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小分子掺杂的高分子半导体薄膜材料中的异质结结构荧光发射特性研究.ppt

1、小分子掺杂的高分子半导体薄膜材料中的异质结结构荧光发射特性研究,报告人:刘 宁 导 师:张新平教授,1,2010年12月9日,报 告 内 容,1. 研究背景,2. 研究内容及方法,3. 研究结果及分析,4. 总 结,研究背景,第一类和第二类异质结结构的区别,第一类异质结,第二类异质结,研究背景,F8BT,EPPTC,Poly(9,9-dioctylfluorene-cobenzothiadiazole,N,N,-bis(1-ethylpropy)-3,4,9,10-perylenebis(dicarboximide),研究内容及方法,(1)以三氯甲烷为溶剂分别将两种半导体薄膜材料( F8BT和

2、EPPTC)配置成浓度为15mg/ml的溶液 (2)将两种混合溶液以1:1的体积比混合,配置成混 合溶液 (3)利用SC-1B匀胶台将不同浓度的混合溶液旋涂成膜 (4)利用光谱学测试方法研究混合薄膜的荧光发射特性,研究结果及分析,1、第一类异质结结构的显微结构表征,F8BT、EPPTC及混合物薄膜的原子力显微图像,小分子掺杂的高分子半导体薄膜材料的成膜性很好,2、F8BT、EPPTC、混合物薄膜的吸收光谱,现阶段进展,F8BT薄膜的吸收峰:483nm有效吸收光谱:400550nm,EPPTC薄膜的吸收峰:506nm有效吸收光谱:420650nm,混合物薄膜的有效吸收光谱:400 650nm,混

3、合后的吸收光谱几乎覆盖了可见光谱的大部分区域,3、EPPTC溶液及薄膜的吸收光谱,现阶段进展,薄膜的吸收光谱比溶液的吸收光谱有了显著的红移和展宽,现阶段进展,4、F8BT,EPPTC和混合薄膜在450nm激发光激 发下的荧光光谱,现阶段进展,5、15mg/ml的混合溶液薄膜在不同激发波长激发光 激发下的荧光光谱,现阶段进展,6、F8BT和EPPTC 薄膜在405nm激光激发下 的荧光发射动态过程,现阶段进展,7、混溶液薄膜在405nm激光激发下的荧光发射动态过程,现阶段进展,8、混合薄膜的荧光发射中不同波长处 3寿命的贡献度,总结,一、小分子掺杂的高分子半导体薄膜材料所形成的第 一类异质结中产生了激发复合体(电荷转移激发态) 二、利用光谱学方法观察到了红移和光谱展宽现象 三、混合薄膜的荧光发射强度和寿命得到了增强,谢谢!,

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