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11-12-2传感器与检测技术(a).doc

1、电子信息学院 二一一级 应用电子技术浪潮班传感器及其应用试卷 A第 1 页 共 3 页山东现代职业学院20122013 学年第二学期期末考试试卷传感器及其应用 (A 卷)(考试时间 90 分钟 满分 100 分)专业 班级 姓名 学号 注意事项1、考生应严格遵守考场规则,得到监考人员指令后方可答题。2、考生拿到试卷后应首先填写好各项要求内容。3、用蓝、黑色圆珠笔或钢笔把答案写在要求位置上。4、将身份证、学生证放在桌子的右上角,两证必需齐全。5、考试结束将试卷交到监考老师处,不得带走。待监考人员验收清点后,方可离场。题号 一 二 三 四 五 六 总分成绩一、填空题(共 20 分,每空 2 分)1

2、. 根据敏感栅材料的不同,应变片主要分为 应变片和 应变片两大类。2. 传感器的输出信号一般为 420mA DC 或 DC 的工业标准信号。3. 光纤的结构通常由 、 和外套组成。4. 差动变压器式传感器可以测 、 、 等物理量。5. 普通工业用热电阻传感器通常有 和 等几种。二、单项选择题(共 20 分,每小题 2 分)1. 传感器的输出量通常为( )A 非电量信号 B 电量信号C 位移信号 D 光信号2. 下面哪种材料是压电材料( )A 压电晶体B 压电陶瓷C 有机高分子压电材料D A、B、C 选项都是3. 电容式传感器的分类中不包括下列哪一选项( )A 变间隙型电容传感器B 变面积型电容

3、传感器C 螺管型电容传感器D 变介电常数型电容传感器4. 电磁炉利用的是( )A 电感式传感器的涡流效应B 压电材料的压电效应C 半导体材料的压阻效应电子信息学院 二一一级 应用电子技术浪潮班传感器及其应用试卷 A第 2 页 共 3 页D 霍尔元件的霍尔效应5. 以下不属于传感器静态特性的是( )A 线性度 B 灵敏度C 迟滞 D 固有频率6如图所示,2 号传感器属于( )A 正温度系数B 负温度系数C 临界温度系数D 突变温度系数7下列气体属于氧化性气体的是( )A、H 2B、酒类C、O 2D、CO8下列材料中不属于霍尔元件材料的是( )A 硅B 锗C 铂D 砷化铟9下列传感器中不属于外光电

4、效应的是( )A 真空光电管B 充气光电管C 光电倍增管D 光敏三极管10电桥测量电路的作用是把传感器的参数转换为( )的输出A 电阻 B 电压 C 电容 D 电荷三、判断题(每题 1 分,共 10 分)1、传感器的噪声全部是由外部产生的。 ( )2、科技越发达,自动化程度越高,对传感器的依赖也就越强烈。 ( )3、差动变间隙式传感器的灵敏度是单圈式传感器的两倍。 ( )4、压电式传感器主要利用横向压电效应。 ( )5、超声波在液体、固体中的穿透能力很强。 ( )电子信息学院 二一一级 应用电子技术浪潮班传感器及其应用试卷 A第 3 页 共 3 页6、金属导体一般称热敏电阻,半导体热电阻一般称

5、热电阻。 ( )7、电感传感器与气隙长度之间呈很好的线性关系。 ( )8、铂是目前制造热电阻的最好材料。 ( )9、大多数金属导体的电阻随温度的升高而增加。 ( )10、光纤的包层折射率大于纤芯折射率。 ( )四、名词解释(共 20 分,每题 5 分)1、应变效应2、压阻效应3、霍尔效应4、外光电效应五、简答题(共 20 分,每题 10 分)1、改善传感器性能的技术方法有哪些?2、什么是零点残余电压?产生零点残余电压的原因是什么?六、计算题(共 10 分,每题 10 分)1、某位移传感器在输入量变化 5mm 时,输出电压变化为 300mV,求其灵敏度。电子信息学院 二一一级 应用电子技术浪潮班

6、传感器及其应用试卷 A 答题纸第 1 页 共 2 页山东现代职业学院20122013 学年第二学期期末考试答题纸传感器及其应用 (A 卷)(考试时间 90 分钟 满分 100 分)专业 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 总分成绩一、填空题(共 20 分,每空 2 分)(1) 、 (2) (3) 、 (4) 、 、 (5) 、 二、单项选择题(共 20 分,每小题 2 分)1 2 3 4 56 7 8 9 10三、判断题(共 10 分,每题 1 分)1、 ( )2、 ( )3、 ( )4、 ( )5、 ( )6、 ( )7、 ( )8、 ( )9、 ( )10、 ( )四、名词解释(共 20 分,每题 5 分)1、应变效应2、压阻效应电子信息学院 二一一级 应用电子技术浪潮班传感器及其应用试卷 A 答题纸第 2 页 共 2 页3、霍尔效应4、外光电效应五、简答题(共 20 分,每题 10 分)1、改善传感器性能的技术方法有哪些?2、什么是零点残余电压?产生零点残余电压的原因是什么?六、计算题(共 10 分,每题 10 分)1、某位移传感器在输入量变化 5mm 时,输出电压变化为 300mV,求其灵敏度。

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