1、2.3.5、势垒区复合电流,上式中净复合率 R 可近似表为：,势垒区复合电流就是势垒区单位时间内复合掉的总电荷量 于是有：,当外加电压 V 时：,在势垒区中，已知平衡时有：,为简化计算，可假设在势垒区中 n 与 p 相等，且不随 x 而变化。即：,可见： 当 V 0 时，np ni2 ，R 0 ， 发生净复合。 当 V 0 时，np ni2 ，R 0 ， 发生净产生。,当 V = 0 时：,当 V kT / q 时：,PN结正向电流为：,2.3.6 正向伏安特性与导通电压,本小节主要内容：对扩散电流 Jd 与复合电流 Jr 的大小进行比较。并介绍 PN 结导通电压（或pn结开启电压）的概念。,
2、以P+N 结为例，当 V kT / q 时：,当V 比较小时，以 Jr 为主； 当V 比较大时，以 Jd 为主。 EG 越大，则过渡电压值就越高。对于硅PN 结：当V 0.45V 时，以 Jd 为主。,当正向电压较小时，以 Jr 为主：,当正向电压较大时，以 Jd 为主时：,( 斜率 = q / 2kT ),( 斜率 = q / kT ),在一般常用的正向电压和温度范围，PN结的正向电流以扩散电流 Jd 为主。这时正向电流可表示为：,PN 结正向伏安特性曲线图：,V(V),I (mA),0.2,0.4,0.6,2,4,6,0,0.8,通常将正向电流达到某一规定值（例如几百微安到几毫安）时的正向电压称为 正向导通电压或开启电压，记作VF 。,Io = A jo 越大， VF 就越小。NA 、ND ，则 Io，VF （取决于低掺杂一侧）。T ， 则 Io ，VF 。 EG，VF 。,对 VF 影响最大的是 EG 。 Ge PN 结的 VF 约为 0.25V ， Si PN 结的 VF 约为 0.7V 。,
