1、半导体研究所2011 年硕士招生专业目录中国科学院半导体研究所成立于 1960 年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有 2 个国家级研究中心、3 个国家重点实验室、2 个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科研仪器设备和设施，承担着一批国家重点科技支撑项目（如 973 计划、863 计划、国家自然科学基金重大重点项目等），及地方、企业委托项目等。半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位，是中国科学院博士生重点培养基地之一，现有 3 个博士后流动站、4 个博士学位授权点、5 个学术型硕士学位授权点及 3 个专业学位硕
2、士（工程硕士）授权点。研究所现有在职职工 640 余人，其中科技人员 460 余人，中国科学院院士 7 名、中国工程院院士 2 名，研究员及正高级工程技术人员 79 名、副研究员及高级工程技术人员 119 名，中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者 36 名、国家百千万人才工程入选者 6 名。半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合理的研究生指导教师队伍，现有研究生导师 106 人，其中博士生导师 68 人。研究所目前在学研究生 536 名，博士后在站人员 28 名，研究生已经成为半导体所科研工作的生力军。自知识创新工程启动以来，半导体所累计有 4 人次获
3、全国百篇优秀博士论文，4 人次获院长奖学金特别奖，29 人次获院长奖学金优秀奖，其他奖项 49 项。半导体所实行研究生兼任研究助理的方式，为研究生提供优越的科研和生活条件，研究生可以直接参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。半导体所 2011 年预计招收学术型硕士学位研究生 102 名、专业学位硕士研究生（工程硕士）10 名，所有招生专业（含工程硕士）均接收推荐免试生，共拟接收推免生 5060名。热忱欢迎广大考生报考！网址：http:/ E-mail：单位代码：80136 北京市海淀区清华东路邮政编码:100083 地址：甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联
4、系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注070205 凝聚态物理共 半导体掺杂机制和纳米 01.112人101 思想政治理论201 材料的研究英语一301 数学一977固体物理或 978 量子力学半导体低维结构材料、02.同上 宽带隙半导体材料、半导体光伏材料与器件和半导体材料物理半导体量子结构中自旋 03.同上 相关的物理过程研究半导体微纳结构理论 04.同上 半导体中磁性杂质电子 05.同上免试推荐和硕博 态的自旋特性与操控连读半导体自旋电子的实验 06.同上要求硕博连读 第 1 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80
5、136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注研究半导体自旋电子学 07.同上 半导体自旋电子学基础 08.同上 物理理论研究单光子/纠缠光子发射 09.同上 器件、单量子点中电子/空穴/核自旋相互作用低维纳米结构、材料和 10.同上 新量子器件原理石墨烯光电子学；低维 11.同上要求硕博连读 纳米材料光学性质石墨烯和拓扑绝缘体 12.同上 铁磁半导体器件研究及 13.同上具有较强的动手 碳基电子学器件的研究能力和扎实的物理基础固体量子计算和量子通
6、14.同上 信的基础物理研究半导体低维量子结构的 15.同上 电子态自旋相关的电子输运和 16.同上 光学性质半导体与金属复合微纳 17.同上 结构中光电耦合效应080501 材料物理与化学GaN 同质衬底的制备 01.101 思想政治理论201 英语一302 数学二976半导体物理或 977 固体物理半导体低维结构材料 02.同上 宽带隙半导体材料 03.同上 半导体低维结构材料物 04.同上物理系毕业及有 理科研经历者优先第 2 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136联系部门：研究生部北京市海淀区清华东路地址：甲 35 号电话：010-8230
7、4321邮政编码:100083联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注宽带隙半导体材料和材 05.同上 料物理半导体低维纳米材料制 06.同上 备及其器件应用半导体功能材料及其器 07.同上 件应用半导体光伏材料与器件 08.同上 和半导体材料物理半导体纳米功能材料及 09.同上 其器件应用宽带隙半导体材料与应 10.同上 用半导体纳米结构及器件 11.同上 研究氮化物 LED 材料和器件 12.同上 研究III 族氮化物材料生长 13.同上 用 MOCVD 等重大装备研制；半导体低维结构材料、宽带隙半导体材料和器件应用氮化物材料生长与应用 14.同上 研究；
