1、半导体及二极管,1. 半导体的导电特性,本征半导体硅锗,两种载流子： 空穴 自由电子,N 型半导体,P 型半导体,PN 结的形成,多数载流子的扩散运动,形成 PN 结,扩散运动与漂移运动,PN 结的单向导电性,结加正向电压,PN,（导通）,结加反向电压,PN,（截止）,2. 半导体二极管,二极管的 伏安特性,二极管的主要参数,（1）最大整流电流 IF （2）反向击穿电压 VBR （3）反向电流 IR,二极管基本电路及其分析方法,（1）二极管正向V-I特性的建模理想化模型恒压降模型,（2）模型分析法应用举例1）静态工作情况分析 2）限幅电路 3）开关电路 4）低电压稳压电路,齐纳二极管 （稳压管
2、）,简单的稳压电路,半导体三极管及 放大电路基础,1. 半导体三极管（晶体管）,NPN 型三极管结构及符号,PNP 型三极管结构及符号,晶体管中的载流子运动和电流分配,晶体管的电流方向、 发射结和集电结的极性,晶体管的输入特性曲线,晶体管的输出特性曲线,晶体管的主要参数,(1)电流放大系数 (2)集-基极反向电流 ICBO (3)集-射极反向电流 ICEO,集-基极反向电流 ICBO,集-射极反向电流 ICEO （穿透电流）,(4)集电极最大允许电流 ICM (5)集电极最大允许耗散功率 PCM,2. 基本放大电路,晶体管工作在放大状态必须： 发射结为正向偏置 集电结为反向偏置,共射极基本放大电路,共射极基本放大电路的简化及习惯画法,（1）静态分析,直流通路,（2）动态分析,放大电路输出端接有负载电阻的电路,晶体管的 H 参数小信号等效模型,晶体管的 小信号模型的简化,共射极放大电路的 小信号等效电路,求共射极放大电路的输入电阻,求共射极放大电路的输出电阻,3.静态工作点的稳定,
