1、可控硅调压原理1. 可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图 1 所示（1）整流电路采用桥式整流,将 220 伏,50 赫兹交流电压变为脉动直流电。（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。（4）张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。（5）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。2 可控硅(晶闸管)交流调压电路原理图3. 可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理图中 tvp 抗干扰普通电源电路。采用双向 tvp 管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。整流电路采用桥式整流,由 4 只二极管组成,d1,d2,d3,
2、d4 组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后 220 伏交流电通过负载电阻 rc,二极管 d1 到 d4 整流,在可控硅 sch 的 a ,k 两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻r1 降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻 r1,可变电阻w1 对电容充电。当充电电压 t1 管的峰值电压 up 时,管子由截止变为导通。于是电容 c 通过 t1 管的 e1,b1 结和 r2 迅速的放电,结果在 r2 上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅 scr 的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于 1 伏,所
3、以张弛振荡器停止工作。当交流电通过 0 点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时 c 又重新充电周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。4. 可控硅(晶闸管)交流调压电路元件参数的选择（1）二极管 d1,d2,d3,d4 于 300 伏,整流电流大于 0.3 安的硅流二极管。型号 2cz21b, 2cz83e。（2）晶闸管选用正向与反向电压大于 300 伏,额定平均电流大于 1 安的可控硅整流器件。型号 国产 3ct。（3）调压电位器选用阻值围 470 千欧的 wh1141 型的合成炭膜电位器。（4）电阻 r1 选用功率为 1 瓦的金属膜电阻。（5）电阻 r2,r3,r4 选用功率为 1/8 瓦的炭膜电阻。5. 这种交流可控硅调压电路特点（1） 具有调压功能,输出电压范围 100 到 220 伏；（2）具有输出电压可调功能。可根据需要调节输出电压；（3） 所设计的电路具有一定的抗干扰功能。