8、新型高效太阳电池制备与性能研究；新型异质结半导体高效光伏材料与器件低成本太阳能级多晶提 15.同上 纯技术、材料性能与电池制备；CdTeCIGS 材料制备及薄膜太阳能电池应用高功率全固态激光器及 16.同上 第 3 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136联系部门：研究生部北京市海淀区清华东路地址：甲 35 号电话：010-82304321邮政编码:100083联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注其应用研究高效硅基薄膜太阳电池 17.同上 相关技术研究红外量子材料及器件(18.同上 量子级联激光器、探测器；太赫兹
9、材料及器件 )化合物半导体(GaSb、I19.同上 nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、杂质及物性研究宽禁带半导体材料物理 20.同上 与应用全固态激光器及非线性 21.同上 频率变换新型高效率太阳电池技 22.同上 术研究；GaN 基稀磁半导体薄膜材料的研究有机/无机复合半导体 23.同上 材料与器件有机电致发光材料和器 24.同上 件应用太阳电池制备与性能研 25.同上 究080901 物理电子学Si 基高效太阳电池研究 01.101 思想政治理论201 英语一301 数学一976半导体物理或 977 固体物理半导体光电探测器、单 02.同上 光子探测及电路；高效太阳电池基础研究半导体量
10、子点材料与量 03.同上 第 4 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注子器件，半导体异质结兼容低维材料与光电子器件大功率半导体激光器 04.同上学习过半导体或 光电子课程，硕博连读氮化镓基激光器；新型 05.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器件氮化镓基蓝紫光激光器 06.同上 和太阳盲紫外焦平面探测器的设计和研制；基于 III-V 族半导体的红外焦平面探测器非线性
11、全光逻辑及全光 07.同上 信号处理；芯片光互连、高速光调制/光开关；通讯用有源、无源光器件高效硅基太阳电池 08.同上物理系毕业者优 先光电子与信号处理、光 09.同上 纤传感技术光通信、光传感系统与 10.同上 器件光子晶体材料、物理、11.同上物理类学生优先 器件与集成光子微结构材料物理光 12.同上物理或光电子专 学特性及其器件研究业考生优先硅基光波导无源器件、13.同上物理、电子、电 光波导传感器力或生物专业基于硅基光电子的波导 14.同上硕博连读 第 5 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100
12、083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注器件、光开关、调制器和片上光互连系统，光移相器与慢光器件等量子点及锑化物二类超 15.同上 晶格 MBE 材料生长，量子点及锑化物二类超晶格红外探测器及激光器研究纳米结构半导体量子阱 16.同上硕博连读 、量子点材料生长与激光器等应用研究；新型高效太阳能电池研究锑化物二类超晶格红外 17.同上 激光器的研究、表面等离子激元材料及器件研究、纳米光源的研究微波功率晶体管、量子 18.同上 点晶体管探测器、高效太阳能电池、半导体存储器微纳光电子器件及集成 19
13、.同上熟悉光波导基本 研究理论及半导体光电子器件微纳光子学器件物理、20.同上 微腔激光器及光集成新型半导体材料和器件 21.同上 研究新型光电子器件；硅基 22.同上 光子学研究新型光电子器件及其应 23.同上 用新型信息光电子器件、24.同上 第 6 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块与系统利用光子学和微纳加工 25.
14、同上硕博连读 技术研制基因测序芯片、Lab on chip 等生物传感器量子点红外探测器及锑 26.同上 化物二类超晶格红外探测器的研究；锑化物二类超晶格红外激光器的研究；大功率半导体激光器的研究080902 电路与系统半导体人工神经网络硬 01.101 思想政治理论201 件化实现及其应用研究英语一301 数学一856电子线路或 859 信号与系统光电信息探测及成像 02.同上 光电应用 03.同上 目标探测、识别与跟踪 04.同上 技术、系统图像处理与模式识别新 05.同上 理论、新方法先进射频毫米波集成电 06.同上 路设计高速智能图像传感器芯 07.同上 片设计智能感知与先进计算模 0
15、8.同上 型、算法及其应用技术多信息融合技术 09.同上 时空三维重建可视化技 10.同上 第 7 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）总招生考 试 科 目备 注研究方向人数术11.机器学习与智能计算技同上 术、系统080903 微电子学与固体电子业务课二:选光电学子方向为 976 半导体物理与 977 固体物理，二选一；选微电子方向为 976半导体物理与 856电子线路，二选一01.新型微电子、光电
16、子器101 思想政治理论201 件及其集成技术的研究英语一301 数学一856、开发、中试规模的生电子线路或 976 半导体物产（微电子、光电子方理或 977 固体物理向均可）02.新型微电子、光电子器同上 件及其集成技术的研究、开发与应用（微电子、光电子方向均可）03.量子阱红外探测器（微同上 电子、光电子方向均可）04.半导体纳米器件和电路101 思想政治理论201 英语一301 数学一856电子线路或 976 半导体物理05.高速数模混合电路系统同上 集成研究06.高速智能图像传感器芯同上 片设计07.图画与动漫的自动生成同上硕博连读 08.微纳机电系统同上硕博连读 09.先进射频毫米波
