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高压介损测试.doc

1、介质损耗的测量是电力设备绝缘十分重要的试验项目,它可以发现电力设备绝缘整体受潮、脏污、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷,在电力设备交接及预防性试验中得到了广泛应用。目前,在电气试验中主要都是通过 10kV 下的介损试验测量(tan)的大小来发现设备的缺陷。可是,10kV 的试验电压远低于设备的运行电压,不能真实反映设备运行时的状况。良好的绝缘在允许的电压范围内,无论电压上升或下降,其介损值均无明显变化。但现场试验数据显示,不同绝缘介质设备的介质损耗(tan)值会随着电压的升高而变大或变小。所以在设备运行电压下做介质损耗测试才能真实反映设备的绝缘情况。当设备存在受潮、气泡或导电性

2、杂质等缺陷时,其 tan 值受试验电压(U )大小的影响较大。通过测量 tan 与试验电压的关系曲线,可以更有效地诊断绝缘缺陷。如进口 500kV 开关均压电容,在 10kV 下测量的介损值通常都比额定电压下要大,经调查研究确定介损试验受 Garton 效应影响出现超标情况。 Garton 效应是 M.Garton 教授发现在含有纸的绝缘介质(或塑料以及油的混合介质)中,在较低电压下介质损耗正切值的变化可以比较高电压下的值高 1-10 倍。所以高电压介损试验越来越受到重视,国家电网公司在预防油浸式电流互感器、套管设备事故补充措施中提出了对 110kV 及以上电流互感器、套管等开展高电压试验的要

3、求。另外国家电网公司新颁布的企业标准输变电设备状态检修试验规程中也要求对主变套管、互感器、断路器等运行设备开展额定电压的介损试验。若 10kV 下介质损耗因数超过注意值时,有必要进行额定电压下的介损测量(诊断性试验),测量 tanU 曲线以作参考。国家电网公司预防 110(66)kV500kV 互感器事故措施 、 防止电力生产重大事故的二十五项重点要求中提出对 220kV 及以上电压等级互感器进行高电压下的介损试验,这样能真实反映设备运行时的状况,灵敏度更高,更容易发现电流互感器潜在的绝缘弱点,其试验数据更有意义。对tan的分析判断,不仅要注意其绝对值的大小,而且要与上次测量值对比,注意其相对

4、变化量,以及在不同电压下的相对变化量。如果低电压下的tan值很小,但在不同的较高电压下tan变化很大,也表明运行过程中设备绝缘状况不良。常见的电压-介损曲线1、良好的绝缘电压-介损曲线应成一水平直线,当施加电压超过某一极限时出现向上弯曲。2、如果设备绝缘处理不好或含有气泡等则设备介损会比良好绝缘大,tan会较早出现向上弯曲,且电压上升与下降曲线不重合。3、当绝缘老化时,低电压下的tan时可能会比良好绝缘小, tan会在较低电压下就出现向上弯曲。4、绝缘介质一旦受潮,介损就会随着电压的升高迅速增大,并且电压上升和下降的曲线不相重合。5、 当绝缘介质存在离子性缺陷时,tan随着电压的升高出现下降的

5、趋势。高压介损试验时,应采用均匀分段加压方式,使得tanU 曲线较为平滑。升压后进行降压试验,通过完整的tanU 曲线变化规律判断绝缘设备缺陷类型。高压介损试验需要解决的重点问题:大功率试验电源:高压介损试验时,试验电压远大于常规的10kV,所以试验需要的高压电源容量也比较大。测量用介损电桥:高压介损试验时,由于试验电压高,电桥试验电流也比常规介损大,一般要达到5A以上才能满足要求。高电压下反接线测试:现场很多试品是接地的,必须用反接线方式才能测量。通畅反接线有三种方式:、标准反接线、侧接线、高压电流互感器方式。由于一般高压标准电容器测量在低压测,所以第一种方式就无法使用。而采用侧接线测量,如果没有很好的屏蔽措施,测量精度不高。只有采用高压电流互感器方式才能很好地解决这个问题。通常都使用光纤进行信号的隔离。额定电压下介质损耗试验装置通常由 3 大部分组成: 交流高压试验电源 高压标准电容器 高压介质损耗测试仪(介损电桥)

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