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foundry basic..doc

1、ETCH 何谓蚀刻(Etch)? 答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。 蚀刻种类: 答:(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻 蚀刻对象依薄膜种类可分为: 答:poly,oxide, metal 半导体中一般金属导线材质为何? 答:鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 何谓 dielectric 蚀刻( 介电质蚀刻)? 答:Oxide etch and nitride etch 半导体中一般介电质材质为何? 答:氧化硅/ 氮化硅 何谓湿式蚀刻 答:利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 何谓电浆 Plasma? 答:电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;

2、其中包含电子,正离子, 负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 何谓干式蚀刻? 答:利用 plasma 将不要的薄膜去除 何谓 Under-etching(蚀刻不足)? 答:系指被蚀刻材料,在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 何谓 Over-etching(过蚀刻 ) 答:蚀刻过多造成底层被破坏 何谓 Etch rate(蚀刻速率) 答:单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 何谓 Seasoning(陈化处理) 答:是在蚀刻室的清净或更换零件后,为要稳定制程条件,使用仿真(dummy) 晶圆进行数次的蚀刻循环。 Asher 的主要用途: 答:光阻去除

3、Wet bench dryer 功用为何? 答:将晶圆表面的水份去除 列举目前 Wet bench dry 方法: 答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何谓 Spin Dryer 答:利用离心力将晶圆表面的水份去除 何谓 Maragoni Dryer 答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除 何谓 IPA Vapor Dryer 答:利用 IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 测 Particle 时, 使用何种测量仪器? 答:Tencor Surfscan 测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 答:膜厚计,测量膜厚差值

4、 何谓 AEI 答:After Etching Inspection 蚀刻后的检查 AEI 目检 Wafer 须检查哪些项目: 答:(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及 Particle (3)刻号是否正确 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? 答:清机防止金属污染问题 金属蚀刻机台 asher 的功用为何? 答:去光阻及防止腐蚀 金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? 答:因为金属线会溶于硫酸中 “Hot Plate“机台是什幺用途 ? 答:烘烤 Hot Plate 烘烤温度为何 ? 答:90120 度 C 何种气体为 Poly ETCH 主要使用气体? 答:Cl2,

5、 HBr, HCl 用于 Al 金属蚀刻的主要气体为 答:Cl2, BCl3 用于 W 金属蚀刻的主要气体为 答:SF6 何种气体为 oxide via/contact ETCH 主要使用气体? 答:C4F8, C5F8, C4F6 硫酸槽的化学成份为: 答:H2SO4/H2O2 AMP 槽的化学成份为: 答:NH4OH/H2O2/H2O UV curing 是什幺用途? 答:利用 UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度 “UV curing“用于何种层次 ? 答:金属层 何谓 EMO? 答:机台紧急开关 EMO 作用为何? 答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 湿式蚀刻门上贴

6、有那些警示标示? 答:(1) 警告. 内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化学药剂危险. 严禁打开此门 遇化学溶液泄漏时应如何处置? 答:严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. 遇 IPA 槽着火时应如何处置? 答:立即关闭 IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组 BOE 槽之主成份为何? 答:HF(氢氟酸)与 NH4F(氟化铵). BOE 为那三个英文字缩写 ? 答:Buffered Oxide Etcher 。 有毒气体之阀柜(VMB)功用为何? 答:当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出 电

7、浆的频率一般 13.56 MHz,为何不用其它频率? 答:为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如 380420KHz ,13.56MHz,2.54GHz 等 何谓 ESC(electrical static chuck) 答:利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上 Asher 主要气体为 答:O2 Asher 机台进行蚀刻最关键之参数为何? 答:温度 简述 TURBO PUMP 原理 答:利用涡轮原理,可将压力抽至 10-6TORR 热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何? 答:将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地 简