17、集成电同上 路设计第 8 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注新型微机电（MEMS）器 10.同上 件与系统的研究新型信息光电子器件、11.同上 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块与系统半导体低维结构材料、12.101 思想政治理论201 宽带隙半导体材料、半英语一301 数学一976导体光伏材料与器件和半导体物理或 977 固体物半导体材料物理理半导体材料
18、与器件物理 13.同上 半导体光电探测器、单 14.同上 光子探测及电路；高效太阳电池基础研究半导体量子点材料与量 15.同上 子器件，半导体异质结兼容低维材料与光电子器件半导体新型量子结构器 16.同上 件大功率半导体激光器 17.同上学习过半导体或 光电子课程，硕博连读大功率宽禁带 SiC 外延 18.同上微电子专业考生 材料与器件制造技术研究氮化镓基激光器；新型 19.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器件氮化物材料生长与应用 20.同上 研究；新型高效太阳电池制备与性能研究；新第 9 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东
19、路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注型异质结半导体高效光伏材料与器件III 族氮化物材料生长 21.同上 用 MOCVD 等重大装备研制；半导体低维结构材料、宽带隙半导体材料和器件应用高效硅基太阳电池 22.同上物理系毕业者优 先光电子集成器件；新型 23.同上学过固体物理、 光伏材料和器件半导体物理、量子力学、光电子学课程，动手能力较强光电子学、集成光电子 24.同上 、光子晶体材料、物理、器件与集成光通信、光传感系统与 25.同上 器件光子晶体材料、物理、26.
20、同上物理类学生优先 器件与集成硅基光电子材料和器件 27.同上 红外量子材料及器件(28.同上 量子级联激光器、探测器；太赫兹材料及器件 )基于 InP 光电子器件的 29.同上 集成宽禁带半导体材料生长 30.同上 与光电子器件研制新型光电子器件及其应 31.同上 用第 10 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注宽禁带半导体材料物理 32.同上 与应用；半导体纳
21、米功能材料及其器件应用量子点及锑化物二类超 33.同上 晶格 MBE 材料生长，量子点及锑化物二类超晶格红外探测器及激光器研究纳米结构半导体量子阱 34.同上硕博连读 、量子点材料生长与激光器等应用研究；新型高效太阳能电池研究微波功率晶体管、量子 35.同上 点晶体管探测器、高效太阳能电池、半导体存储器微波光电子学 36.同上 新型光电子器件；硅基 37.同上 光子学研究用于光通信与光信息处 38.同上 理的片上集成光子器件与系统；并行超高速光学数字信号处理器针对光纤通信和光网络 39.同上 的基于 InP 的光电子集成高迁移率 CMOS 器件 40.同上物理学、光学、 光电、材料专业者优先量
22、子点晶体管探测器、41.同上 高效太阳能电池微纳结构在高增益弱光 42.同上 第 11 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136 北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083甲 35 号联系部门：研究生部电话：010-82304321 联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注探测中的应用光子集成、光子晶体 43.同上 新型高效硅薄膜电池的 44.同上半导体物理基础 结构设计好，半导体光电相关专业085204 材料工程GaN 基半导体材料及其 01.101 思想政治理论204 应用、产业化开发英语二302 数学二9
23、76半导体物理或 977 固体物理薄膜和微结构半导体材 02.同上 料科学技术纳米电子、光子材料及 03.同上 器件LED 光效率提升研究 04.同上 GaN LED 外延技术开发 05.同上 新型高效率太阳电池技 06.同上 术研究；GaN 基稀磁半导体薄膜材料的研究GaN 基第三代半导体发 07.同上 光器件关键技术工程化研究石墨烯光电子学 08.同上 半导体照明及其重大装 09.同上 备085208 电子与通信工程表面等离子激元材料及 01.101 思想政治理论204 器件研究，新型半导体英语二301 数学一856激光器研究电子线路或 976 半导体物理GaN 基半导体材料及其 02.同
24、上 应用、产业化开发第 12 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒单位代码：80136联系部门：研究生部北京市海淀区清华东路地址：甲 35 号电话：010-82304321邮政编码:100083联系人：徐金威学科、专业名称（代码）研究方向总招生人数考 试 科 目备 注GaN 基第三代半导体发 03.同上 光器件关键技术工程化研究光纤激光器与光纤传感 04.同上 用于光通信与光信息处 05.同上 理的片上集成光子器件与系统085209 集成电路工程数模混合集成电路 01.101 思想政治理论204 英语二301 数学一856电子线路或 976 半导体物理半导体纳米器件和电路 02.同上 激光器驱动与探测模块 03.同上 第 13 页 2010 年 8 月 27 日 10 时 46 分 12 秒
