带阻尼行输出三极管的检测将万用表置于 R1 挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下：A 将红表笔接 E，黑表笔接 B，此时相当于测量大功率管 BE 结的等效二极管与保护电阻 R 并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻 R的阻值一般也仅有 20 50 ，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接 B，黑表笔接 E，则测得的是大功率管 BE 结等效二极管的反
39、向电阻值与保护电阻 R 的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻 R 的值，此值仍然较小。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)B 将红表笔接 C，黑表笔接 B，此时相当于测量管内大功率管 BC 结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接 C，则相当于测量管内大功率管 BC 结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)C 将红表笔接 E，黑表笔接 C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约 300 ；
40、将红、黑表笔对调，即红表笔接 C，黑表笔接 E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较小，约几 至几十 。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)六、集成电路的检测常识检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件，那么分析和检查会容易许多。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)测试不要造成引脚间短路。电+脑*维
41、+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)普通 IC 集成电路的好坏判别测法一、不在路检测 这种方法是在未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，并和完好的进行 较。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)二、在路检测 这是一种通过万用表检测各引脚在路（在电路中）直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换的局限性和拆卸的麻烦，是检测最常用和实用的方法。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)直流工作电压测量 这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡
42、对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测各引脚对地直流电压值，并与正常值相 较，进而压缩故障范围， 出损坏的元件。测量时要注意以下八 ： (1)万用表要有足够大的内阻， 少要大于被测电路电阻的倍以上，以免造成较大的测量误差。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(2)通常把各电位器旋到中间位置，如果是电视机，信号源要采用标准彩条信号发生器。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)3)表笔或探头要采取防滑措施。因任何瞬间短路都容易损坏。可采取如下方法防止表笔滑动：取一段自行车用气门芯套在表笔尖上，并长出表笔尖约左右，这既能使表笔尖良好地与
43、被测试点接触，又能有效防止打滑，即使碰上邻近点也不会短路。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(4)当测得某一引脚电压与正常值不符时，应根据该引脚电压对正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析， 能判断的好坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(5)引脚电压会受外围元器件影响。当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时，或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器，则电位器滑动臂所处的位置不同，都会使引脚电压发生变化。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(6)若各引脚电压正常，则一般认为正常；若部分引脚
44、电压异常，则应从偏离正常值最大处入手，检查外围元件有无故障，若无故障，则很可能损坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(7)对于动态接收装置，如电视机，在有无信号时，各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化，就可确定损坏。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)(8)对于多种工作方式的装置，如录像机，在不同工作方式下，各引脚电压也是不同的。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)还要补充二 的是： 交流工作电压测量法 为了掌握交流信号的变化情况，可以用带
45、有插孔的万用表对的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡，正表笔插入插孔；对于无插孔的万用表，需要在正表笔串接一只隔直电容。该法适用于工作频率 较低的，如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同，波形不同，所以所测的数据是近似值，只能供参考。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)总电流测量法 该法是通过检测电源进线的总电流，来判 好坏的一种方法。由于内部绝大多数为直接耦合，损坏时（如某一个结击穿或开路）会引起后级饱和与截止，使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判 的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电
46、流值。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)电压测量或用示波器探头测试波形时，表笔或探头不要由于滑动而造成集成电路引脚间短路，最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量。任何瞬间的短路都容易损坏集成电路，在测试扁平型封装的 CMOS 集成电路时更要加倍小心。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备。严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备。虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不
47、太了解的电视或音响设备时，首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音响等设备造成电源短路，波及集成电路，造成故障的进一步扩大。?要注意电烙铁的绝缘性能。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，最好把烙铁的外壳接地，对MOS 电路更应小心，能采用 68V 的低压电路铁就更安全。?要保证焊接质量。焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不超过 3 秒钟，烙铁的功率应用内热式 25W 左右。已焊接好的集成电路要仔细查看，最好用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源。?不要轻易断定集成电
48、路的损坏。不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝大多数为直接耦合，一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化，而这些变化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时，也不一定都能说明集成电路就是好的。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)测试仪表内阻要大。测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20K/V 的万用表，否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。?要注意功率集成电路的散热。功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。?引线要合理。如需要加接外围元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)七、场效应管检测方法与经验常见电子元器件检测（其他）电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件，设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的。因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要，这也是电子维修人员必须掌握的技能。我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧，供大家参考。电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)1测整流电桥各脚的极性万用