8、述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理? 答:藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化 ORIENTER 之用途为何? 答:搜寻 notch 边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题 简述 EPD 之功用 答:侦测蚀刻终点;End point detector 利用波长侦测蚀刻终点 何谓 MFC? 答:mass flow controller 气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量 GDP 为何? 答:气体分配盘(gas distribution plate) GDP 有何作用? 答:均匀地将气体分布于芯片上方 何谓 isotropic etch? 答:等向性

9、蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等 何谓 anisotropic etch? 答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少 何谓 etch 选择比? 答:不同材质之蚀刻率比值 何谓 AEI CD? 答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension) 何谓 CD bias? 答:蚀刻 CD 减蚀刻前黄光 CD 简述何谓田口式实验计划法? 答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析 何谓反射功率? 答:蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受, 会有部份值反射掉,此反射之量, 称为反射功率 Load Lock 之功能为何? 答:Wafers 经由 loadlock 后再

10、进出反应腔, 确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响. 厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ? 答:Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等. 厂务供气系统中何谓 Inert Gas? 答:Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 厂务供气系统中何谓 Toxic Gas ? 答:Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体 , 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理? 答:将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 冷却器的冷却液为

11、何功用 ? 答:传导热 Etch 之废气有经何种方式处理 ? 答:利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽 何谓 RPM? 答:即 Remote Power Module,系统总电源箱. 火灾异常处理程序 答:(1) 立即警告周围人员 . (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下 EMO 停止机台. (4) 关闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离. 一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序 答:(1) 警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭 VMB 阀,并通知厂务. (4) 进行测漏. 高压电击异常处理程序 答:(1) 确认安全无虑下 ,按

12、EMO 键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤人员 T/C (传送 Transfer Chamber) 之功能为何 ? 答:提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间. 机台 PM 时需佩带面具否 答:是,防毒面具 机台停滞时间过久 run 货前需做何动作 答:Seasoning(陈化处理) 何谓日常测机 答:机台日常检点项目, 以确认机台状况正常 何谓 WAC (Waferless Auto Clean) 答:无 wafer 自动干蚀刻清机 何谓 Dry Clean 答:干蚀刻清机 日常测机量测 etch rate 之目的何在? 答:因为要

13、蚀刻到多少厚度的 film,其中一个重要参数就是蚀刻率 操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施? 答:(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带 如何让 chamber 达到设定的温度? 答:使用 heater 和 chiller Chiller 之功能为何? 答:用以帮助稳定 chamber 温度 如何在 chamber 建立真空? 答:(1) 首先确立 chamber parts 组装完整(2) 以 dry pump 作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达100mT 时再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下 真

14、空计的功能为何? 答:侦测 chamber 的压力,确保 wafer 在一定的压力下 process Transfer module 之 robot 功用为何? 答:将 wafer 传进 chamber 与传出 chamber 之用 何谓 MTBC? (mean time between clean) 答:上一次 wet clean 到这次 wet clean 所经过的时间 RF Generator 是否需要定期检验? 答:是需要定期校验;若未校正功率有可能会变化; 如此将影响电浆的组成 为何需要对 etch chamber 温度做监控 ? 答:因为温度会影响制程条件;如 etching ra

15、te/均匀度 为何需要注意 dry pump exhaust pressure (pump 出口端的气压)? 答:因为气压若太大会造成 pump 负荷过大;造成 pump 跳掉,影响 chamber 的压力,直接影响到 run货品质 为何要做漏率测试? (Leak rate ) 答: (1) 在 PM 后 PUMP Down 12 小时后; 为确保 chamber Run 货时,无大气进入 chamber 影响chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保 chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏 机台发生 Alarm 时应如何处理? 答:(1) 若为火警,立即圧下 EMO(紧急按钮), 并灭火且通知相关人员与主管 (2) 若是一般异常,请先检查alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理应立即通知主要负责人 蚀刻机台废气排放分为那几类? 答:一般无毒性废气/有毒酸性废气排放 蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)? 答:208V 三相 干式蚀刻机台分为那几个部份? 答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系统 (5) GAS system (6) RF system

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