1、凝聚态物理专业毕业论文 精品论文 氟化类金刚石薄膜疏水性能研究关键词：磁控溅射 氟化类金刚石薄膜 射频功率 流量比 疏水性能摘要：以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备 F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏
2、水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。正文内容以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，
3、所制备 F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄
4、膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气
5、体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及
6、傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下
7、制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红
8、外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越
9、大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，
10、所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄
11、膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气
12、体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及
13、傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下
14、制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红
15、外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。以高纯石墨作靶、氩气(Ar)和三氟甲烷(CHF3)为源气体，用反应磁控溅射法在不同射频功率、流量比条件下制备了氟化类金刚石薄(F-DLC)膜，并对 F-DLC 薄膜疏水性能进行了研究。双蒸水液滴与膜表面接触角的测试结果表明，所制备F-DLC 薄膜表面的最大水接触角可达 1150 左右。通过原子力显微镜获得的薄膜表面 AFM 图谱、拉曼光谱以及傅里叶变换红外光谱探讨了影响薄膜疏水性能的因素。 结果表明，薄膜的疏水性与薄膜的表面粗糙度和键结构直接相关，表面粗糙度越
16、大，疏水性越好，但不同工艺条件下薄膜的疏水性和 sp3/sp2 的比值并未呈单调增加或减小的对应关系。射频输入功率、源气体流量比影响着薄膜的沉积速率，与薄膜表面粗糙度、薄膜中芳香环单核的比例以及薄膜表面的键结构(F 的接入方式)直接相关。红外图谱显示，CF2 对称伸缩振动与 CF2 反对称伸缩振动模式的强度随功率、流量比变化的趋势相反，在两者比例接近相等时薄膜的疏水性最佳。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。“垐垯櫃 换烫
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