1、习 题 课-11、在室温下锗的晶格常数 ，计cma/1065.8算每立方厘米内锗的原子数。2、若晶格常数 ，求下列情形的最近邻原子距离：(1)体心单胞 (2) 面心单胞 (3)硅晶格3、若硅片表面是(100)晶面：(1) 画出在基片表面上硅原子的位置 (2) 求基片表面单位平方厘米内的原子个数(晶格常数为 )a4、下图为边长等于 1 的立方体晶格，写出下面各晶面和晶向的密勒指数晶面： 、BA、CD晶向： 、 、5、假设有一立方晶体系统，画出以下各晶面(001) (123) ( ) (221) ( )1001 x y z D x A C B x D 6、假设有一立方晶体系统，使用适当的方向标识分
2、别表示下列方向001 123 221 10017、晶体的格子如图所示，为一个立方单胞，在立方体的中心有一个原子，问：(1)它所生成的单胞为哪种单胞 (2)求晶体的单位体积内的原子数，设晶格常数为 (3)设晶a体有(110)晶面，求中心位于(110)晶面的单位面积内的原子数x y z (4) 画出单胞 内通过原子中心的方向矢量，并指出方向矢量的密勒指数。8、使用能带模型，形象而简要地说明半导体：(1) 电子、空穴、施主、受主 (2) 本征半导体、n型半导体、p型半导体、非简并半导体、简并半导体9、能带模型，砷化镓的价键模型如图所示，问 (1)当硅原子代替镓原子时，砷化镓的掺杂Ga As Ga A
3、s As Ga As Ga As Ga As Ga Ga As Ga As 是p型还是n型？为什么？ (2)当硅原子代替砷原子时，砷化镓的掺杂是p型还是n型？为什么？ (3) 画出掺杂砷化镓的能带图：a 镓原子人位置由硅原子所代替 b 砷原子的位置由硅原子所代替。10、(1) 在热平衡条件下，温度T大于0K，电子能量位于费米能级时，电子态的占有几率是多少？ (2) 若 位于 ，试计算状态在 时发现电子的fEc kTEc几率。 (3) 在 时，若状态被占据的几率等k于状态未被占据的几率，此时费米能级位于何处？( )(/1)FEKTfe11、在室温下(T=300k)的硅样品中，费米能级位于处，分别
4、计算在导带和价带中，电子和空4/gc穴的分布几率。12、半导体A的带隙为1ev，而 半导体B的带隙为2ev，在室温(300K)时，两种材料的本征载流子浓度之比是多少？假定载流子有效质量的差可以忽略不计。 EicKTinNeKTgEeNnvci 213、(1)均匀掺杂 的p型硅片，在温度315/0mAT=0K时，平衡状态的空穴和电子浓度是多少的？(2)掺杂浓度为N的半导体N ，且所有的杂质全部电离，in和 ，请判断杂质是施主还是受主，nNpi/2并说明理由。(3)一块硅片在平衡条件下保持300K的温度时，其电子的浓度是 ，空穴的浓度是35/10cm多少？( )(4)在温度T=300K，样品硅310/ni的费米能级位于本征费米能级之上0.259ev处，空穴和电子的浓度是多少？(5)非简并锗样品，在平衡条件温度保持在接近室温时，已知： ，31/0cni和 ，求 和 。pn20ANnD12()24DADAiDANnnN12()ADiADiADpn14、求在下列条件下，均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度：(1) NDNA， (，KT30315/0cm)1/cmni(2) NAND，KT30315/0cm(3) ， 9316/0cND(4) ， (，45A314/D)31/06cni(5) ， (，KTAN314/0cmD)316/2cmi
