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光电耦合器技术参数完整版.doc

1、 光电耦合器的技术参数可分为输入特性、输出特性、 、隔离特性、传输特性等几大部分。一、输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有:1.正向工作电压 Vf(ForwardVoltage)Vf 是指在给定的工作电流下,LED 本身的压降。常见的小功率 LED 通常以 If=20mA来测试正向工作电压,当然不同的 LED,测试条件和测试结果也会不一样。2.反向电压 Vr(ReverseVoltage)是指 LED 所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏 LED。在使用交流脉冲驱动 LED 时,要特别注意不要超过反向电压。3.反向电流 Ir(ReverseCu

2、rrent)通常指在最大反向电压情况下,流过 LED 的反向电流。4.允许功耗 Pd(MaximumPowerDissipation)LED 所能承受的最大功耗值。超过此功耗,可能会损坏 LED。5.中心波长 p(PeakWaveLength)是指 LED 所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色,对于双色或多色 LED,会有几个不同的中心波长值。6.正向工作电流 If(ForwardCurrent)If 是指 LED 正常发光时所流过的正向电流值。不同的 LED,其允许流过的最大电流也会不一样。7.正向脉冲工作电流 Ifp(PeakForwardCurrent )Ifp 是指流过 LED

3、的正向脉冲电流值。为保证寿命,通常会采用脉冲形式来驱动LED,通常 LED 规格书中给中的 Ifp 是以 0.1ms 脉冲宽度 ,占空比为 1/10 的脉冲电流来计算的。二、输出特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部光敏三极管的特性,与普通的三极管类似。常见的参数有:1.集电极电流 Ic(CollectorCurrent)光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。2.集电极-发射极电压 Vceo(C-EVoltage )集电极-发射极所能承受的电压。3.发射极-集电极电压 Veco(E-CVoltage )发射极-集电极所能承受的电压4.反向截止电流 Iceo发光二极管开路,集电极至发射

4、极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。5.C-E 饱和电压 Vcd(sat)(C-ESaturationVoltage)发光二极管工作电流 IF 和集电极电流 IC 为规定值时,并保持 IC/IFCTRmin 时(CTRmin 在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。三、隔离特性1入出间隔离电压 Vio(IsolationVoltage)光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。2入出间隔离电容 Cio(IsolationCapacitance):光耦合器件输入端和输出端之间的电容值3入出间隔离电阻 Rio:(IsolationResistance )半导体光耦合器输入

5、端和输出端之间的绝缘电阻值。四、传输特性:1电流传输比光电耦合器 CTR(CurrentTransferRadio )输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。2上升时间 Tr(RiseTime )& 下降时间 Tf(FallTime)光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流 IFP 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的 10%到 90%,所需时间为脉冲上升时间 tr。从输出脉冲后沿幅度的 90%到 10%,所需时间为脉冲下降时间 tf。其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。如果需要了解更多 PC817 光耦的资讯请咨询网上客服: http:/

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