1、凝聚态物理专业优秀论文 MgB高场区临界电流密度提高的途径及机理研究关键词：二硼化镁 超导电性 临界电流密度 高温超导体摘要：2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的
2、方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于SiC 的
3、掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备 MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。正文内容2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体
4、：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;
5、样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备 MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁
6、作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 Mg
7、Blt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响
8、。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流
9、密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透
10、方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究
11、。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是
12、由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料
13、在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂
14、的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度
15、超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分
16、析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C
17、 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量
18、我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。
19、最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的
20、许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。
21、通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起
22、的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了
23、快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。2001 年金属间化合物二硼化镁(MgBlt;,2gt;)超导电性的发现，令全世界凝聚态物理学界为之兴奋，
24、并掀起了新一轮高临界温度超导研究的热潮。二硼化镁作为一种具有超导电性的新材料，为研究新一代具有简单结构的高温超导体开辟了新途径，并将成为电子材料领域冉冉升起的一颗新星。这种新型材料在许多方面都优于高温超导体：各向异性小，相干长度大，无弱连接现象等等。这些优越性使二硼化镁有很好的应用前景。作为一种新型超导体，它的许多基本性质都还有待研究。 本文首先通过传统的固相反应的方法制备了纯的和掺杂 SiC 纳米颗粒的 MgBlt;,2gt;块材样品。通过对样品的磁化曲线的测量我们得到了样品的临界电流密度，发现掺杂 SiC 极大的提高了其临界电流密度。通过样品密度、XRD、SEM 对掺杂 SiC 后样品性能
25、改善的原因或机理进行了分析，发现 C 取代 MgBlt;,2gt;中的部分的 B 可能是其性能提高的主要或者说根本原因。 在慢速升温的基础上，我们探索使用了快速升温的方法来制备掺杂的 MgBlt;,2gt;样品，发现无论是基于普通固相反应还是基于 PIT 的快速升温方法，都有效的提高了样品掺杂后的临界电流密度。通过分析发现其原因可能是由于快速升温方法更有利于 SiC 的掺杂和样品晶粒的细化造成的，即快速升温很好的结合了 C 取代和细化晶粒两种提高样品性能的途径。 最后，我们尝试了使用渗透方法(PIT-D 方法)来制备MgBlt;,2gt;样品，由此我们得到了高密度的样品，并进一步尝试了在这种方
26、法下掺杂 SiC 和 C 纳米管对样品性能的影响。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们还可提供代笔服务，价格优惠，服务周到，包您通过。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstreamendobj2x 滌甸?*U 躆 跦?l, 墀 VGi?o 嫅#4K 錶 c#x 刔 彟 2Z 皙笜?D 剧珞 H 鏋 Kx 時 k,褝仆? 稀?i 攸闥-) 荮vJ 釔絓|?殢 D 蘰厣?籶(柶胊?07 姻Rl 遜 ee 醳 B?苒?甊袝 t 弟
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